• 你好,最近遇到个问题,之前用的亿佰特si4463模块,最近由于芯片缺货涨价,亿佰特把芯片替换成了si4438,替换后批量生产时发现有个别在室温时(10度左右)初始化失败,能够获取到CTS=0xFF,但是设置接收模式不成功,但是对模块加热后就能正常启动,将模块发给亿佰特后易佰特分析说是晶振频率左偏了,但是我觉得晶振频偏不应该导致初始化不成功吧?如果修正频偏后会不会影响跟之前SI4463的通信距离呢?

  • 创建于2021-12-03

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原来用的是SI4463-B1 的版本,现在换成了SI4463-C2版本,原来读芯片的RSSI值现在读不到了怎么回事?

2019-09-10 -  技术问答 两个版本的SI4463在drvier代码上有差别:只需替换掉B1版本中si446x_patch.h与radio_config.h这两个文件就可以了 。替换后需要加载功能见下面红色处理。 SI4463驱动替换步骤:一、我们从WDS生成的驱动代码中可以对比出SI4463 B1与SI4463 C2芯片版本之间的drvier代码有两大不同之处:1:si446x_patch.h2、radio_config.h除了这两个文件内容不一样外B1与C2版本其它driver程序都是一样的.从生成的C2版本radio_config.h文件中我们发现,相比B1版本的radio_config.h文件,C2版本的配置文件里面还包含了si446x_patch.h该补丁头文件另,在C2版本的radio_config.h配置表里面把si446x_patch_cms补丁命令全部加进去了。所以要想把B1版本的驱动代码变为C2版本只需替换掉B1版本中si446x_patch.h与radio_config.h这两个文件就可以了。二、如何利用WDS3生成B1或C2的driver文件 ,这个配置按照之前的操作就可以。三, RSSI读取的方法不变。

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使用Si4463芯片做了无线收发模块,请问Si4463芯片调用了Si446x_change_state()函数之后,要怎么判断Si4463的状态有切换成功呢?

2020-10-12 -  技术问答 可以在Si446x_change_state()函数的前面和后面各调用一次si446x_request_device_state()函数,然后通过打印两次Si446xCmd.REQUEST_DEVICE_STATE.CURR_STATE的值来判断Si4463的状态是否有执行成功。

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我们使用Si4463芯片,由于天线环境和空间不是特别好,导致现在通信有点问题,我们是否能使用天线分集做双天线来提高接收性能呢?

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ROGERS(罗杰斯)覆铜板/高频板选型表

选型表  -  ROGERS ROGERS(罗杰斯)提供以下技术参数的覆铜板&高频板选型,超低损耗,低至0.0004(Df) ;超大尺寸:54inchX24inch、52inchX40inch、50.1inchX110inch 等;丰富介电常数:2 -12.85 (Dk);超薄介质,低至1mil,满足射频、微波、天线、功率放大器等多场景需求。

产品型号
品类
产品系列
介电常数(Dk)
正切角损耗(Df)
介质厚度(mm)
介质厚度(mil)
导热系数W/(m·K)
铜箔类型
铜箔1
铜箔2
尺寸(inch)
3003 24X18 H1/H1 R4 0200+-001/DI
覆铜板
3003
3
0.001
0.508mm
20mil
0.5
电解铜
H1
H1
24X18
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思瑞浦(3PEAK)数据转换器选型表

选型表  -  思瑞浦 高精度DAC/ADC:4~24Bit DAC,DNL小于正负1 LSB,兼容标准的SPI、QSPI、MICROWIRE总线方式。数字式电流/功率监测器:12/16bit,在整个工作温度范围内保证无失码。多通道可配置模数/数模转换器:集成4/8/12通道12bit ADC的可灵活配置的数模/模数转换芯片。

产品型号
品类
Status
Rating
Package
Resolution (Bits)
VDD(V)
Channel
Throughput Rate(Msps)
INL
Offset Error(LSB, Max)
Gain Error(LSB)
IDD(mA)
TPAFE5160SI08-QP7R
高精度ADC
Production
Industrial
LQFP10X10-64
16
12
8
0.35
±2(LSB,Max)
±15
±15
52
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士模 SAR ADC选型表

选型表  -  士模 士模提供高精度、多通道、工业级SAR ADC系列选型。该系列芯片具备16位分辨率,最高采样率达1MSPS,信噪比(SNR)达97.3dB。其输入信号范围覆盖±25V、±10V、0-5V及外部参考电压范围,可适配多种工业现场信号标准。接口支持SPI及并口模式,工作温度覆盖-40℃至125℃全工业温度范围,并提供QFN、MSOP、LQFP等多种封装,为工业自动化、电力监测、高端仪器与通信设备中的精密信号采集提供高可靠、高性价比的解决方案。

产品型号
品类
描述
SNR
INL
分辨率
最大采 样速率
工作温度
CM2248-QFPTR
SAR ADC
信号输入范围:±10V,通道数:8, 单端/差分:SE,接口:SPI/Paralle,封装:LQFP64
92dB
1LSB
16bit
200k
-40~125°C
立即选型
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兆讯同轴器件、射频元器件选型表

选型表  -  兆讯 兆讯掌握射频无源芯片和SIP芯片的核心工艺与设计技术。拥有业界专业的模型算法,工艺开发,封装测试等方面的专家团队,能批量提供包括基于IPD,LTCC,MEMS,陶瓷混压板材等工艺设计开发的滤波器、功分器、耦合器、3dB电桥、巴伦、双工器、多工器、滤波器组件、射频模块等产品,频率覆盖10M~100GHz。产品尺寸小、集成度高,广泛应用于无线通讯、导航、雷达、无人机等领域。

产品型号
品类
频率(Ghz)
频率(Mhz)
功率(W)
回波损耗(dB)
插损(DB)
幅度平衡度(Degree)
相位平衡度(Degree)
隔离度(dB)
偶合值(dB)
线性度(dB)
驻波比(:1)
效率(%)
峰值增益(dB)
极化方式
阻抗(Ω)
衰减值(dB)
衰减精度(dB)
电流(mA)
噪声系数(dB)
输入回波损耗(dB)
输出回波损耗(dB)
反向电压(V)
反向电流(mA)
动态范围(dB)
MQCN-1216
电桥
1.10-1.92
-
10
20
0.9
±1.0
90±4.0
19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表

选型表  -  GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.

产品型号
品类
Package
Type
ESD
Vds (V)
Vgs(V)
Ids(A)
Pd(W)
Vgs(th) max (V)
Qg(nC)
Qgs(nC)
Qg(nC)
Ciss(pF)
Crss (pF)
Technology
G06P01E
Trench Mosfet
SOT-23
P
ESD
-12
±10
-4
1.8
-1
14
2.3
3.6
1087
253
TRENCH
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从地面设备到通信模块:晶振助力卫星通信系统时间基准的工程化落地

2026-01-09 -  应用方案 飞控、射频、基带、处理与接口模块都依赖统一节奏协同工作。一旦底层时间出现偏移,上层只能被动补偿,系统整体可控性下降。基于卫星通信常态化运行的核心需求,SJK 晶科鑫针对性推出全系列晶振解决方案,覆盖从地面设备到终端模块的全链路应用,目前多个项目已进入落地验证阶段。

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安信可科技无线模组选型表

选型表  -  安信可科技 提供安信可科技无线模组选型,封装:DIP/SMD,尺寸:10.3mm*9.9mm*2.4(±0.2)mm-120.0mm*120.0mm*30.0mm,通信接口:UART/GPIO/ADC/PWM/I?C/SPI/Touch senser/PSRAM/SDIO/Duplex I²S/麦克风/扬声器,最大速率:2.5mW-100mW,参考距离:80m-5km,供电电压:1.9V-5.25V

产品型号
品类
封装
尺寸(mm)
通信接口
最大速率(mW)
参考距离(m/km)
供电电压(V)
空中速率(Kbps/Mbps)
天线形式
工作温度(℃)
NF-01-S
2.4G模组
DIP-8
28.6mm*15.3mm
SPI
5mW
240m
1.9V-3.6V
250Kbps-2Mbps
板载天线
-20℃~70℃
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macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围,导通电阻从13mΩ至560mΩ,支持最大电流8A至125A,产品封装形式多样,包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等,满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围,部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量(QG最低13nC),优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月,支持灵活起订量,助力客户快速量产。

产品型号
品类
PKG
VDS(V)
RDSON(mΩ)
RDSON(mΩ)
ID(A)
Vth (V)
CISS(pF)
COSS(pF)
CRSS(pF)
QG(nC)
Operating Junction Temperature(℃)
Qualification
产品状态
产品线交 leadtime
MPQ 最小包装)
SPQ(标准包装)
MOQ (最小订单)
HX1M040065D
SiC MOSFET
TO-247-3L
650
33
35
71
2.6
2200
196
12
105
-40℃~175℃
工业级
量产
3个月
600EA
3000EA
600EA
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三礼电子HPIM系列电感选型表

选型表  -  三礼电子 三礼电子提供以下HPIM系列超薄模压功率电感选型,覆盖0.47-10μH、±20%精度、DCR 15-260mΩ、Irms 1-7A、Isat 1.2-8.5A,-55~125℃宽温,封装0302/0402,高度1.3/2mm,超薄高饱和低损耗,适用于智能手机、模块电源、射频PA、SSD等空间受限DC-DC应用。

产品型号
品类
Inductance(uH)
DCR(mΩ) Typ
DCR(mΩ) Max
Irms(A) Typ
Irms(A) Max
Isat(A) Typ
Isat(A) Max
E(mm)
Operating Temperature(℃)
HPIM0302-R47M
电感
0.47±20%
15
18
7
6
8
7
1.3±0.2
-55~125
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时代速信射频芯片选型表

选型表  -  时代速信 提供时代速信低噪声放大器、功率放大器、射频芯片的选型,工作频率范围:30MHz-38GHz,P1dB:0.5dBm-27dBm,Pout:8W-1500W/40dBm-47dBm,增益:11.5dB-36.5dB,NF:1.1dB-5.5dB,Eff:0.25%-0.79%,Vcc:5V-50V,Id:16mA-560mA

产品型号
品类
Operational Frequency Range(MHz、GHz)
P1dB(dBm)
Gain(dB)
NF(dB)
Vcc(V)
Id(mA)
TC5985
低噪声放大器
5.9GHz-8.5GHz
15dBm
16dB
1.1dB
5V
16mA
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品类:9键触摸专用芯片

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

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嘀拍科技聚焦地平线 X3、X5 芯片核心能力,为客户提供从芯片选型、硬件定制、外设适配、底软开发到产品生产交付的全流程服务,输出满足客户需求的 X3、X5 定制模块

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品牌:SII

品类:石英晶振

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品牌:KDS

品类:晶振

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品类:芯片

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品牌:SII

品类:石英晶振

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品牌:ONSEMI

品类:逻辑门电路

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品牌:ST

品类:芯片

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