DSK010N04LA 40V/0.85mΩ/250A N-MOSFET
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由WXDH ELECTRONICS品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
CRST055N07N,CRSS053N07N SKYMOS1 N-MOSFET 70V,4.6mΩ,120A
本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的SkyMOS1 N-MOSFET晶体管,型号为CRST055N07N和CRSS053N07N。该产品采用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,具有极低的导通电阻RDS(on)、优异的QgxRDS(on)产品品质因子,并符合JEDEC标准。适用于电机控制、电池管理和不间断电源等领域。
华润微电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,CRST055N07N,CRSS053N07N,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
DSU023N10N3 100V/2mΩ/281A N沟道MOSFET
DSU023N10N3是一款100V/2mΩ/281A的N-MOSFET,采用先进的SGT2硅技术,具有极低的导通电阻、低反向转移电容和100%单脉冲雪崩能量测试等特性。适用于电机控制、电池管理系统充电/放电和SMPS同步整流等领域。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSU023N10N3,电机控制,电池管理系统充电/放电,SMPS同步整流器
CRST046N14N,CRSS043N14N SKYMOS1 N-MOSFET 135V,3.5mΩ,160A
本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的SkyMOS1 N-MOSFET晶体管,型号为CRST046N14N和CRSS043N14N。该产品采用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,具有极低的导通电阻RDS(on)、优秀的QgxRDS(on)产品性能,并符合JEDEC标准。
华润微电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,CRSS043N14N,CRST046N14N,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
DSU014N10N3A 100V/1.15mΩ/373A N-MOSFET
本资料介绍了DSU014N10N3A型100V/1.15mΩ/373A N-MOSFET的特性、参数和应用。该器件适用于功率开关应用,具有低导通电阻、低反向转移电容等特点,符合汽车级质量标准。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSU014N10N3A,DC-DC CONVERTERS,POWER SWITCHING APPLICATIONS,AUTOMOTIVE APPLICATION,电源开关应用,FULL BRIDGE CONTROL,全桥控制,汽车应用,DC-DC转换器
DSU007N04NA 40V/0.5mΩ/360A N沟道MOSFET
DSU007N04NA是一款40V/0.5mΩ/360A的N-MOSFET,具备AEC-Q101认证,适用于汽车、电机控制和驱动、电池管理系统、同步整流器等领域。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSU007N04NA,电机控制,同步整流器,汽车应用,电池管理系统
LR013N10SM10 N-MOSFET Toll 100V,330A,1.1mΩ
LR013N10SM10是一款采用SGT技术的N-MOSFET,具有极低的导通电阻和优异的栅极电荷乘以导通电阻积(FOM)。该产品适用于电机控制、电池管理和DC/DC转换等通用应用。
龙夏电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,LR013N10SM10,MOTOR DRIVES,电机驱动,电机控制,DC/DC变换器,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,DC/DC CONVERTER,电池管理
LR035N10SM2 N-MOSFET TO-263 100V,160A,2.8mΩ
本资料介绍了LR035N10SM2型N-MOSFET的特性,包括其采用SGT技术、极低的导通电阻(RDS(on))、优异的门电荷与导通电阻乘积(FOM)。该器件适用于电机控制、电池管理、DC/DC转换器以及通用应用等领域。
龙夏电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,LR035N10SM2,MOTOR DRIVES,电机驱动,电机控制,DC/DC变换器,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,DC/DC CONVERTER,电池管理
DSG400N20N3A&DSE400N20N3A 200V/36mΩ/41A N-MOSFET
DSG400N20N3A&DSE400N20N3A是两款200V/36mΩ/41A的N-MOSFET,具备极低的导通电阻和反向转移电容,适用于电机控制、电池管理系统和同步整流器等应用。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSG400N20N3A,DSE400N20N3A,电机控制,电池管理系统充电/放电,SMPS同步整流
CRSQ027N10N SKYMOS1 N-MOSFET 100V,2.6mΩ,240A\n
本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的SkyMOS1 N-MOSFET晶体管,型号为CRSQ027N10N。该产品采用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,具有极低的导通电阻RDS(on)、优秀的QgxRDS(on)产品品质因子,并符合JEDEC标准。适用于电机控制、电池管理和不间断电源等领域。
华润微电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,CRSQ027N10N,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
CRST047N12N,CRSS044N12N SKYMOS1 N-MOSFET 120V,3.9mΩ,160A
本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的SkyMOS1 N-MOSFET,型号为CRST047N12N和CRSS044N12N。该器件采用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,具有极低的导通电阻RDS(on)、优秀的QgxRDS(on)产品品质因子,并符合JEDEC标准。适用于电机控制、电池管理和不间断电源等领域。
华润微电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,CRST047N12N,CRSS044N12N,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
DSG019N04L 40V/1.6mΩ/180A N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本资料详细介绍了DSG019N04L型40V/1.6mΩ/180A N-MOSFET的特性,包括其低导通电阻、低反向转移电容、高可靠性等,适用于电机控制、电池管理系统和同步整流器等应用。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSG019N04L,电机控制,电池管理系统充电/放电,SMPS同步整流
LR028N10SM10 N-MOSFET Toll 100V,240A,2.36mΩ
本资料介绍了LR028N10SM10型N-MOSFET的特性,包括其电压、电流和导通电阻等关键参数。该器件适用于高功率应用,具有低导通电阻和高额定电流的特点。
龙夏电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,LR028N10SM10,MOTOR DRIVES,电机驱动,电机控制,DC/DC变换器,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,DC/DC CONVERTER,电池管理
CRTD055N03L沟槽式N-MOSFET 30V,4.3mΩ,58A
本资料介绍了华润微电子(重庆)有限公司生产的CRTD055N03L trench N-MOSFET器件。该器件采用先进的CRM(CQ)沟槽MOS技术,具有极低的导通电阻和优异的栅极电荷量乘积(FOM),符合JEDEC标准。主要应用于电机控制和驱动等领域。
华润微电子 - TRENCH N-MOSFET,沟槽式N-MOSFET,CRTD055N03L,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
DSU011N08N3A 85V/0.9mΩ/360A N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
DSU011N08N3A是一款由东海半导体生产的N-MOSFET,具有85V的电压额定值、0.9mΩ的导通电阻和360A的电流额定值。该产品符合AEC-Q101标准,适用于汽车、电机控制、电池管理系统和同步整流器等应用。
WXDH ELECTRONICS - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,DSU011N08N3A,电机控制,电池管理系统充电/放电,汽车应用,SMPS同步整流器
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论