瑞萨r7f702300ebbg的flash,ram空间分别是多大?
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创建于2022-12-31
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- 瑞萨rh850/u2a16芯片r7f702300ebbg的flash,ram空间分别是8M,3.6M。
- 创建于2022-12-31
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RENESAS RH850车规32位 MCU选型表
RENESAS RH850车规32位 MCU,闪存容量:256KB~16MB,RAM:32KB~3.6MB,数据闪存:32KB~576MB。
产品型号
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品类
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闪存容量(KB、MB)
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RAM(KB、MB)
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数据闪存(KB)
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内核
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I/O端口数
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CSI/UART/LIN
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CAN/CAN-FD
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I²C
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其他接口
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定时器通道(8/16/32位)
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PWM输出
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时钟频率(MHz)
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内部振荡器
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A/D转换器或D/A转换器
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电源电压(I/O)(V)
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引脚数
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封装
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最高工作温度(°C)
|
Application category
|
温度/质量等级
|
连接材料
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R7F7010023AFD#BA4
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车规32bit MCU
|
512K
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64K
|
32K
|
单RH850核(最大96MHz)
|
81
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5/4/7
|
6/-
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1
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-
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-/32/9
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48
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80
|
240KHz,8MHz
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36x10位&12位/-
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3.0-5.5
|
100
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100LQFP
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105,125
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Automotive
|
-40℃~105℃
|
无: 金线bonding
|
RL78系列Flash自编程库自RAM列表
本资料列出了RL78系列微控制器在使用特定库时所需的Self RAM区域。资料详细说明了不同地区(欧洲和日本)的目标区域,并列出了相应的库类型和Self RAM大小。资料还提供了不同MCU型号的Self RAM区域大小和内存配置,包括代码闪存、数据闪存和EEPROM仿真库。此外,资料还包含了关于Self RAM区域分配的注意事项,以及不同版本库的功能支持情况。
RENESAS - SELF RAM,自RAM,MCU,单片机,R5F111XJ,R5F11TLE,R5F10DPE,R5F11AGH,R5F10DPL,R5F11AGG,R5F10DPK,R5F10DPJ,R5F10DPG,R5F10DPF,R5F10BME,R5F1076C,R5F11AGJ,R5F113ML,R5F113MK,R5F113MJ,R5F10TPJ,R5F113MH,R5F113MG,R5F10BND,R5F10BNC,R5F110XJ,R5F110XH,R5F110XG,R5F110XF,R5F110XE,R5F10BNG,R5F10BNF,R5F11MPG,R5F10AME,R5F10AMD,R5F10AMC,R5F10AMA,R5F10AMG,R5F10AMF,R5F103A7,R5F10FXC,R5F103A8,R5F103A9,R5F117X8,R5F10FXE,R5F103AA,R5F10FXD,R5F117XC,R5F10NXJ,RL78/L12,R5F117XA,RL78/L13,R5F10DSL,R5F10NXG,R5F10DSK,R5F10DSJ,R5F10NXE,RL78/H1D,R5F105XA,R5F10PMF,R5F102A7,R5F10PME,R5F102A8,R5F10PMD,R5F10EXD,R5F10EXC,R5F10EXA,R5F10PMJ,R5F10PMH,R5F102A9,R5F11RMG,R5F10PMG,RL78/G10,RL78/G11,RL78/G12,RL78/G13,R5F102AA,RL78/G14,R5F10EXE,RL78,RL78/G1A,RL78/G1C,RL78/G1D,RL78/G1E,RL78/G1F,RL78/G1G,RL78/G1H,R5F104XE,R5F104XD,R5F104XC,R5F104XA,R5F104XL,R5F104XK,R5F104XJ,R5F104XH,R5F104XG,R5F104XF,R5F10DXE,R5F10WLF,R5F10DXD,R5F10WLE,R5F10WLD,R5F10WLC,R5F10WLA,RL78/F12,RL78/F13,RL78/F14,RL78/F15,R5F10WLG,R5F10DGC,R5F11EX8,R5F10WMG,R5F10WMF,R5F10WME,R5F10WMD,R5F11EXA,R5F10WMC,R5F10WMA,R5F11MXE,R5F10369,R5F10367,R5F10368,R5F10366,R5F1036A,R5F11MXF,R5F101SJ,R5F10CXD,R5F10KXC,R5F10378,R5F10379,R5F10377,R5F10CGC,R5F10CGB,R5F1037A,RL78/I1A,RL78/I1B,RL78/I1C,RL78/I1D,RL78/I1E,R5F10268,R5F10269,R5F10266,R5F10267,R5F1026A,R5F100SJ,R5F107AC,R5F10279,R5F10JXC,R5F10277,R5F10278,R5F10RX8,R5F1027A,R5F10RXC,R5F107AE,R5F10RXA,RL78/D1A,R5F10MMG,R5F11FLL,R5F10MME,R5F11FLK,R5F11FLJ,RL78/L1A,RL78/L1C,R5F11CXC,R5F101XG,R5F101XH,R5F101XE,R5F101XF,R5F101XC,R5F101XD,R5F10968,R5F101XA,R5F109XE,R5F109XD,R5F101XK,R5F11NME,R5F10NPG,R5F109XC,R5F101XL,R5F109XB,R5F109XA,R5F101XJ,R5F10YX7,R5F10YX6,R5F10YX4,R5F10DMJ,R5F10DMG,R5F10DMF,R5F11BXE,R5F11BXC,R5F11XF,R5F100XA,R5F107DE,R5F11XG,R5F100XH,R5F100XF,R5F100XG,R5F100XD,R5F100XE,R5F100XC,R5F100XL,R5F10MPG,R5F100XJ,R5F11MMD,R5F100XK,R5F10MPE,R5F111XH,R5F111XG,R5F111XF,R5F111XE,R5F10CME
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你好,瑞萨RA系列带I3C的有RA2E2、RA4E2、RA6E2,但1M flash以上的有RA4M3、RA6E1、RA6M2、RA6M3、RA6M4、RA6M5。故暂时没有能够匹配的。 可以看看以下链接,https://www.renesas.cn/cn/zh/document/dst/ra6e2-group-datasheet?r=25411266 有256KB flash,支持I3C接口
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Renesas DA14531固件烧录方式有哪些?
1、通过电脑,将固件烧到芯片内部的RAM中即能运行,但掉电就会丢失固件,用于调试使用 2、DA14531外接flash。通过电脑将固件烧录到flash里,芯片上电后,会从flash中读出固件到ram中运行 3、通过电脑,将固件烧录到芯片内部的OTP里,但OTP只能烧录一次,一般是量产时使用
瑞萨R7F0C901B2DNP-C#HA0 RAM不大够用可以用什么型号替代?
你好,可以使用瑞萨RL78 G13系列替代,R5F100BxxNA类型封装型号一致,可以根据项目需求选择合适的ROM和RAM空间,型号如R5F100BEGNA#20或者R5F100BGANA#20,可以在平台直接搜索申请样品,参考如下数据手册: Renesas(瑞萨电子)RL78/G13 MCU 数据手册https://www.sekorm.com/doc/1263446.html。
瑞萨电子RH850/F1KH-D8/R7F7017143使用GHS编译器,启动文件中是否有清RAM语句?
以local RAM为例,在.850文件中,有如下语句: -- Clear local RAM -- destroys any content in local RAM/ECC initialization -- Also SP is cleared. mov ___ghs_ramstart, r6 -- start of local RAM mov ___ghs_rramstart, r7 -- start of retention RAM cmp r7, r6 -- is only retention RAM available? be 5f -- skip initialization of RAM mov ___ghs_ramend, r7 -- load end of local RAM mov r0, r1 1: st.dw r0, 0[r6] addi 8, r6, r6 cmp r7, r6 bl 1b 其中,ghs_ramstart和ghs_ramend为local RAM的起始和结束地址。
瑞萨RH850芯片内在地址空间,有描述self area,CPU1 area的RAM,想知道有什么区别?
self area只有CPU可以访问该地址,而CPU1 area,则外设如DMA等也可以正常访问该RAM
71V416S、71V416L 3.3V CMOS静态RAM 4 Meg(256K X 16位)
该资料详细介绍了IDT71V416系列3.3V CMOS静态RAM,包括其特性、电气特性、封装类型、订购信息等。该产品是一款高速、高可靠性静态RAM,适用于各种高速存储需求。
RENESAS - 4,194,304-BIT HIGH-SPEED STATIC RAM,3.3V CMOS STATIC RAM,3.3V CMOS静态RAM,4194,304位高速静态RAM,71V416S15BE8,71V416L12BE8,71V416S15PHGI8,71V416L10,71V416S15BEG8,71V416S15PHGI,71V416L10PHGI8,71V416S10YG,71V416S12YG8,71V416L15PHGI,71V416S12YG,71V416S15PHG,71V416L12BEI,71V416L12YG8,71V416L12YGI8,71V416S15PHG8,71V416L12BEG,71V416S12BEG,71V416S15BEGI,71V416L15PHG,71V416S10PHGI8,71V416S12BEI,71V416L12BEI8,71V416L10BE,71V416S15BEGI8,71V416L12BEGI8,71V416L12BE,71V416L12,71V416L15,71V416L12PHG8,71V416S10PHG,71V416L,71V416S12BEI8,71V416S15YG8,71V416S12BE,71V416S15BEG,71V416S10BE,71V416S10PHG8,71V416L10PHGI,71V416L12PHG,71V416S15BEI,71V416L15BEI8,71V416L10BEG8,71V416S,71V416S12YGI,71V416S12YGI8,71V416L12BEGI,71V416L15YGI,71V416S15YGI8,71V416S15YG,71V416S10PHGI,71V416L10PHG,71V416S15BEI8,71V416L10PHG8,71V416S10YG8,71V416S10BEG8,71V416L12PHGI8,71V416S12PHGI8,71V416L10BEG,71V416L12BEG8,71V416L12PHGI,71V416L10YG,71V416L12YG,71V416S10BEG,71V416S15,71V416S10BE8,71V416L15BEGI8,71V416S10,71V416L15YGI8,71V416S15YGI,71V416S12,71V416L10YG8,71V416L15BE,71V416S12PHG,71V416L12YGI,IDT71V416,71V416S12BE8,71V416S12PHG8,71V416L15BEGI,71V416XXXXXXXXX,71V416S12BEG8,71V416L15BE8,71V416L15PHGI8,71V416S12PHGI,71V416S15BE,71V416L15BEG,71V416L15BEG8,71V416L15BEI,71V416L15PHG8
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