PROCESS CP211 Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip

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厂牌:	Central Semiconductor
型号:	CP211、2N3054A、CJD41C、TIP41C、CP211-2N3054A、CP211-CJD41C、CP211-TIP41C 查看更多 Part#
品类:	功率晶体管芯片、功率晶体管工艺查看更多
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资料类型:	数据手册查看更多
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语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	22-March 2010
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授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
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PROCESS CP611 Power TransistorPNP - Amp/Switch Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司的CP611 PNP型功率晶体管芯片。该产品采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造，具有典型的电气特性，适用于多种电子设备。

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PROCESS CP230 Power TransistorNPN - Silicon Darlington Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司的CP230功率晶体管，一款NPN型硅达林顿晶体管芯片。资料详细说明了该产品的制造工艺细节，包括基区外延层、晶圆尺寸、厚度、键合面积以及金属化层的材料和技术规格。

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22-March 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP763V Power TransistorPNP - High Current Transistor Chip

本资料介绍了型号为CP763V的高电流PNP型晶体管芯片。该芯片采用特定的工艺制造，具有详细的尺寸和金属化层信息，并提供了典型电学特性数据。

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PROCESS CP331 Power Transistor NPN - High Voltage Darlington Transistor Chip

本资料介绍了型号为PROCESS CP331的高压达林顿晶体管芯片的技术细节。内容包括晶圆尺寸、厚度、金属化层等信息，以及典型电学特性。

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19-September 2011 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP211 Power TransistorNPN - Amp/Switch Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司的CP211系列NPN型功率晶体管芯片。该产品采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造，具有典型的电气特性，适用于多种电子设备。

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PROCESS CP709 Power TransistorPNP - Low Saturation Transistor Chip

该资料介绍了CP709功率晶体管，一种低饱和度晶体管芯片。资料详细说明了其制造工艺细节，包括晶圆加工过程、晶圆尺寸、厚度以及金属化层等信息。同时提供了典型电学特性数据。

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23- August 2006 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP712 Power TransistorPNP - Amp/Switch Transistor Chip

本资料介绍了Central Semiconductor Corp.生产的CP712功率晶体管芯片。该芯片采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造，具有典型的电气特性数据，适用于多种电子设备。

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1-August 2002 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

工艺CP211功率晶体管NPN-Amp/Switch晶体管芯片

该资料主要介绍了CP211型号的NPN型功率晶体管，包括其制造工艺、几何尺寸、典型电气特性等信息。晶体管采用平面外延工艺制造，具有特定的尺寸和金属化层。资料还列出了主要的设备类型和数量。

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PROCESS CP176 Power TransistorNPN - Amp/Switch Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司生产的MJ15003型号NPN型功率晶体管。该晶体管采用MULTI EPITAXIAL PLANAR工艺制造，具有高电流处理能力和良好的开关特性。

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22-March 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP268 Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

本资料介绍了Central Semiconductor Corp.生产的CP268高压晶体管芯片。该产品采用外延平面工艺制造，具有高电压和电流承载能力，适用于各种电子设备。

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1-August 2002 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP319 Power Transistor NPN - Silicon Power Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司的CP319功率晶体管芯片。该产品采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造，具有87 x 87 MILS的晶圆尺寸和9.0 MILS的晶圆厚度。资料还提供了详细的加工细节，包括基极和发射极焊盘面积、金属化层等信息。此外，资料列出了主要的设备类型和应用支持服务。

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22-March 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP219 Power Transistor NPN - High Current Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司的CP219功率晶体管芯片，该产品采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造。资料提供了生产工艺细节、晶圆尺寸、基板和发射极焊盘面积、金属化层厚度等信息，并列举了主要的器件型号。

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22-March 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP287 Power TransistorNPN - 8 Amp Power Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司生产的CP287型号NPN型8安培功率晶体管芯片。该产品具有130x130毫米的晶圆尺寸，9.5毫米的晶圆厚度，适用于各种电子设备的高电流应用。

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29-April 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP645 Power TransistorPNP - 8 Amp Power Transistor Chip

本资料介绍了Centrale Semi公司生产的PROCESS CP645 PNP型8安培功率晶体管芯片。该芯片采用多晶圆体工艺制造，具有特定的尺寸和金属化层结构。

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29-April 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PROCESS CP285 Power TransistorNPN - Silicon Power Transistor Chip

本资料介绍了型号为CP285的硅功率晶体管芯片的技术细节。内容包括晶圆加工工艺、器件尺寸、金属化层厚度、每片晶圆上的器件数量以及典型电学特性。

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13-August 2010 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本