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世强你好,请帮忙推荐一款MOSFET ,能P2P替换Infineon 的 IRFP450PBF ,TO-247AC封装,谢谢!
您好,推荐捷捷微电的超级结功率MOSFET JMH65R190AS,TO-247AC封装,可P2P替换,详情请参考链接:https://www.sekorm.com/doc/3517976.html
场效应管,英飞凌IRFR3709Z,请问有国产能替代的吗?
推荐芯派SWD065R03VLT,可以兼容,参考链接https://www.sekorm.com/doc/3723787.html
世强你好,帮忙推荐英飞凌场效应管IRF9321TRPBF替换物料,多谢
您好,可以看看锐骏RU30L15H,规格书链接:https://www.sekorm.com/product/824348.html,请评估,谢谢!
世强Team你们好,万代的场效应管AO3423 SOT-23,这颗物料,贵公司有可替代物料推荐吗?
您好,这边推荐扬杰科技的YJL2301F,规格书资料参考链接:https://www.sekorm.com/product/144457.html 请评估,谢谢!
世强你好,请推荐一款国产N沟道增强型场效应晶体管,要求VDss30V,ID5.0A,VGS±10V,SOT-23封装。
您好,推荐国产辰达行N沟道增强型场效应晶体管AO3400,参数方面VDss30V,ID5.0A,VGS±12V,SOT-23封装。资料请参考链接:https://www.sekorm.com/doc/3653232.html
请问世强这边有替代TI的UCC5350SBDR单通道隔离式栅极驱动器吗?要求P2P,应用于大功率LED调光。
这边给你推荐纳芯微的NSI6601B-DSPR,可ptp TI的UCC5350SBDR,主要参数都符合。可驱动IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET,用于大功率LED调光也合适。其数据手册为https://www.sekorm.com/doc/2640163.html
在固态激光雷达产品产品中,需要一款TEC控制器,替代ADN8835.请帮推荐一款功能替代就可以。
推荐世强代理的圣邦微的TEC控制器,SGM41299BXTQR36G/TR。 ●高效率单电感结构 ●用于TEC控制器的集成低信噪比MOSFET ●TEC电压和电流监测 ●无需外部感测电阻器 ●独立加热和冷却电流限制设置可编程最大TEC电压 ●PWM驱动器开关频率:2.0MHz(典型值) ●两个零漂,轨到轨斩波放大器 ●与NTC或RTD热传感器兼容 ●2.5V输出参考电压 ●温度锁定指示器 ●提供绿色TQFN-6×6-36L封装 数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2345416.html
RT6243BGQVF求替代品,封装VQFN-18P-3.5-3.5,电流要求7A以上,最好有10A,12V输入,0.9V输出
可以看看杰华特的JWH5084系列产品,4.5V~17V的输入范围内工作,通过两个集成的N沟道MOSFET提供12A的连续输出电流。JWH5084有QFN3.5×3.5-18封装,它提供了一个具有最少外部组件的紧凑型解决方案。规格书可联系世强同事获取
世强你好,求介绍一款高性能开关电源芯片,要求集成700V功率MOSFET和高压启动电路,最高频率40kHz,具有OLP,OCP,AOCP,OVP,OTP多种保护功能,超低待机功耗<100mW,封装SOP-8,工作环境温度: -40°C~+85°C。望推荐,谢谢!
我们推荐必易微的高性能开关电源芯片,型号为KP3116SGA,满足集成700V功率MOSFET和高压启动电路,最高频率40kHz,具有OLP,OCP,AOCP,OVP,OTP多种保护功能,超低待机功耗<100mW,封装SOP-8,工作环境温度: -40°C~+85°C的需求。您可评估一下! 相关资料如下链接: https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/KP3116SGA
40KW充电桩电源模块项目,第二版低成本方案,主要面向国内市场;找一款SIC MOS:1200 V, 40 mΩ SiC Trench MOSFET in TO247-4 package,性能上可以兼容英飞凌:IMZA120R040M1H;请问贵司代理国产厂牌中是否有合适方案推荐?
推荐爱仕特,ASC60N1200MT4;ASC60N1200MT4是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET,其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保该器件具有低电容和栅极电荷特性。该器件的系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。绝对最大额定值(Tc=25°C)方面,其漏源电压为1200V,Tc=25°C时的漏极电流(连续)为60A,耗散功率(Tc=25°C)为328W,结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。TJ=25°C条件下,其静态漏源导通电阻的最大值仅为45mΩ(VGS=20V,ID=40A)。该器件适合用于EV充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动领域。 规格书链接:https://www.sekorm.com/product/773803.html
想申请要qrovo的PA样片,麻烦联系下我
尊敬的客户您好!您咨询的qrovo的PA样片我司暂未代理,经技术同事确认暂无其他合适替代推荐,如有更多样品、询价询交期需求,您可在【世强硬创平台】首页中部位置搜索型号,点击免费样品、批量询价、交期查询,我司会有专属客服处理您的咨询,网址:https://www.sekorm.com/supply/;若有其他疑问,欢迎致电954668或发邮至service@sekorm.com!感谢您的咨询!
有个新项目尽量用国产芯片,有什么合适的国产器件可以替代下列器件? LM2904PWR TI MC33269-D Onsemi UCC27524DGNR TI IRFR13N20D(200V,0.235Ω,13A,D-PAK) Infineon MCP6002T-I/SN Microchip LM2903PWR TI
推荐思瑞浦的LM2904A-TSR替代TI的LM2904PWR,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2078919.html 推荐岭芯微的LC1117替代安森美的MC33269D,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/1963446.html 推荐瞻芯电子的IVCR2404DR替代TI的UCC27524DGNR,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2227837.html 推荐紫光微的TMD9N20H替代Infineon的IRFR13N20D,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/1452154.html 推荐思瑞浦的LMV358B-SR替代Microchip的MCP6002T-I/SN,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/1516374.html推荐润石科技的LM2903XK替代TI的LM2903PWR,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2355771.html
应用于数码相机镜头的超声波电机项目,想要找一款该种类电机的驱动方案,世强有推荐吗?
推荐拓尔微电子TMI8876Q,宽4.5V至37V工作电压,3.5A峰值电流驱动,QFN3x3-16封装,TMI8876器件是一种有刷直流电机驱动器,该器件集成了一个H桥输出功率级,可以在PMODE引脚设置的不同控制模式下操作。器件集成了电荷泵调节器,以支持更高效的高侧n通道mosfet和100%占空比运行。数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3166912.html。
你好,我要采购一些空调方面的电子原件,请联系我
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无锡新洁能你们代理吗?NCEP25N10AQ这款NMOS有没有?
您好,世强代理NCE(新洁能)该厂牌的MOSFET和IGBT产品,NCEP25N10AQ这款NMOS的规格书参考链接:http://www.ncepower.com/upload/cn/propdf/NCEP25N10AQ.pdf 如果需要样品测试,请在世强硬创平台提交申请:https://www.sekorm.com/product/501691831.html
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