• 替换h桥外部N+P mos,hsm3903,VDSS=30V,ID=7.0A

  • 创建于2022-08-24

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网安项目中需要寻找N+P MOS,要求VDSS=30 -30V,ID=40 -40A,最好是DFN封装。

您好,推荐扬杰科技的YJG40NP03A https://www.sekorm.com/doc/2229572.html

2022-04-22 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

在液体流量传感器上,需要一款30V 1A以上的N+P mos做替代N管和P管的分离方案,请问是否有推荐?

推荐扬杰科技N+P MOS YJJ3724A替代,采用SOT-23-6L封装,漏源电压VDSS为30V/-30V,漏电流ID为3.6A/-3.0A,最大导通电阻33mΩ/75mΩ,工作温度范围-55~+150℃技术,技术规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/3262587.html

2023-02-20 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

Randiant项目上寻一款复合N+P MOS,可替代NTGD4167CT1G,求推荐。

推荐扬杰科技N+P MOS YJJ3724A替代,采用SOT-23-6L封装,漏源电压VDSS为30V/-30V,漏电流ID为3.6A/-3.0A,最大导通电阻33mΩ/75mΩ,工作温度范围-55~+150℃。

2022-05-27 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

需求一款N+P MOS,VDSS=20-20V,ID=5.6-3.7A,SOT23-6L,请问有合适的型号推荐吗?

你好,推荐扬杰科技的N+P MOS,YJS2308A,数据手册链接:https://www.sekorm.com/doc/2232659.html

2022-12-20 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

光猫项目中,需要一款MOS,要求漏源电压100V、栅源电压±20V、漏极电流2A左右,低导通电阻,封装为小封装,是否有推荐?

你好,扬杰的YJL02N10A可以满足需求,其漏源电压100V、栅源电压±20V、漏极电流2A,导通电阻VGS=10V是小于280mΩ,封装为SOT-23。详细参数参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1373611.html

2022-12-08 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

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2021-12-20  - 数据手册  - V1.1 代理服务 技术支持 采购服务

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目前在做一个新能源汽车水阀执行器项目,需要一款有刷电机驱动芯片,内部集成H桥MOS,驱动电流1.5A左右,世强有无合适推荐?

您好,根据您的需求推荐国产纳芯微的NSD7312A-Q1HSPR,驱动电流1.5A,尖峰电流高达3.6A,具有供电欠压保护,过流保护,过温保护等多种保护功能,相关资料链接:https://www.sekorm.com/news/27463563.html(详细数据手册请联系世强工程师)

2023-03-29 -  技术问答

电机用MOS管搭建的H桥电路,MOS管目前用的是英飞凌的IPD060N03LG,请推荐可替代的国产型号。

推荐强茂的MOS管PJD80N03 (N-MOS,30V,6毫欧),数据手册见链接:https://www.sekorm.com/doc/1605361.html

2020-07-29 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

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2021/07/30  - 数据手册  - Rev.O 代理服务 技术支持 采购服务

替换UTT25P10 ,P mos , 100V 15A的 PMOS,封装是T0-252 结电容和内阻小

您好,推荐扬杰YJD28GP10A,数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2506972.html

2022-10-12 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务
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