Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN/AS4C4M16SA-6BIN Syn DRAM无铅和无卤素（工业）测试报告
■介绍
▲为了满足市场对高质量、高可靠性半导体元件的最严格要求，Alliance Memory在所有产品中都保持着严格的可靠性计划。本报告旨在概述AS4C4M16SA-6TIN/6BIN的可靠性状态。对产品进行加速试验，然后将结果外推至标准操作条件，以计算和估计部件的故障率。
■产品信息
▲AS4C4M16SA-6TIN/6BIN是一款4M*16位高速CMOS单数据速率同步动态随机存取存储器（SDR SDRAM），由一个3.0至3.6伏电源供电。通过采用一些新的CMOS电路设计技术和先进的DRAM工艺技术，AS4C4M16SA-6TIN/6BIN非常适合需要高内存带宽的应用，尤其适合高性能PC应用。AS4C4M16SA-6TIN/6BIN封装在标准54引脚塑料400MIL TSOPII或标准60球塑料6.4x10中。1mm BGA或标准54球塑料8x8mm BGA。
■结论
▲可靠性测试是为了确保产品在特定条件下在一定时间内执行所需功能的能力。通过这些测试，潜在故障的设备可以在交付给客户之前进行筛选。同时，将测试结果反馈给工艺、设计等相关部门，以提高产品质量和可靠性。
▲根据寿命试验数据，AS4C4M16SA-6TIN/6BIN的短期12小时故障率（=正常运行0-1年）在Ta=55°C和Vcc=3.3V时等于0 DPM，置信度为60%，AS4C4M16SA-6TIN/6BIN的长期1000小时故障率（=正常运行1-10年）在Ta=55°C和Vcc=3.3V时等于22拟合，置信度为60%。环境测试、ESD测试和闭锁测试的结果还确保AS4C4M16SA-6TIN/6BIN在Alliance Memory及其分包商的质量工作的精确控制下制造。因此，本实验基于Alliance Memory可靠性测试标准，上述测试项目均能通过。
▲通过广泛的研发活动和各部门的合作，Alliance Memory不断设定并保持更高的质量和可靠性标准，以满足客户未来的需求
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测试报告 |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2014年06月10日 |
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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