pin-pin替代恩智浦的NX1029X，推荐一款国产型号

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创建于2022-09-28

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用户_2988 (0)

您好，推荐国产长晶的cj7252kdw，这款N沟道+p沟道mosfet采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化RDS（ON），具备低阈值，高速开关速度，可P2P替代nx1029x，以下是数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/3612545.html

创建于2022-09-28

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请问有无恩智浦SA56004ED的Pin to Pin替代吗？需要国产的

给您推荐纳芯微的NST1412，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3307872.html

2022-11-30 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

在汽车的整车控制器VCU上，需求一款MCU来替换恩智浦品牌，世强推荐什么型号？

推荐使用 RENESAS品牌32位汽车级 MCU R7F701322，主频160MHz，支持 ISO26262 功能安全标准，满足 ASIL D 认证等级，满足汽车VCU产品的应用。

2019-06-10 - 技术问答

现在RTC用恩智浦的PCF8563T，找国产替换，要求PTP

推荐大普的INS58563，可ptp替换，具体参数参考数据手册：https://www.sekorm.com/product/506321880.html

2023-04-10 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

请问恩智浦的音频驱动芯片TDA8551停产了，有完全可以替代的型号嘛？

您好、我也需要用到TDA8551、请问代替的。你有找到吗？

2020-01-02 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

你好，请问恩智浦的TJA1057GT/3有国产替换的吗？恩智浦的交期不是很好

你好，可以看一下芯力特的SIT1057QT/3，数据手册如下：https://www.sekorm.com/doc/3532736.html

2023-05-08 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【经验】利用BAV99W高速开关二极管实现液晶屏的TFT电压驱动

随着液晶屏面板和国产化，各种液晶屏的价格也大幅下降，工程师们在设计电子产品人机交互也开始大幅采用液晶屏示屏。而在对液晶屏驱动电路设计的过程中，可能有些工程师不太了解液晶屏手册上出现的几个关键电压的作用，下面主要介绍利用Diotec公司的BAV99W高速开关二极管来产生VGH、VGL电压的电路。

2019-12-26 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】N沟道MOSFET和P沟道MOSFET在防反接电路该如何进行设计

在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管做防反接电路，会因较高的正向压降产生较高的能耗，此时一般采用内阻较低的MOS管来替代二极管做防反接电路。然而在实际应用中，是选NMOS还是PMOS来设计防反接电路是比较棘手的问题，本文将讨论一下NMOS和PMOS在防反接电路该如何进行设计以及两者间的区别，并推荐Diotec的NMOS产品DIT150N03。

2020-02-11 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

长晶科技MOS选型表

长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）

RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）

选型表 - 长晶科技代理服务技术支持采购服务立即选型

长晶科技Trench MOS选型表

长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等

产品型号	品类	Type	Process	ESD（Yes/No）	VDS（V）	ID（A）	RDS(mΩ)@VGS10V Max	RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
2N7000_TO-92	Trench MOS	Single-N	Trench	No	60V	0.2A	5000mΩ	6000mΩ

选型表 - 长晶科技代理服务技术支持采购服务立即选型

-30V/-10A的P沟道MOS管SL4435A，具有低RDS(on)和高速开关的特点

萨科微slkor产品低压MOS管SL4435A，作为一款P沟道MOS管，漏源电压为-30V，连续漏极电流为-10A，导通电阻为15mΩ。SL4435A采用沟槽功率低压MOSFET技术，结合高密度单元设计，实现了低RDS(on)和高速开关的特点。

2024-05-24 - 产品代理服务技术支持采购服务

TBAS516高速开关二极管

该资料介绍了TBAS516高速开关二极管的产品特性、应用领域、机械数据、热特性、电气特性、额定值和特性曲线等详细信息。该二极管适用于高速开关电路，具有高开关速度、连续反向电压和重复峰值反向电压等特点。

银河微电子 - 高速开关二极管,HIGH SPEED SWITCHING DIODE,TBAS516,高速切换,HIGH-SPEED SWITCHING

June 2023 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

1S1588高速开关二极管

本资料介绍了1S1588高速开关二极管的产品特性、机械数据、最大额定值和热特性、电学特性。该器件具有高切换速度（最大4纳秒）、连续反向电压最高30伏、重复峰值反向电压最高35伏等特点。

灿阳科技 - HIGH SPEED SWITCHING DIODE,高速开关二极管,1S1588

March 25, 2005 - 数据手册 - Rev. 02 代理服务技术支持采购服务

强茂提供有效降低RDS(ON)的车用P沟道MOSFET，可承受接面温度高达175℃，简化车用电路设计

选择PANJIT最新的P沟道MOSFET有效简化您的车用设计电路并提升性能。强茂车用P沟道MOSFET设计有效降低RDS(ON)，以利最小化传导损失，确保最佳功率和效率，同时最大化雪崩耐受能力和空间利用率。

2023-07-24 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

BRCS5P06MAQ P沟道MOSFET数据手册

本数据手册详细介绍了BRCS5P06MAQ型SOT-23封装P沟道MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低导通电压等特点，适用于PWM应用和负载开关，满足汽车应用的高可靠性要求。

蓝箭电子 - P沟道MOSFET,P - CHANNEL MOSFET,BRCS5P06MAQ,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,PWM应用,PWM APPLICATION,汽车应用,LOAD SWITCH,负载开关

May.-2023 - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持采购服务

【产品】60V/200mA双路硅开关二极管BAS56，反向恢复时间6ns、适于高速开关应用

CENTRAL设计的BAS56由两个电气隔离的超高速硅开关二极管组成，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装型环氧树脂SOT-143封装。该器件专为高速开关应用而设计。该二极管最大功耗仅为350mW，在电路设计中可以减小系统负担，提高系统的安全性。工作和存储结温范围均为-65℃至150℃，符合军工级产品温度要求。

2018-10-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务