IRGIB7B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

2018-07-12
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■特征
● 低VCE(开)非穿通IGBT技术。

●10μs短路能力。

●方形RBSOA。

●正VCE(开)温度系数。

●175°C时的最高接头温度。

●无铅
■好处
●电机控制的基准效率。

●坚固的瞬态性能。

●低EMI。

●并联运行时具有出色的均流性能

带超快软恢复二极管的IrgIb60kDPBF绝缘栅双极晶体管

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IRGIB7B60KDPbFIRF I840G

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