一个新项目准备用爱仕特的碳化硅mos管，1200v，11毫欧内阻的，想实现低压断路器的开断，我们准备

一个新项目准备用爱仕特的碳化硅mos管，1200v，11毫欧内阻的，想实现低压断路器的开断，我们准备用碳化硅mos管+硅mos管做同源同栅结构，这种方案最大的分断能力能达到多少，这个方案可靠吗
创建于2022-04-05

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用户_0324 (1)

意思是mos并联吗，一般推荐用同型号的甚至同批次的MOS。不一致可能会导致关管瞬间的误导通。

创建于2022-04-06

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你好，国产的碳化硅MOSFET,现在有40毫欧的吗？我目前有个电驱项目想试试。

可以评估基本半导体的B1M032120HC，详情：https://www.sekorm.com/doc/2133909.html

2021-02-02 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

碳化硅mos管的ds关断尖峰非常大，是怎么回事？

可能是以下原因造成的：1、 MOS的关断速度太快，导致漏极dv/dt过高。2、布线没布好，导致分布参数过大。3、吸收电容过小。

2017-12-21 - 技术问答

碳化硅mos有没有600v电压等级的。

推荐罗姆的碳化硅MOS SCT3080AL，650V/30A，导通电阻80毫欧，详细资料请参考https://www.sekorm.com/doc/745823.html。

2018-12-20 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

有100V,几十安培的碳化硅mos管吗

氮化硅MOSFET的电压规格一般是高压600V以上，100V且几十安培的推荐采用新电元的P50F10SN，100V/50A，6.9mΩ的MOSFET，资料链接： Shindengen（新电元） P50F10SN 功率MOSFET数据手册或者推荐EPC的氮化镓增强型场效应晶体管EPC2022，规格是100V/90A，3.2mΩ，资料链接： EPC（宜普）EPC2022增强型功率晶体管数据手册

2018-09-20 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

碳化硅MOS管的开启电压很低，正常工作的推荐启动电压是多少伏？规格书里的开启电压是2.0V，为什么建议的驱动电压是+20V？9V够吗？

碳化硅MOS需要较高的驱动电压，保证沟道的完全导通。不建议使用9V来驱动MOS

2018-06-13 - 技术问答

爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，可为客户提供整套应用解决方案。

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【应用】国产SiC MOS ASC100N1700MT4用于直流充电桩，满足母线电压1000V需求

随着如今电网升级，不少充电桩的母线电压都由800V提升到1000V，本文将为此情况介绍一款国产品牌爱仕特的N沟道SiC MOS：ASC100N1700MT4，提供了优异的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。

2023-03-08 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

N沟道SIC功率MOSFET 1200V 45毫欧 62A TO-247有吗？40A 1200V N沟道的MOS管也可以，频率在60KHZ，价格在10-20区间的

推荐爱仕特 SICMOS ASC60N1200MT3 https://www.sekorm.com/doc/527556169.html 。MOSFET没有合适推荐。

2025-03-07 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

爱仕特 - SIC MODULES,半导体碳化硅芯片,碳化硅MOS器件,SIC MOS模块,单芯片,SIC功率模块,SIC MOS芯片,六英寸SIC MOS芯片,SIC模块,SIC CHIPS,碳化硅芯片,ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200,电机控制器,变频器,适配器,充电机,舰船,地铁,电磁炉,混合动力汽车,电焊机,家电电器,医疗电源,电厂除尘设备,变频空调,坦克,变频洗衣机,动车,雷达,牵引变流器,智能电网,风电换流器,轻型直流输电,辅助电源,有源滤波器,太阳逆变器,车载充电机,电磁炮,消费电子,车载电源,节能环保,电动汽车,PFC电源,核磁共振仪,微波炉,计算机断层扫描,医疗设备,新能源发电,电池储能电站,充电桩,潜艇,充电器,激光炮,鱼雷,新能源汽车,CT,感应加热,电子计算机断层扫描仪,国防军工,轨道交通,无功补偿器

2021/11/26 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12，封装一次铸造成型，为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。

2023-06-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

2024-09-11 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

LG旗下公司Silicon Works宣布扩大半导体业务，碳化硅正在成为汽车领域冉冉升起的新星

LG集团旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布扩大其半导体业务，重点押注碳化硅PMIC以及MCU，此次大动作转向碳化硅芯片领域，不仅透露了其对从LG集团分拆后的发展规划，更是从侧面印证了碳化硅正在成为汽车领域冉冉升起的新星。

2021-11-04 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

【元件】爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET，导通电阻低至58mΩ

近日，爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求，爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。

2024-06-21 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

2024-08-29 - 产品代理服务技术支持采购服务