SiC MOSFET

时间： 2025-03-21

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这份文档详细介绍了SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、优点、应用以及电气特性。文档中包含了SiC MOSFET的型号、最大额定值、静态特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装轮廓和修订历史等信息。

中文标题（翻译）:	SiC场效应晶体管
厂牌:	macrocore semiconductor
型号:	HX1M040065D 查看更多 Part#
品类:	SiC场效应晶体管查看更多
应用:	[ 开关电源 ][ DC-AC逆变器 ][ 高压DC/DC转换器 ][ 功率因数校正模块 ] 查看更多
资料类型:	数据手册查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-247-3 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2024-05-22
过期日期:
版本号:	Rev. A
文档编码:	Doc: 11
文件大小:	1.5 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的主要参数，如VDS、ID、RDS(on)、VGS(th)等，并提供了产品在不同温度下的性能曲线和封装尺寸信息。

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SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料中未提及具体的产品特性，但强调了其高速度切换、低电容、高阻断电压、低导通电阻等优势，适用于功率因数校正模块、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器等应用领域。

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2024-07-22 - 数据手册 - Rev. A 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。资料涵盖了产品的主要参数，如VDS、ID、RDS(on)、开关速度、阻断电压等，并说明了其在功率因数校正模块、开关电源、逆变器等领域的应用。

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2024-04-19 - 数据手册 - Rev. A1 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET的主要参数和应用领域，如功率因数校正模块、DC-AC逆变器和高电压DC/DC转换器等。

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本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中涵盖了SiC MOSFET的最大额定值、符号、参数、测试条件、值和单位，并提供了详细的图表和性能曲线。

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2024-06-12 - 数据手册 - Preliminary 11 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

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2024-07-10 - 数据手册 - Preliminary A 11 代理服务技术支持采购服务

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SiC场效应晶体管

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2024-06-21 - 数据手册 - Rev. A3 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的最大额定值、符号参数、测试条件、数值和单位。此外，还提供了产品的封装尺寸图和修订历史。

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2024-04-22 - 数据手册 - Rev. A3 代理服务技术支持采购服务

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2024-08-19 - 数据手册 - Rev. A2 代理服务技术支持采购服务

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2024-03-11 - 数据手册 - Preliminary 1/10 代理服务技术支持采购服务

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2024-06-05 - 数据手册 - Rev. A3 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

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2024-06-03 - 数据手册 - Rev. A 代理服务技术支持采购服务

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2023-06-26 - 数据手册 - Rev. A 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

MACROCORE SEMICONDUCTOR - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,HX1M040065KA,电源因数校正模块,DC-AC逆变器,高压DC/DC转换器

2024-08-07 - 数据手册 - Rev. A1 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

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2024-08-07 - 数据手册 - Rev. A1 代理服务技术支持采购服务

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2023-09-08 - 数据手册 - Rev. A 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中未提及具体的产品特性，但强调了SiC MOSFET在提高功率密度、降低热量需求、提高效率等方面的优势。应用领域包括电力因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器和高电压DC/DC转换器等。

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2022-08-25 - 数据手册 - Preliminary B 11 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装轮廓和修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET的主要参数，如阻断电压、导通电阻、开关速度、功耗等，并提供了在不同工作条件下的详细数据。

MACROCORE SEMICONDUCTOR - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,HX1M022120K,开关电源,DC-AC逆变器,高压DC/DC转换器,功率因数校正模块

2024-04-19 - 数据手册 - Rev. 4.0 代理服务技术支持采购服务

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料涵盖了产品的主要参数、应用领域和性能指标，为工程师提供了全面的技术信息。

MACROCORE SEMICONDUCTOR - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,HX1M013120K,开关电源,DC-AC逆变器,高压DC/DC转换器,功率因数校正模块

2024-04-19 - 数据手册 - Rev. A1 代理服务技术支持采购服务

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

2024-07-11 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

解析SiC MOSFET器件五大特性

对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和IGBT相比具有显著优势。开关超过1,000V的高压电源轨以数百kHz运行并非易事，即使是最好的超结硅MOSFET也难以胜任。本文将为您介绍SiC MOSFET器件五大特性。

2024-05-24 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯SiC MOSFET器件在电焊机中的应用及优势

‌SiC MOSFET器件在电焊机应用中的优势主要体现在提高效率、降低成本、增强便携性、提高可靠性和耐压高等方面。中瑞宏芯的SiC MOSFET以其高效能、高频率和出色的高温性能，可将开关频率提升至100kHz以上，并已成功开发并量产了多个低开关损耗产品系列，为电焊机行业带来革命性变革，成为现代智能制造的优选方案。

2024-12-12 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准

ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。

2022-03-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】国产自研SiC MOSFET ASC30N650MT4，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器

本文主要介绍深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发SiC MOS芯片。ASC60N650MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。

2022-01-20 - 产品代理服务技术支持采购服务

降本＆高效！采用1200V 40mΩ SiC MOSFET的开关电源有效提高系统效率和增强可靠性

开关电源上使用1200V 40mΩ SiC MOSFET能够提高系统的效率、可靠性和性能，在工业级电源、数据中心电源和新能源汽车充电桩等应用中表现尤为突出。相比传统的硅基MOSFET，SiC MOSFET具有更低的导通电阻和更高的工作温度，这使其在高功率密度和高效率的应用中具有显著优势。

2025-02-12 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

macrocore semiconductor MOS管选型表

macrocore semiconductor提供MOS管选型表产品，含车规级和工业级，VDS(V):650V~2000V

产品型号	品类	VDS(V)	RDSON(mΩ)@25℃	RDSON(mΩ)@175℃	ID(A)@25℃	Vth(V)	Operating Junction Temperature	Qualification
HX1M040065D	SiC MOSFET	650	33	35	77	2.7	－40℃to175℃	工业级

选型表 - macrocore semiconductor 立即选型

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V

深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。

2022-03-10 - 新产品代理服务技术支持采购服务

ROHM第四代SIC MOSFET大公开！不牺牲短路耐受时间即可实现超低导通电阻，适用于车载逆变器和开关电源

ROHM推出的第4代SiC MOSFET，在不牺牲短路耐受时间的情况下实现超低导通电阻，适用于车载逆变器和各种开关电源。于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。

2022-03-17 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源

爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

2022-08-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET（型号IV1Q06060T4G）的特性、应用领域和封装尺寸。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06060T4G,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2023 年 3 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET产品IV1Q06060T4G的特性、应用领域和封装尺寸。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06060T4G,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2022 年 6 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET（型号IV1Q06060T4G）的特性、应用领域和电学参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速且坚固的本征体二极管等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和高压直流/直流转换器等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06060T4G,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Mar. 2023 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务