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5G小基站项目，推荐一款国产射频开关，要求低插损、高隔离度，工作电压满足3.3V或5V
推荐西南集成的X122型SPDT射频开关，一款低插入损耗、高耐受功率、反射式射频开关，采用SOI工艺设计制造，频率最高可达6GHz。芯片隔离度典型大于23dB，低插损：0.3dB @ 1.98 GHz，高P-0.1：42 dBm @ 1.98 GHz，宽工作电压：2.7 V ~ 5.5 V，兼容1.8V/1.2V控制电平。封装为2mm*2mm QFN12L。规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/3436254.html。
2.6GHz的小基站上需要一款单刀双掷射频开关，要求隔离度超过50dB，请推荐国产型号
推荐国产 成都通量的FW3101，规格书参考：https://www.sekorm.com/doc/3657343.html
一个新项目是做L频段卫星通信的，需要一款单刀四掷的射频开关对射频信号进行收发切换，要求高隔离度、低插损，工作频段满足3.5GHz，请问是否有合适的型号推荐？
你好，推荐通量科技推出的FW3103，它是一款单刀四掷射频开关，其工作频率范围100MHz~6000MHz，插损是1.0dB@2600MHz和1.2@5000MHz，隔离度是55dB@2600MHz和47@5000MHz，相关的数据链接如下：https://www.sekorm.com/doc/3710459.html
跳频电台项目，需要找全国产射频开关，工作频段400MHz~1Ghz，要求隔离度大于40dbm,能够承受1W左右的功率，单刀四掷或单刀五掷，有合适推荐吗？
推荐参考通量科技单刀四掷射频开关FW3103，工作频率100 MHz~6000 MHz， 采用4*4 QFN封装，工作频段内隔离度大于50dbm,具体参数请参考资料 https://www.sekorm.com/doc/3710460.html
你好，需要可以用于基站的射频开关，隔离度在3.5G时能到25dB，插损尽量小一些，请帮忙推荐一款型号，谢谢。
你好，推荐通量FW3104，工作频率范围100MHz~6000MHz，开关插损典型值0.6dB，隔离度27dB，https://www.sekorm.com/doc/3657345.html
【经验】芯科科技Si4463无线收发芯片硬件设计使用射频开关和不使用射频开关的区别介绍
Si4463是Silicon Labs推出的支持Sub-G频段的无线收发芯片，频率范围142-1050 MHz，最大发射功率为+20dBm，接收灵敏度为-126dBm。在设计Si4463硬件的时候，有使用射频开关和不使用射频开关两种方案可以选择，本文主要介绍这两种方案区别，方便用户选择适合自己产品的方案。
西南集成射频开关选型表
西南集成射频开关选型：工作电压 (V)：2.7-5.5，工作电流 (mA)：0.1-0.3，插损 (dB)：0.3-2，OP-1 (dBm)：29-46，OIP3 (dBm)：45-70.
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产品型号
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品类
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工作电压 (V)
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工作电流 (mA)
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最低工作频率 (MHz/GHz)
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最高工作频率 (Hz)
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插损 (dB)
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OP-1 (dBm)
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OIP3 (dBm)
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隔离度 (dB)
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封装形式
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XND230
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射频开关
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3~5.5
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0.2
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50MHz
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5G
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0.5
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33
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60
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50
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QFN20
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SGM72004B单刀四掷分集射频开关
该资料介绍了SGM72004B单刀四掷（SP4T）射频开关的特性及应用。该器件支持从0.1GHz到3GHz的频率范围，具有低插入损耗和高隔离度，适用于多模和多频段LTE手机的多天线接收应用。它集成了SP4T射频开关和GPIO控制器在一个SOI芯片上，无需外部直流阻断电容器。
SGMICRO - SP4T DIVERSITY RF SWITCH,单刀/四掷天线开关,SP4T天线开关,SINGLE-POLE/FOUR-THROW ANTENNA SWITCH,SP4T ANTENNA SWITCH,SP4T分集射频开关,SGM72004BGURB14G/TR,SGM72004B,MULTI-MODE LTE MOBILE PHONES,4G ANTENNA DIVERSITY,前置PA切换,2G天线分集,MULTI-BAND LTE MOBILE PHONES,RECEIVING BAND SWITCHING,接收波段切换,多频段LTE手机,3G天线分集,多模LTE手机,2G ANTENNA DIVERSITY,4G天线分集,3G ANTENNA DIVERSITY,PRE-PA SWITCHING
【产品】X122型高功率SPDT射频开关，低插入损耗且宽频带5MHz~6GHz
西南集成推出的X122型高功率SPDT射频开关是一款低插入损耗、反射式射频开关，内部集成了电源管理电路、开关驱动电路和逻辑控制电路等多个单元电路。该产品工作频率最高可达6GHz，具有低插入损耗、宽频带等特点。X122在2.7V~5.5V电源电压下，工作电流小于320μA。
【产品】0.4GHz~6GHz宽频带SPDT射频开关X127，插入损耗低至1.1dB
西南集成X127型SPDT射频开关是一款高隔离度、吸收式射频开关，内部集成了电源管理电路、开关驱动电路和逻辑控制电路等多个单元电路。该产品工作频率最高可达6GHz，具有宽频带、高隔离度等特点。X127在2.7V~5.5V电源电压下，工作电流小于500μA。
【应用】国产100MHz~6000MHz单刀双掷射频开关用于5G小基站，插损低至0.78dB，隔离度高
在5G小基站中，对信号的质量要求较高，在应用中推荐一款通量科技工作在100MHz~6000MHz的单刀双掷射频开关FW3101，可应用于通信设备的天线阵列切换，TDD系统切换，多通道场景切换。2GHz工作频率下，隔离度达到60dB，能很好的隔离信号的串扰。
【产品】SP5T射频开关XND42850CQL，在20MHz~700MHz内具有低插入损耗、高线性度和高耐受功率的特点
西南集成推出的XND42850CQL型SP5T射频开关是一款应用于收发系统中的高功率射频开关电路。内部集成了电源管理电路和逻辑控制电路，在20MHz~700MHz频带内具有低插入损耗、高线性度和高耐受功率的特点。
最近在做物料国产化，要选一个Sub-G的射频开关，要求小体积、低插损，请问有合适的推荐吗？
根据你的需求，给你推荐中科微单刀双掷射频开关ATR5179，插入损耗典型值0.3dB，6脚、SMT封装，可以满足你的要求。相关资料参考如下：https://www.sekorm.com/doc/2157313.html,《ATR5179 产品说明书》。
FW3103 10 MHz ~ 6000 MHz SP4T 射频开关
FW3103是一款工作频率范围为10MHz至6000MHz的SP4T射频开关，采用SOI工艺设计，具备高隔离度和高线性度性能。产品适用于无线基础设施、高线性度应用系统和移动通信等领域。
通量科技 - 吸收式单刀四掷射频开关,SP4T 射频开关,FW3103,GSM,高线性度应用系统,PCS,过程控制系统,基站,无线中继,无线通信系统,UMT,无线基础设施,移动通信,全球通
【产品】XND849MQF 100MHz~6GHz吸收式SPDT射频开关，可应用于收发系统中
XND849MQF型SPDT射频开关是一款应用于收发系统中的吸收式射频开关电路。内部集成了电源管理电路和逻辑控制电路，在0.05GHz ~6GHz频带内具有低插入损耗、高线性度和低功耗的特点。
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品牌：SILICON LABS
品类：Switch Hall Effect Magnetic Position Sensor
价格：￥2.2924
现货：126,000
服务
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳/苏州 提交需求>
可定制平板变压器、主变压器的开关频率2MHz以内、输入电压1400V以内、输出电压1400V以内，50%以上的产品采用自动化生产，最快3天提供样品、7天交货。
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授权代理品牌：集成电路
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