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推荐数明SLM341CK-DG，The SLM34x isolated driver family is an opto compatible,single channel,isolated MOSFET,IGBT gate driver with different drive current capability and UVLO voltage level，见链接：https://www.sekorm.com/product/612773.html
储能变流器项目上寻一款陶瓷电容，可替代CL32X107MQVNNNE（SAMSUNG），求推荐。
推荐叁叶源陶瓷电容C1210X6S107M6R3NT，1210封装，标称电容量100μF±20%，额定电压6.3V，温度特性X6S，可满足参数兼容替代。
储能变流器项目上寻一款共模电感，可替代ACM2520-301-2P，TDK，求推荐。
推荐顺络共模电感SDCW2520S-2-301TF替代，共模阻抗300Ω±25%，最大直流电阻0.25Ω，最大温升电流400mA，额定工作电压50VDC，规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/2245550.html
储能变流器项目上寻一款稳压管，3.9V，0.5W，SOD-123，求推荐。
推荐扬杰科技稳压二极管BZT52C3V9，SOD-123封装，典型稳压值VZnom 3.9V，稳压范围VZmin 3.71V~VZmax 4.1V，损耗功率500mW，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2135484.html。
储能变流器项目上寻一款采样电阻，5930，0.5mΩ，10W，±1%，求推荐。
推荐ISABELLENHUETTE合金采样电阻BVE-A-R0005-1.0，5930封装，阻值0.5mΩ，精度±1%，功率P70℃条件下10W，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2262055.html。
【选型】国产线性光耦O成功替代东芝TLP521-1用于储能项目反激开关电源电路，隔离电压达5000Vrms
某客户储能项目的反激开关电源电路中需要用到东芝TLP521-1 的线性光耦，由于该料缺料严重，交期较长且价格较贵，现需要国产化PIN TO PIN替代，本文重点介绍国产厂牌奥伦德线性光耦ORPC-817SC。
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高速光耦在通信行业的应用 | 10Mbps通信光耦的特性
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【选型】国产光耦OR-3H7可对标替代TLP293、LTV-217和EL3H7，工作温度可至125℃
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带来全球首创的四通道高速光耦，国内光耦和光传感产品专家群芯微签约世强
群芯微是国内首家专注于光耦和光传感产品及集成电路应用方案的提供商，光耦及传感器月产能已达9亿只。群芯微全球首创的四通道高速光耦，传输速率高达10mbit/s，传输效率大幅提升，CMR为10kV/μs，提高了瞬变免疫性噪声抑制、EMI，并且消除了接地环路，双工作电压达480V。
奥特高速光耦AT6N137传输速率高达10MBit/s，可用于高压控制，取代变压器、触点继电器
奥特高速光耦AT6N137传输速率高达10MBit/s，支持-40 ~ 100℃宽温度范围，可用于高压控制，因其高速传输、电隔离、抗干扰等特性，在电子设备中得到了广泛应用，可取代变压器、触点继电器。
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在直流充电桩中，在CP桩端确认信号需要有过零保护的功能，本文推荐采用奥伦德推出的光耦ORPC-817SC-TP-F-G助力该设计，隔离电压到5000V，工作温度-55 to+110℃，UL，CQC，CE，StateGrid，多重认证，满足出口需求。
【产品】奥伦德高速光耦OR-6N137在A/D、D/A转换数字信号隔离等应用中的优势讲解
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【IC】晶台新推1MBit/s高速光耦KLM45X产品系列，采用标准5引脚SOP封装，工作温度-40至85℃
晶台KLM452和KLM453器件均由一个红外发射二极管与一个高速光电检测晶体管组成，两者之间光学耦合。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可以通过减少输入晶体管的基极-集电极电容来使速度比传统的光电晶体管耦合器提高几个数量级。它们采用行业内标准的5引脚SOP封装，适合表面帖装。
【经验】高速光耦的原理特性及应用介绍
人们所说的高速光耦通常是指光电耦合器。它是一种以光作为传输信号的进行点光电的转化的器件，它属于光电转化原件。本文奥伦德为大家介绍高速光耦的基本原理及其特性应用，希望给各位工程师们带来帮助。
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