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世强你好，请推荐一款国产N沟道增强型场效应晶体管，要求VDss30V，ID5.0A，VGS±10V，SOT-23封装。
您好，推荐国产辰达行N沟道增强型场效应晶体管AO3400，参数方面VDss30V，ID5.0A，VGS±12V，SOT-23封装。资料请参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3653232.html
世强team你们好，可以帮忙推荐一款MOSFET不，用来替代Infineon的IRFR13N20D，多谢
您好，推荐无锡紫光微TMD9N20H，规格出链接请查看：https://www.sekorm.com/product/322896.html，请评估，谢谢！
世强Team你们好，万代的场效应管AO3423 SOT-23，这颗物料，贵公司有可替代物料推荐吗？
您好，这边推荐扬杰科技的YJL2301F，规格书资料参考链接：https://www.sekorm.com/product/144457.html 请评估，谢谢！
求推荐成熟替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓场效应晶体管
硅基增强型氮化镓场效应晶体管目前主要以350V以下的高频开关应用为主，目前在无线充电、激光雷达、高频电源等有成熟的应用，推荐EPC的硅基增强型氮化镓场效应晶体管替代功率MOS，可以在世强电商平台检索相关资料，基于EPC氮化镓场效应晶体管的方案可以参考：【方案】氮化镓高功率密度电源优选元器件方案。
氮化镓场效应晶体管有哪些散热方式？
可以看看世强电商平台上的这篇文章【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？链接如下：https://www.sekorm.com/news/10737.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。
YJGD033G10AQ N沟道和N沟道互补MOSFET
本资料介绍了YJGD033G10AQ型号的MOSFET产品，包括其技术规格、电气特性、热阻参数和应用领域。该产品采用Split Gate trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源开关应用。
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YJJ3724A N沟道和P沟道互补功率MOSFET
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【应用】扬杰科技双N沟道MOSFET用于板卡boost升压电路，可提供24V/2A电源输出
本文项目是板卡，主要功能是通过处理器采集北斗卫星的定位信号，对设备进行定位。北斗模块采用24V供电，系统的输入电源为12V，因此需要将12V电源升压到24V提供给模块。输出功率比较大，只能采用外接MOSFET进行设计，选用扬杰科技的YJGD20G10A作为开关管。
RT6243BGQVF求替代品，封装VQFN-18P-3.5-3.5，电流要求7A以上，最好有10A，12V输入，0.9V输出
可以看看杰华特的JWH5084系列产品，4.5V～17V的输入范围内工作，通过两个集成的N沟道MOSFET提供12A的连续输出电流。JWH5084有QFN3.5×3.5-18封装，它提供了一个具有最少外部组件的紧凑型解决方案。规格书可联系世强同事获取
YJS3404B N沟道和N沟道互补MOSFET
本资料介绍了YJS3404B型MOSFET的特性及应用。该器件采用 trench power lv mosfet技术，具有低导通电阻、高速开关等特点，适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。
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【产品】30V/40A低压N沟道和P沟道互补型功率MOSFETYJG40NP03A，适用于硬开关和高频电路等相关应用
YJG40NP03A是扬杰科技推出的N沟道和P沟道互补型功率MOSFET，采用沟槽型功率低压MOSFET技术，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。
YJGD011G06A N沟道和N沟道互补MOSFET
本资料介绍了YJGD011G06A型号的MOSFET产品，包括其技术规格、电气特性、热阻参数和应用领域。该产品适用于引擎管理系统、车身控制电子设备和直流-直流转换器等领域。
扬杰科技 - N沟道和N沟道互补MOSFET,N-CHANNEL AND N-CHANNEL COMPLEMENTARY MOSFET,YJGD011G06A,BODY CONTROL ELECTRONICS,发动机管理系统,车身控制电子设备,ENGINE MANAGEMENT SYSTEMS,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
YJG20NP06B N沟道和P沟道互补MOSFET
本资料介绍了YJG20NP06B型MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、封装信息和典型电学特性图。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，适用于负载切换、硬开关和高频电路等领域。
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使用FloTHERM和Smart CFD软件，提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务，热仿真技术团队专业指导。
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析，通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型，对多种系统设计方案进行评估，识别潜在散热风险。
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