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si4438芯片初始化失败,有可能是SPI通信的问题,可以使用逻辑分析仪查看芯片初始化失败时的SPI波形看是否正常,也可以参考下如下注意事项。
【经验】无线射频芯片SI4438 C版本软件设计注意事项:https://www.sekorm.com/news/26235481.html
如果晶振频偏太严重也有可能影响到SI4438芯片的SPI通信,从而导致芯片初始化失败。而且晶振频偏太大也会导致无线频率偏差太大,导致无线通信出现问题。
如果si4463模块的频偏不大,建议把SI4438模块通过WDS软件修改crystal cap bank来校准频偏,如果SI4438模块没有校准频偏反而会影响到跟SI4463模块的通信距离。
【经验】如何测试无线收发器的发射功率和频偏?:https://www.sekorm.com/news/10732.html
- 创建于2021-12-05
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原来用的是SI4463-B1 的版本,现在换成了SI4463-C2版本,原来读芯片的RSSI值现在读不到了怎么回事?
2019-09-10 - 技术问答 两个版本的SI4463在drvier代码上有差别:只需替换掉B1版本中si446x_patch.h与radio_config.h这两个文件就可以了 。替换后需要加载功能见下面红色处理。 SI4463驱动替换步骤:一、我们从WDS生成的驱动代码中可以对比出SI4463 B1与SI4463 C2芯片版本之间的drvier代码有两大不同之处:1:si446x_patch.h2、radio_config.h除了这两个文件内容不一样外B1与C2版本其它driver程序都是一样的.从生成的C2版本radio_config.h文件中我们发现,相比B1版本的radio_config.h文件,C2版本的配置文件里面还包含了si446x_patch.h该补丁头文件另,在C2版本的radio_config.h配置表里面把si446x_patch_cms补丁命令全部加进去了。所以要想把B1版本的驱动代码变为C2版本只需替换掉B1版本中si446x_patch.h与radio_config.h这两个文件就可以了。二、如何利用WDS3生成B1或C2的driver文件 ,这个配置按照之前的操作就可以。三, RSSI读取的方法不变。
无线收发芯片Si4438和无线收发芯片Si4463是否是Pin-Pin兼容的?是否可以用现有的Si4438的板子直接替换成Si4463的芯片?
2016-10-25 - 技术问答 Si4438和Si4463是Pin-Pin兼容的,但是如果想要用现有的Si4438的板子直接换上Si4463的芯片,需要首先确认该板子的无线射频电路是按照那个频段设计的。如果现有的板子无线电路是按照470MHz设计的,而想要用4463开发900MHz的无线收发模块,那就不能直接替换芯片,因为900MHz的射频外围电路跟470MHz的外围电路完全不一样。若确认不更换无线频率范围,则可以替换。
使用Si4463芯片做了无线收发模块,请问Si4463芯片调用了Si446x_change_state()函数之后,要怎么判断Si4463的状态有切换成功呢?
2020-10-12 - 技术问答 可以在Si446x_change_state()函数的前面和后面各调用一次si446x_request_device_state()函数,然后通过打印两次Si446xCmd.REQUEST_DEVICE_STATE.CURR_STATE的值来判断Si4463的状态是否有执行成功。
亿佰特lora模块,做一主多从,如何避免通信冲突的问题
2020-10-14 - 技术问答 你好,一主多从通信,就是在同一个系统中通信,那么主机和从机的频段是在同一个频段中通信,这里的通信冲突可以理解为多个从机发给主机的信息,可以通过应用层在从机端分时发送,但是在实际中一般也很难会有两个从机信号在完全一样的时间上发上来,总是有先后的。
我们使用Si4463芯片,由于天线环境和空间不是特别好,导致现在通信有点问题,我们是否能使用天线分集做双天线来提高接收性能呢?
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ROGERS(罗杰斯)覆铜板/高频板选型表
选型表 - ROGERS ROGERS(罗杰斯)提供以下技术参数的覆铜板&高频板选型,超低损耗,低至0.0004(Df) ;超大尺寸:54inchX24inch、52inchX40inch、50.1inchX110inch 等;丰富介电常数:2 -12.85 (Dk);超薄介质,低至1mil,满足射频、微波、天线、功率放大器等多场景需求。
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产品型号
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品类
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产品系列
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介电常数(Dk)
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正切角损耗(Df)
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介质厚度(mm)
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介质厚度(mil)
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导热系数W/(m·K)
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铜箔类型
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铜箔1
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铜箔2
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尺寸(inch)
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3003 24X18 H1/H1 R4 0200+-001/DI
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覆铜板
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3003
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3
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0.001
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0.508mm
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20mil
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0.5
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电解铜
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H1
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H1
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24X18
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思瑞浦(3PEAK)数据转换器选型表
选型表 - 思瑞浦 高精度DAC/ADC:4~24Bit DAC,DNL小于正负1 LSB,兼容标准的SPI、QSPI、MICROWIRE总线方式。数字式电流/功率监测器:12/16bit,在整个工作温度范围内保证无失码。多通道可配置模数/数模转换器:集成4/8/12通道12bit ADC的可灵活配置的数模/模数转换芯片。
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产品型号
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品类
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Status
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Rating
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Package
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Resolution (Bits)
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VDD(V)
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Channel
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Throughput Rate(Msps)
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INL
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Offset Error(LSB, Max)
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Gain Error(LSB)
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IDD(mA)
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TPAFE5160SI08-QP7R
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高精度ADC
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Production
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Industrial
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LQFP10X10-64
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16
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12
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8
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0.35
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±2(LSB,Max)
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±15
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±15
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52
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士模 SAR ADC选型表
选型表 - 士模 士模提供高精度、多通道、工业级SAR ADC系列选型。该系列芯片具备16位分辨率,最高采样率达1MSPS,信噪比(SNR)达97.3dB。其输入信号范围覆盖±25V、±10V、0-5V及外部参考电压范围,可适配多种工业现场信号标准。接口支持SPI及并口模式,工作温度覆盖-40℃至125℃全工业温度范围,并提供QFN、MSOP、LQFP等多种封装,为工业自动化、电力监测、高端仪器与通信设备中的精密信号采集提供高可靠、高性价比的解决方案。
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产品型号
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品类
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描述
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SNR
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INL
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分辨率
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最大采
样速率
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工作温度
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CM2248-QFPTR
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SAR ADC
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信号输入范围:±10V,通道数:8,
单端/差分:SE,接口:SPI/Paralle,封装:LQFP64
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92dB
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1LSB
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16bit
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200k
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-40~125°C
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兆讯同轴器件、射频元器件选型表
选型表 - 兆讯 兆讯掌握射频无源芯片和SIP芯片的核心工艺与设计技术。拥有业界专业的模型算法,工艺开发,封装测试等方面的专家团队,能批量提供包括基于IPD,LTCC,MEMS,陶瓷混压板材等工艺设计开发的滤波器、功分器、耦合器、3dB电桥、巴伦、双工器、多工器、滤波器组件、射频模块等产品,频率覆盖10M~100GHz。产品尺寸小、集成度高,广泛应用于无线通讯、导航、雷达、无人机等领域。
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产品型号
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品类
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频率(Ghz)
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频率(Mhz)
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功率(W)
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回波损耗(dB)
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插损(DB)
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幅度平衡度(Degree)
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相位平衡度(Degree)
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隔离度(dB)
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偶合值(dB)
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线性度(dB)
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驻波比(:1)
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效率(%)
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峰值增益(dB)
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极化方式
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阻抗(Ω)
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衰减值(dB)
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衰减精度(dB)
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电流(mA)
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噪声系数(dB)
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输入回波损耗(dB)
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输出回波损耗(dB)
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反向电压(V)
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反向电流(mA)
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动态范围(dB)
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MQCN-1216
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电桥
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1.10-1.92
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-
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10
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20
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0.9
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±1.0
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90±4.0
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19
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-
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-
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-
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-
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-
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-
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-
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-
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-
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-
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GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
选型表 - GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.
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产品型号
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品类
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Package
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Type
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ESD
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Vds (V)
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Vgs(V)
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Ids(A)
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Pd(W)
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Vgs(th) max (V)
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Qg(nC)
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Qgs(nC)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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Crss (pF)
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Technology
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G06P01E
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Trench Mosfet
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SOT-23
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P
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ESD
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-12
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±10
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-4
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1.8
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-1
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14
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2.3
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3.6
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1087
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253
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TRENCH
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从地面设备到通信模块:晶振助力卫星通信系统时间基准的工程化落地
2026-01-09 - 应用方案 飞控、射频、基带、处理与接口模块都依赖统一节奏协同工作。一旦底层时间出现偏移,上层只能被动补偿,系统整体可控性下降。基于卫星通信常态化运行的核心需求,SJK 晶科鑫针对性推出全系列晶振解决方案,覆盖从地面设备到终端模块的全链路应用,目前多个项目已进入落地验证阶段。
安信可科技无线模组选型表
选型表 - 安信可科技 提供安信可科技无线模组选型,封装:DIP/SMD,尺寸:10.3mm*9.9mm*2.4(±0.2)mm-120.0mm*120.0mm*30.0mm,通信接口:UART/GPIO/ADC/PWM/I?C/SPI/Touch senser/PSRAM/SDIO/Duplex I²S/麦克风/扬声器,最大速率:2.5mW-100mW,参考距离:80m-5km,供电电压:1.9V-5.25V
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产品型号
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品类
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封装
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尺寸(mm)
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通信接口
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最大速率(mW)
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参考距离(m/km)
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供电电压(V)
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空中速率(Kbps/Mbps)
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天线形式
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工作温度(℃)
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NF-01-S
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2.4G模组
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DIP-8
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28.6mm*15.3mm
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SPI
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5mW
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240m
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1.9V-3.6V
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250Kbps-2Mbps
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板载天线
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-20℃~70℃
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macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表
选型表 - macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围,导通电阻从13mΩ至560mΩ,支持最大电流8A至125A,产品封装形式多样,包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等,满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围,部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量(QG最低13nC),优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月,支持灵活起订量,助力客户快速量产。
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产品型号
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品类
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PKG
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VDS(V)
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RDSON(mΩ)
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RDSON(mΩ)
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ID(A)
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Vth (V)
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CISS(pF)
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COSS(pF)
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CRSS(pF)
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QG(nC)
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Operating Junction Temperature(℃)
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Qualification
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产品状态
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产品线交 leadtime
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MPQ 最小包装)
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SPQ(标准包装)
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MOQ (最小订单)
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HX1M040065D
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SiC MOSFET
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TO-247-3L
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650
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33
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35
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71
|
2.6
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2200
|
196
|
12
|
105
|
-40℃~175℃
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工业级
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量产
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3个月
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600EA
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3000EA
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600EA
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三礼电子HPIM系列电感选型表
选型表 - 三礼电子 三礼电子提供以下HPIM系列超薄模压功率电感选型,覆盖0.47-10μH、±20%精度、DCR 15-260mΩ、Irms 1-7A、Isat 1.2-8.5A,-55~125℃宽温,封装0302/0402,高度1.3/2mm,超薄高饱和低损耗,适用于智能手机、模块电源、射频PA、SSD等空间受限DC-DC应用。
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产品型号
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品类
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Inductance(uH)
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DCR(mΩ) Typ
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DCR(mΩ) Max
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Irms(A) Typ
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Irms(A) Max
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Isat(A) Typ
|
Isat(A) Max
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E(mm)
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Operating Temperature(℃)
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HPIM0302-R47M
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电感
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0.47±20%
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15
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18
|
7
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6
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8
|
7
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1.3±0.2
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-55~125
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时代速信射频芯片选型表
选型表 - 时代速信 提供时代速信低噪声放大器、功率放大器、射频芯片的选型,工作频率范围:30MHz-38GHz,P1dB:0.5dBm-27dBm,Pout:8W-1500W/40dBm-47dBm,增益:11.5dB-36.5dB,NF:1.1dB-5.5dB,Eff:0.25%-0.79%,Vcc:5V-50V,Id:16mA-560mA
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产品型号
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品类
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Operational Frequency Range(MHz、GHz)
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P1dB(dBm)
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Gain(dB)
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NF(dB)
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Vcc(V)
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Id(mA)
|
|
TC5985
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低噪声放大器
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5.9GHz-8.5GHz
|
15dBm
|
16dB
|
1.1dB
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5V
|
16mA
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电子商城
服务市场
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址:深圳/苏州 提交需求>
嘀拍科技聚焦地平线 X3、X5 芯片核心能力,为客户提供从芯片选型、硬件定制、外设适配、底软开发到产品生产交付的全流程服务,输出满足客户需求的 X3、X5 定制模块。
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现货市场
