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一个电源充电项目,需求一款GaN MOS,要求Vds 100V,Vgs -4—+6V,Id 48A,请问有合适的型号推荐吗?
你好,推荐EPC的GaN MOS,EPC2032,数据手册链接:https://www.sekorm.com/doc/2213431.html
AC-DC 65W快充充电器上需要一颗GaN MOS管,用于高压AC-DC转换,要求漏源电压650V,导通电阻小于200mΩ,漏源电流10A左右,贴片封装,有合适的型号推荐吗?
您好,推荐聚能创芯CGL65R190B,漏源电压650V,导通电阻170mΩ,漏源电流最大可达13A,PQFN8×8封装,工作温度范围可达-55到150°C,数据手册https://www.sekorm.com/doc/2924887.html。请参考,谢谢!
电源上需要一颗MOS管作为开关管,要求Vds 500V,Id 26A,有合适的推荐吗?
根据您的需求,给您推荐力特的IXFH26N50P3,ds 500V,Id 26A 具体参数可参考: https://www.sekorm.com/doc/1674772.html
300W DC电源,需要一颗N通道增强型MOS管作为开关管,要求Vds 500V,Id 26A,TO-247封装,有合适的型号推荐吗?
您好,推荐力特IXFH26N50P3这颗N通道增强型MOS管,Vds=500V,Id=26A,TO-247封装,数据手册https://www.sekorm.com/doc/2797272.html,请参考,谢谢!
一个路由器项目中需要选用到一颗N沟道MOS管,要求漏源电压最大100V,漏极电流可以支持40A,采用DFN3.3X3.3的封装,请问有没有合适的推荐?
你好,推荐一颗扬杰科技的YJQ40G10A,请参考规格书:https://www.sekorm.com/doc/2207357.html
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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屹晶微电子 - 高性价比三相PMOS、NMOS管栅极驱动专用芯片,芯片,三相P/N MOS管驱动芯片,EG3033,电源,筋膜枪,风扇,变频水泵控制器,吸尘器,电机驱动器
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EG2104 带SD功能MOS管驱动芯片 数据手册
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屹晶微电子 - MOS管驱动芯片,MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,EG2104,无刷电机驱动器,高压CLASS-D类功放,无线充电驱动器变频水泵控制器,DC-DC电源,移动电源高压快充开关电源
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品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
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