PT1500MX / PT1550MX / PT1501MX / PT1505MU / PT1555MU Touch Screen LCD Monitors
PT1500MX/PT1550MX/PT1501MX/PT1505MU/PT1555MU触摸屏液晶显示器 |
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用户指南,USER'S GUIDE |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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9/08 |
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Rev D |
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020-0697-00 |
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1.2 MB |
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PLANAR - PT SERIES,PXL2230MW,PXL,PT3290PW,PT1745R-BK,HELIUM™,997-7039-00,PT1745P,997-8286-00,PT1545P,997-7413-00,PT1745R-WH,PT1945R,PT1945P,997-6848-01,PT2245PW,997-7415-00,PT1500MX,PCT2235,997-3198-00,PT1545R,997-6399-00,997-5969-00,997-8492-00,997-5971-00,997-3981-00,PXL2430MW,PT1510MX-BK,HELIUM,997-4158-01,997-9193-00,997-7052-00,PT1700MX,997-7416-00,997-7251-00,997-7414-00,PCT2785,997-5967-00,PCT2265,PCT2485,997-7454-00
GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
ESD
|
VDS(V)
|
Id at 25℃(max)(A)
|
PD(max)(W)
|
Vgs(th)typ(V)
|
RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
Crss(pF)
|
Package
|
G06P01E
|
Trench Mosfet
|
P channel
|
ESD
|
-12V
|
-4A
|
1.8W
|
-0.6V
|
23mΩ~28mΩ
|
14
|
1087
|
253
|
SOT-23
|
选型表 - GOFORD 立即选型
芯派科技MOS管选型表
芯派科技提供以下IGBT,低压MOS管,高压超结MOS管,高压平面MOS管和中压MOS管的参数选型,芯片工艺:SGT,Planar,Trench;多种封装TO-247,TO-252,TO-263,TO-247P等。
产品型号
|
品类
|
BVDSS(V)
|
ID(A)
|
RDS
|
封装
|
SWD016R03VLT
|
MOSFET
|
30V
|
180A
|
VGS=4.5V@2.1mΩ,VGS=10V@1.6mΩ
|
TO-252
|
选型表 - 芯派科技 立即选型
长晶科技MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围:-100~+650;VGS(V)范围:±6~±30;ID(A)范围:-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Type
|
Process
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
|
Package
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Active
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60
|
-
|
0.2
|
0.8~3
|
-
|
5000
|
-
|
6000
|
TO-92
|
选型表 - 长晶科技 立即选型
MP MOS选型表
MP提供以下技术参数的MOS选型,包含:Planar MOSFET、COOL MOSFET、TRENCH MOS、SGT-MOS,封装:TO-220F、TO-220、TO-247、TO-252、TO-3PH等,电压值:-30V~1500V,导通电阻:0.06Ω~750mΩ,应用等级:工业级、消费级,等级认证标准:ROHS+REACH
产品型号
|
品类
|
类型
|
电压值
|
电流值
|
阀值电压
|
导通电阻
|
封装外形
|
应用等级
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等级认证标准
|
MPF18N20
|
Planar MOSFET
|
NMOS
|
200V
|
18A
|
2~4V
|
0.16Ω
|
TO-220F
|
消费级
|
ROHS+REACH
|
选型表 - MP 立即选型
芯派科技 MOSFET选型表
芯派科技提供以下IGBT,低压MOS管,高压超结MOS管,高压平面MOS管和中压MOS管的参数选型,芯片工艺:SGT,Planar,Trench;多种封装TO-247,TO-252,TO-263,TO-247P等。
产品型号
|
品类
|
耐压-最小值(V)
|
电流-最大值(A)
|
VCE(sat)(V)
|
封装
|
状态
|
SW75T065GFS
|
IGBT
|
BVCES: 650V
|
Ic:75A
|
1.6V
|
TO-247
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量产
|
选型表 - 芯派科技 立即选型
沃尔德MOS选型表
沃尔德提供关于MOS的以下参数选型:VDSS=-60~900V,VGS=±12~±30V,ID=-60~360A,PD=1.56~400W,包含多种封装形式。
产品型号
|
品类
|
Packing
|
Type
|
VDSS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
EAS(mJ)
|
VGE(th) (V)Min.
|
VGE(th) (V)Max.
|
Ron@VGS=10V(mΩ)Typ.
|
Ron@VGS=10V(mΩ)Max.
|
MCR65B260CTF
|
MOS
|
TO-220F
|
N
|
650V
|
±30V
|
15A
|
32.6W
|
290mJ
|
2.5V
|
4.5V
|
240mΩ
|
260mΩ
|
选型表 - 沃尔德 立即选型
芯际探索MOS管选型表
芯际探索提供Planar MOSFETs,SGT MOSFETs,SIC MOSFETs,SJ MOSFETs,Trench MOSFETs的以下参数选型,VDS(Max)(V):-100V~1000V;ID(Max)(A):-55A~401A等。
产品型号
|
品类
|
Mode
|
VDS(Max)(V)
|
ID(Max)(A)
|
RDS(on)(Max)(mΩ/Ω)
|
Qg(Typ)(nC)
|
CSP012N08-T
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SGT MOSFETs
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N-Channel
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80V
|
413A
|
1.4mΩ
|
230nC
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选型表 - 芯际探索 立即选型
科信开关二极管选型表
提供科信电子开关二极管选型:其中包括低漏电流二极管 高速双二极管 表面贴装开关二极管 超高速开关应用二极管 硅开关二极管等品类,参数:VRRM:13.65V~600V,IF:0.015A~250A VF:0.16V~1V,IR:0.005uA~2500uA,封装外形有:SOD723\SOD523\SOD323\SOD123\SOD123F\LL34等
产品型号
|
品类
|
package
|
VR(V)
|
IF(A)
|
IFSM(A)
|
VF(V) @ IF
|
IR(uA) @ VR
|
Cj(pF)
|
trr(ns)
|
1KS1010F
|
Switching Diodes
|
SOD323
|
100V
|
0.15A
|
1A
|
1.25V
|
1uA
|
2pF
|
4ns
|
选型表 - 科信 立即选型
Comchip(典琦)晶体管选型表
如下表格可为客户提供Comchip(典琦)小型信号晶体管,通用晶体管,小型表面安装晶体管,硅平面高压晶体管,双通用晶体管选型,产品具有SOT-223、SOT-363、DFN1006-3L、SOT-23等多种封装形式,覆盖VCBO(V):-300~+500、VCEO(V)范围:-300~+400;VCE(sat)(V)范围:-3~+1.5;IC(A)范围:-2~+5;hFE:+15~+20000,满足AECQ认证标准,分为NPN、PNP、NPN+PNP三种类型。该产品适用于汽车,家电,通讯,仪表仪器,工控,物联网等领域。
产品型号
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品类
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AECQ
|
Type
|
IC(A)
|
VCBO(V)
|
VCEO(V)
|
hFEmin
|
hFEmax
|
VCE(sat)(V)
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Package
|
ABC807-16-HF
|
通用晶体管
|
AECQ
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PNP
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-0.5
|
-50
|
-45
|
100
|
250
|
-0.7
|
SOT-23
|
选型表 - Comchip 立即选型
上海贝岭Planar MOSFET选型表
上海贝岭提供如下High Voltage Super Junction MOSFET产品的技术选型,VDSS(V)范围:-300~+1500;ID(A)范围:+0.17~+90;RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Typ. 范围:+0.02~+8.3;RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Max.范围:+0.025~+17;VGS(th) (V) Min.范围:-1.7~+3;VGS(th) (V)Typ.范围:+0.6~+4;VGS(th) (V) Max.范围:-2.55~+5......上海贝岭的高压平面型场效应晶体管产品有TO220F 、TO220 、TO251、TO252等多封装形式可供选择可广泛应用于高压供电、电容器放电的应用环境、脉冲电路等领域。
产品型号
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品类
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VDSS(V)
|
ID(A)
|
RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Typ.
|
RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Max.
|
VGS(th) (V) Min.
|
VGS(th) (V)Typ.
|
VGS(th) (V) Max.
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Package
|
BL36N12L
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高压平面型场效应晶体管
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120
|
36
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0.05
|
0.06
|
1.5
|
2
|
2.5
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TO251 TO252
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选型表 - 上海贝岭 立即选型
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