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氮化镓快充具体方案可以参考DBM001 60W PD (Type-C)快充 Demo说明书,参考链接:https://www.sekorm.com/doc/2192789.html
陶格斯有没有针对uwb的天线方案 提问来源:https://www.sekorm.com/doc/2192710.html
全球顶级的天线制造商Taoglas有UWB的天线方案,可参考:【选型】Taoglas(陶格斯)天线/滤波器/电缆/连接器选型指南中的UWB部分。
高温高湿的热带有没有电池端子防锈的方案! 提问来源:https://www.sekorm.com/doc/2170018.html
在电池端子上镀一层菲沃泰纳米涂层可以有效解决在湿热环境中生锈的问题,纳米涂层具有防水防腐蚀性能,且不影响导电,参考资料:https://www.sekorm.com/doc/1048598.html
Si驱动资料呢? 提问来源:https://www.sekorm.com/news/79641958.html
目前SiC MOSFET驱动资料建议参考Silicon Labs的Si823X,资料链接:https://www.sekorm.com/doc/1731802.html;
ti的335pin-to-pin? 提问来源:https://www.sekorm.com/news/11445.html
是的,进芯电子AVP32F335可PIN TO PIN替代TI的TMS32F28335,软硬件兼容,数据手册参考https://www.sekorm.com/doc/1490530.html
氮化镓快充完整解决方案:原理图、BOM、设计参考、免费样品
本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品,100%保证原厂正品,同时保证提供最具竞争力的代理商价格。
请问泰高240W氮化镓的资料是公开还是付费的呢?用在仪表测试台上,需要240W的氮化镓USB PD3.1多口快充电源资料,不需要快充协议部分。
240W氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案:https://www.sekorm.com/news/71982189.html, SUPERIOR GaN TP44100SG 资料:https://www.sekorm.com/doc/3643778.html。 看您有什么需求再提供详细资料。
正芯RealChip®(GaN)氮化镓功率器件量产,国际高性价比
RealChip®正芯®半导体技术,作为20年历史的国际卓越MOSFET功率器件、晶体管及芯片研发设计企业,产品已在全球多个国家被客户广泛应用,于2023年量产多款全球性价比最佳的GaN氮化镓功率器件,为客户追求小体积、高性能、降成本提供了最佳选择。
解析GaN氮化镓的4种封装解决方案
GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点,与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感,芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时,GaN产品的高压特性,也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
RC65D270E氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管
RC65D270E系列650V、270mΩ氮化镓(GaN)FET是常关型器件,通过降低栅极电荷、提高开关速度和降低动态导通电阻,提供更高的效率。该系列器件适用于汽车、可再生能源、电信和数据通信、伺服电机和工业等领域。
正芯 - GALLIUM NITRIDE FETS,GAN 650V GAN HEMT,GAN FETS,氮化镓650V氮化镓高电子迁移率晶体管,氮化镓场效应晶体管,RC65D270E SERIES,RC65D270E,电信,汽车,INDUSTRIAL,数据通信,ADAPTER,SERVO MOTORS,AUTOMOTIVE,DATA-COM,TELECOM,适配器,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,伺服电动机,工业
【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案
基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选,传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件,其开关频率一般低于100kHz,相应的磁性元件体积较大,整机功率密度和效率较低。针对以上问题,本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。
2KK8007NEDFN 650V氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了650V氮化镓(GaN)HEMT晶体管2KK8007NEDFN的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度,适用于快充、电信和数据通信、伺服电机、工业和汽车等领域。
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半导体“黑科技”,氮化镓(GaN)是何物?
氮化镓(GaN)被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,今天金誉半导体带大家来简单了解一下,这个材料有什么厉害的地方。
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