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户外电源项目，逆变部分需要使用两颗隔离型半桥驱动用于驱动IGBT，要求隔离耐压等级3750KVrms以上，目前供电电压设计已经初步确定为15V左右，请问有什么合适的推荐？
你好，隔离型半桥驱动器，可以评估数明半导体的SLMI8233BDCG-DG；此方案隔离耐压值高达5000Vrms，VCC供电电压范围为3V-18V，最小高达100kV/us的瞬态共模抗扰度能有效抑制共模干扰；详细规格书链接如下：https://www.sekorm.com/doc/3048453.html。
叉车电源项目，目前在项目预研过程中需要找一款耐压较高的半桥驱动器，高边耐压值300V以上，输出驱动电压初步设计15V，国产品牌优先，是否有合适的方案推荐？
你好，可以评估一下数明半导体的SLM2104SCA-13GTR，此方案为耐压高达600V的半桥非隔离驱动器，门极驱动电压范围10V-20V,同时死区时间典型值520ns，请问有什么合适的推荐？
叉车电源项目中，有在找一款600V左右的半桥驱动芯片，输出电流1A-1.5A左右，驱动电压10V-20V；请问有什么合适的方案推荐？
你好，可以评估一下屹晶微的EG2104S，此方案为非隔离半桥驱动器，高边耐压值达600V，驱动电流1.5A左右，驱动电压10V-20V；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/product/751977.html。
无人机电调项目中，电调中的IGBT驱动初步设计采用三个非隔离型半桥驱动的方案，要求半桥高边耐压值600V左右，且要求高边带自举设计，前级控制电压支持5V设计，驱动输出电流最少2A；请问是否有合适的方案推荐？
你好，可以评估一下屹晶微的EG3116D，此方案为600V半桥驱动器，且高边带自举电压设计，驱动输出电流高达2.5A，输入控制电压支持3.3V以及5V；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/2471227.html。
电池化成项目中，单块电池充放电电路将采用同步BUCK电路，其中会用到非隔离型半桥驱动器，要求半桥耐压值大于100V，且高边带自举二极管，高边低边独立控制；是否有合适的方案推荐？
你好，可以评估一下数明半导体的SLM27211EL-7G，此方案为耐压高达120V的半桥驱动器，高边带自举二极管，同时高低边独立控制，以实现最大的控制灵活性；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/3304279.html。
【应用】屹晶微MOS驱动芯片EG2132用于户外电源，静态功耗低至100μA，宽电源电压宽8～20V
户外电源衍生出光伏补能的户外电源，可以在户外也能实现给电源补能的产品。其中户外电源逆变部分屹晶微MOS驱动芯片EG2132最大静态电流低至100μA，满足低功耗需求设计，具有闭锁功能防止输出功率管直通，烧毁功率管。
【产品】应用在半桥拓扑中的高性能控器EG1397，集成650V半桥驱动，工作频率高达500kHz
EG1397是一款应用在半桥拓扑中的高性能控器，集成650V半桥驱动器，较少的外围器件，可以简化布图。EG1397采用独特的架构，包括最高500kHz压控振荡器，具有灵活性的控制模式，可实现可靠稳定的谐振模式电源。
SLM2184S 600V半桥驱动器
SLM2184S是一款高压、高速的MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高边和低边参考输出通道。该产品采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动交叉导通而设计。浮空通道可用于驱动高边配置中的N沟道MOSFET或IGBT，最高可达600V。
数明半导体 - 半桥驱动器,HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED POWER MOSFET AND IGBT DRIVERS,HALF-BRIDGE DRIVER,高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,SLM2184S,SLM2184SCA-13GTR
屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片：悬浮电源60~600V，低端电源 2.8~36V，不同的输入逻辑，有1/2/4/6四种通道，死区0~1300ns等参数。
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产品型号
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品类
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悬浮电源 V
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低端电源 V
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输入逻辑
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输出电流 A
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低端电源欠压保护(V)
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高端电源欠压保护(V)
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闭锁保护
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使能
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开延时（Ton）LO/HO
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关延时（Toff）LO/HO
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上升时间（Tr）LO/HO
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下降时间（Tf）LO/HO
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死区（nS)
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通道
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封装
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替代、兼容型号
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特点
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EG1160
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单相半桥驱动芯片
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600
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10-20
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HIN, LIN
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2.0/2.5
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8.5/7.9
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8.2/7.5
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有
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有
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280/300
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150/170
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120/120
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80/100
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160
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2
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SOP16
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-
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带运放+比较器+LDO+SD
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EG2124A 芯片数据手册：三相独立半桥驱动芯片
EG2124A是一款高性能的三相独立半桥驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动。它具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达260V，集成三路独立半桥驱动，支持5V、3.3V输入电压，最高频率达500kHz。该芯片还包含欠压保护和内建死区控制电路，提供TSSOP20和QFN24两种封装形式。
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EG2234 三相独立半桥驱动芯片数据手册
EG2234是一款由浙江屹晶微电子股份有限公司生产的三相独立半桥驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动。该芯片具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达200V，集成三路独立半桥驱动，支持5V至3.3V输入电压，最高工作频率达500kHz。它提供丰富的保护功能，包括欠压保护和内建死区控制电路，并具有闭锁功能以避免上、下管同时导通。
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【应用】国产半桥驱动芯片EG2103助力PCR仪的TEC驱动设计，具有较宽的供电电压范围0.3~20V
在用于新冠检测的PCR仪中，会用到TEC来进行被测样品的温度控制，而控制TEC发热或者制冷，则需要用到两个半桥驱动或一个全桥驱动IC，国内一客户在选择TEC驱动IC，最终选择了屹晶微电子的半桥驱动芯片EG2103。
【产品】两路半桥驱动电路芯片EG2126，采用高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V
屹晶微电子的EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。
EG2136S 三相半桥驱动芯片数据手册
EG2136S芯片数据手册详细介绍了屹晶微电子有限公司生产的三相半桥驱动芯片EG2136S的技术规格和应用信息。该芯片适用于高压、高速功率器件，如N型功率MOSFET和IGBT，具备悬浮自举电源设计、多种保护功能和良好的电气特性。
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【产品】内置电荷泵的MS39233低压三个半桥驱动器，最高峰值电流2.8A，功率电源供电范围2-12V
瑞盟科技MS39233是一款低压三个半桥驱动器。它可应用于低电压及电池供电的运动控制场合。并且内置了电荷泵来提供内部功率NMOS所需的栅驱动电压。最高2.8A峰值电流，其功率电源供电范围2-12V，模拟电源供电范围从2到6V。
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可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量：100000 提交需求>
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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