Littelfuse(力特) ICP-2101 SiC Diode (TO-220) 测试报告
●送样厂商(Sample Submitted By):CERAMTEC GMBH, ELECTRONIC APPLICATIONS DIVISION
●样品名称(Sample Description):SUBSTRATE RUBALIT 708S BOTH SIDES METALLIZED W/Ni
●样品型号(Style/Item No.):302455
●收件日期(Sample Receiving Date;2015/10/29)
●测试期间(Testing Period):2015/10/29 TO 2015/11/05
●测试需求(Test Requested):依据客户指定,参考RoHS 2011/65/EU Annex II及其修订指令(EU) 2015/863测试镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚, DBP, BBP, DEHP, DIBP. (As specified by client, with reference to RoHS 2011/65/EU Annex II and amending Directive (EU) 2015/863 to determine Cadmium, Lead, Mercury, Cr(VI), PBBs, PBDEs, DBP, BBP, DEHP, DIBP contents in the submitted sample.)
●结论(Conclusion):根据客户所提供的样品,其镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚, DBP, BBP, DEHP, DIBP的测试结果符合RoHS指令暨(EU) 2015/863之限值要求. (Based on the performed tests onsubmitted samples, the test results of Cadmium, Lead, Mercury, Cr(VI), PBBs, PBDEs,DBP, BBP, DEHP, DIBP comply with the limits as set by RoHS and amending Directive (EU)2015/863.)
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测试报告 |
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详见资料 |
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02-03-2016 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2016年02月03日 |
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CE/2015/A5650 |
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576 KB |
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产品型号
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品类
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阻断电压(VP)
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负载电流(mA)
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导通电阻(Ω)
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隔离电压(VRMS)
|
输入控制电流(mA)
|
断态漏电电流A / B(µA)
|
开关速度ton / toff(ms)
|
输出电容A / B (pF)
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封装类型
|
CPC2317N
|
固态继电器
|
60
|
120
|
16
|
1500
|
1
|
1/1
|
3/3
|
5/10
|
8-pin SOIC
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选型表 - LITTELFUSE 立即选型
LITTELFUSE General Purpose ESD Protection TVS Diode Array选型表
Littlfuse瞬态抑制二极管阵列可保护电子设备免受雷击和静电放电(ESD)等快速瞬态电压的破坏,为输入/输出接口和数字与模拟信号线提供理想的保护方案。
产品型号
|
品类
|
AEC-Q101 Qualified
|
Standoff Voltage (V)
|
ILeak (μA)
|
ESD Contact (kV)
|
ESD Air (kV)
|
Lightning Immunity (8x20μs) (A)
|
Clamp Voltage
|
CI/OTYP (pF)
|
Polarity
|
Channels
|
MIN VBR@IT (V)
|
Operating Temperature(℃)
|
Package
|
SC1006-01LTG
|
TVS Diode Arrays
|
No
|
6
|
0.5
|
±30
|
±30
|
5
|
8.3V@1A
|
25
|
Unidirectional
|
1
|
N/A
|
-40° to 125°C
|
SOD523
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
复旦微电2023年度报告发布,未来发展战略瞄向物联网、汽车电子、FPGA、工业电子
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产品型号
|
品类
|
厂牌
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Stand-Off Voltage Vʀ (V)
|
Minimum Breakdown Voltage at Iᴛ=1.0MA Vʙʀ(V)
|
Maximum Reverse Leakage at Iʀ@ Vʀ (uA)
|
Maximum Clamping Voltage at Iᴘᴘ=5.0A Vᴄ (V)
|
Maximum Peak Pulse Current per (Fig.3) Iᴘᴘ (A)
|
Maximum Junction Capacitance at 0 Volts (pF)
|
Working Inverse Blocking Voltage Vᴡɪʙ(V)
|
Inverse Blocking Leakage Current at Vᴡɪʙ @ Iɪʙ (mA)
|
Peak Inverse Blocking Voltage Vᴘɪʙ (V)
|
SACB5.0
|
Transient Voltage Suppression Diodes
|
LITTELFUSE
|
5
|
7.6
|
300
|
10
|
44
|
45
|
75
|
1
|
100
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
Littelfuse(力特)TVS在汽车电子中的“抛负载”保护选型建议
本文探讨了汽车电子中TVS(瞬态抑制二极管)在“抛负载”保护选型中的应用。文章首先介绍了汽车电子安全可靠性的重要性,并阐述了ISO 7637-2和ISO 16750-2标准中关于抛负载测试的要求。接着,详细分析了不同抛负载脉冲的能量差异,并讨论了TVS在5a和5b抛负载保护中的选型问题。最后,通过具体案例计算验证了TVS在满足ISO 16750-2标准脉冲5a测试时的性能。
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Littlfuse瞬态抑制二极管阵列可保护电子设备免受雷击和静电放电(ESD)等快速瞬态电压的破坏,为输入/输出接口和数字与模拟信号线提供理想的保护方案。
产品型号
|
品类
|
AEC-Q101 Qualified
|
Standoff Voltage (V)
|
ILeak (μA)
|
ESD Contact (kV)
|
ESD Air (kV)
|
Lightning Immunity (8x20μs) (A)
|
Clamp Voltage
|
CI/OTYP (pF)
|
Polarity
|
Channels
|
MIN VBR@IT (V)
|
Package
|
AQ1003-01ETG
|
TVS Diode Arrays
|
AEC-Q101
|
5
|
0.1
|
±30
|
±30
|
7
|
11.4V@6A/12V@7A
|
30
|
Unidirectional
|
1
|
6
|
SOD882
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
LITTELFUSE SMBJ-HRA系列瞬态抑制二极管选型表
反向隔离电压:3.3V至600V 峰值脉冲额定功率:200W至30KW 可提供高电流保护,峰值脉冲电流:8/20 1kA、3kA、6kA、10kA、15kA至20kA
产品型号
|
品类
|
厂牌
|
Reverse Stand off Voltage V-R (Volts)
|
Breakdown Voltage V-BR (Volts) @ I-T MIN
|
Breakdown Voltage V-BR (Volts) @ I-T MAX
|
Test Current I-T (mA)
|
Maximum Clamping Voltage V-C @ I-PP (V)
|
Maximum Peak Pulse Current I-PP (A)
|
Maximum Reverse Leakage I-R @ V-R (µA)
|
SMBJ5.0A-HRA
|
TVS Diode
|
LITTELFUSE
|
5
|
6.4
|
7
|
10
|
9.2
|
65.3
|
800
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
LITTELFUSE AK1-Y/AK3/AK3-Y/AK6/AK10-Y系列瞬态抑制二极管选型表
反向隔离电压:3.3V至600V 峰值脉冲额定功率:200W至30KW 可提供高电流保护,峰值脉冲电流:8/20 1kA、3kA、6kA、10kA、15kA至20kA
产品型号
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品类
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厂牌
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Standoff Voltage (Vsᴏ)(Volts)
|
Max. Reverse Leakage (Iʀ) @Vsᴏ(μA)
|
Typical Iʀ @ 85℃ (μA)
|
Reverse Breakdown Voltage (Vʙʀ) @ Iᴛ(Min Volts)
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Reverse Breakdown Voltage (Vʙʀ) @ Iᴛ(Max Volts)
|
Test Current Iᴛ (mA)
|
Max. Clamping Voltage Vᴄʟ @ Iᴘᴘ Peak Pulse Current
|
Max. Clamping Voltage Vᴄʟ @ Iᴘᴘ Peak Pulse Current
|
Max. Temp Coefficient OF Vʙʀ (%/℃)
|
Max. Capacitance 0 Bias 10kHz (nF)
|
AK1-076C-Y
|
TVS Diodes
|
LITTELFUSE
|
76
|
10
|
15
|
85
|
95
|
10
|
140
|
1000
|
0.1
|
8.5
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
LITTELFUSE SMDJ-HR系列瞬态抑制二极管选型表
反向隔离电压:3.3V至600V 峰值脉冲额定功率:200W至30KW 可提供高电流保护,峰值脉冲电流:8/20 1kA、3kA、6kA、10kA、15kA至20kA
产品型号
|
品类
|
厂牌
|
Reverse Stand off Voltage Vʀ (Volts)
|
Breakdown Voltage Vʙʀ (Volts) @ Iᴛ Min
|
Breakdown Voltage Vʙʀ (Volts) @ Iᴛ Max
|
Test Current Iᴛ (mA)
|
Maximum Clamping Voltage Vᴄ @ Iᴘᴘ (V)
|
Maximum Peak Pulse Current Iᴘᴘ (A)
|
Maximum Reverse Leakage Iʀ @ Vʀ (µA)
|
SMDJ5.0A-HR
|
TVS Diodes
|
LITTELFUSE
|
5
|
6.4
|
7
|
10
|
9.2
|
326.1
|
800
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
LITTELFUSE SLD8S系列瞬态抑制二极管选型表
反向隔离电压:3.3V至600V 峰值脉冲额定功率:200W至30KW 可提供高电流保护,峰值脉冲电流:8/20 1kA、3kA、6kA、10kA、15kA至20kA
产品型号
|
品类
|
厂牌
|
Breakdown Voltage Vʙʀ @ Iᴛ (V) MIN
|
Breakdown Voltage Vʙʀ @ Iᴛ (V) MAX
|
Test Current Iᴛ (mA)
|
Reverse Stand off Voltage Vʀ (Volts)
|
Maximum Reverse Leakage Iʀ @ Vʀ (µA)
|
Tᴊ=150℃ Max. Reverse Leakage Iʀ @ Vʀ (µA)
|
Maximum Peak Pulse Surge Current Iᴘᴘ (A)
|
Maximum Clamping Voltage Vᴄ @ Iᴘᴘ (V)
|
SLD8S14A
|
TVS Diode
|
LITTELFUSE
|
15.6
|
17.2
|
5
|
14
|
10
|
50
|
301
|
23.2
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
Littelfuse(力特) GDT CG/CG2/CG3 PCN通知
Littelfuse公司发布产品变更通知(PCN),宣布从2012年9月30日起,对Leaded CG、CG2和CG3 GDT产品实施中频焊接工艺。通知中包含变更描述、重要日期、区分变更产品的信息,并要求客户确认收到此通知,若无反馈则视为接受变更。
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LITTELFUSE SMDJ系列瞬态抑制二极管选型表
反向隔离电压:3.3V至600V 峰值脉冲额定功率:200W至30KW 可提供高电流保护,峰值脉冲电流:8/20 1kA、3kA、6kA、10kA、15kA至20kA
产品型号
|
品类
|
厂牌
|
Reverse Stand off Voltage (V)
|
Breakdown Voltage (V) MIN
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Breakdown Voltage (V) MAX
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Test Current Iᴛ (mA)
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Maximum Clamping Voltage VC @ Iᴘᴘ(10/1000μs) (V)
|
Maximum Peak Pulse Current Iᴘᴘ(10/1000μs) (A)
|
Maximum Clamping Voltage VC @ Iᴘᴘ(8/20μs) (V)
|
Maximum Peak Pulse Current Iᴘᴘ(8/20μs) (A)
|
Maximum Reverse Leakage IR @ VR (µA)
|
Maximum Temperature coefficient of VBR (%/C)
|
SMDJ5.0A
|
TVS Diodes
|
LITTELFUSE
|
5
|
6.4
|
7
|
10
|
9.2
|
326.1
|
11.89
|
1630.5
|
800
|
0.041
|
选型表 - LITTELFUSE 立即选型
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