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- 用户_2264 (0)
- 您好!推荐圣邦微sgm41511ytqf24g/tr,具体规格书参考:https://www.sekorm.com/doc/2196887.html
- 创建于2023-03-09
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在做一款示波器,之前选用微盟的电荷泵ME7660CS1G,有没有合适替换?
您好!推荐虹茂HM7660,满足需求,具体规格书参考https://www.sekorm.com/doc/3748581.html
各位大神,有没有性价比高的手持式示波器推荐?
是德科技有,你上他们的官网查,信价比也比较高,我在这里就不列了,你可以上官网查,谢谢!
我们找一款100M的便携式数字示波器,有国产产品推荐的吗?
优利德也有100M的手持示波器,可以到他们官网查看
Keysight U1602B和U1604B手持式示波器上的输入通道是否隔离?
不,U1602B和U1604B手持式示波器上的两个示波器通道(通道1和通道2)都不是隔离的。
U1602A和U1604A手持式示波器上的输入通道是否隔离?
Keysight U1602A和U1604A手持式示波器上的两个示波器通道(通道1和通道2)都不是隔离的。
SGMICRO DC/DC转换器选型表
SGMICRO DC/DC转换器选型表包含包含同步整流降压转换器、AMOLED显示屏电源降压、非同步降压转换器升压、同步整流升压转换器、非同步升压转换器、电荷泵DC/DC转换器 、专用DC/DC转换器和LCM偏置电源;升降压、电荷泵供电,最大输入电压60V,最大开关电流10A,内置MOS。
产品型号
|
品类
|
CH
|
Enable
|
Vcc (Min)(V)
|
Vcc (Max)(V)
|
I_OUT(mA)
|
Frequency (kHz)
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Iq (μA)
|
SHDN Iq(μA)
|
Package
|
SGM6010
|
DC/DC Synchronous Rectifier Buck Converters
|
1
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L
|
3
|
5.5
|
3000
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300 to 2000
|
0.41
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2
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TDFN-3×3-10L
|
SGMICRO放大器选型表
专用运算放大器,高输出电流400mA,低功耗1.1μA;高速运算放大器,500MHz增益带宽,高压摆率265V/μs;高精度运算放大器,失调电压低至5μV,低温漂0.011μV/℃;电流检测放大器,高共模电压105V,高共模抑制比140dB;低噪声运算放大器,低噪音1.6nV/√Hz,低失调电压8.5mV;微功耗运算放大器,最低功耗低至350nA,1\2\4路,轨至轨输入输出;低功耗运算放大器,功耗低至2.5μA,最大工作电压36V
产品型号
|
品类
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CH
|
SHDN
|
Vᴄᴄ(Min)(V)
|
Vᴄᴄ (Max)(V)
|
Vᴏs(mV)
|
Iq/CH(μA、nA、mA)
|
Iʙ(pA)
|
GBP(MHz、kHz)
|
SR(V/ms、V/μs)
|
Eɴᴏɪsᴇ(nV/√Hz、μVᴘᴘ)
|
Package
|
SGM8545
|
低功耗运算放大器
|
1
|
N
|
2.1
|
5.5
|
3.5
|
48μA
|
0.5
|
1.1MHz
|
520V/ms
|
27nV/√Hz
|
SOT-23-5
|
SGM41511YTQF24G/TR PcbLib & SchLib & IntLib
SGMICRO - 单芯电池充电器,SINGLE-CELL BATTERY CHARGER,SGM41511YTQF24G/TR
【应用】国产高速双通道运算放大器SGM8262-2用于示波器,支持单电源或双电源供电,开环增益高达130dB
客户在示波器产品的信号处理单元项目国产化需要国产方案,结合使用给其推荐国产高速双通道运算放大器SGMICRO SGM8262-2,是一款具有电压反馈功能的双低噪声高速运算放大器。
【产品】工作输入电压为3.9V~13.5V的3A单节电池充电器SGM41511,具有窄电压直流电源路径管理
圣邦微电子(SGMICRO)的SGM41511是一款电池充电器和系统电源路径管理器件,集成了转换器和电源开关,可与单节锂离子电池或锂聚合物电池一起使用。这款高度集成的3A器件能够快速充电,支持宽输入电压范围,I²C编程功能使其成为一个非常灵活的电源和充电器设计解决方案。
SGM41511 I²C控制3A单芯电池充电器,具有高输入电压能力和窄电压直流(NVDC)电源路径管理
该资料介绍了SGM41511,一款集电池充电和管理于一体的集成电路。它支持高达3A的充电电流,适用于单节锂离子或聚合物电池,具有高输入电压能力和窄电压直流(NVDC)电源路径管理功能。该器件具备高效能、同步降压充电器,并支持USB On-The-Go(OTG)模式。
SGMICRO - 系统电源路径管理器件,电池充电器,SYSTEM POWER PATH MANAGEMENT DEVICE,I²C控制的3A单节电池充电器,I²C CONTROLLED 3A SINGLE-CELL BATTERY CHARGER,高集成度3A器件,BATTERY CHARGER,HIGHLY INTEGRATED 3A DEVICE,SGM41511YTQF24G/TR,SGM41511,便携式系统,EPOS,PORTABLE INTERNET DEVICES AND ACCESSORY,平板,智能手机,PORTABLE SYSTEMS,SMART PHONES,便携式互联网设备和附件,TABLETS,EPOS
SGMICRO锂电池充电管理芯片选型表
线性充电、开关充电、电荷泵充电。1-4节锂电池充放电管理,IIC控制。4A、6A、8A、10A开关充电电流,充电电流可调。
产品型号
|
品类
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VIN (Min)(V)
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VIN (Max)(V)
|
OVP Threshold(V)
|
Charge Voltage (V)
|
SHDN Iq(μA)
|
Status Indication
|
Package
|
SGM4056
|
Li-Ion Battery Charger
|
4.55
|
26.5
|
6.8, 10.5
|
4.2
|
200
|
Status Indication
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SOIC-8(EP) TDFN-3×3-8L
TDFN-2×3-8L TDFN-2×2-8 |
锂电保护IC应用中,保护板使用过程中,保护板测试放电过流或者短路时,放电MOS损坏,该如何处理?
分析步骤: 1. 检查所选用的放电MOS是否可以承受测试时的放电电流,以及放电MOS的DS之 间耐压是否合适; 2. 如果是两个及以上放电MOS并联,需要在每个放电MOS的G端串联47欧姆电阻。 防止放电MOS关闭瞬间,GS之间寄生电容产生谐振现象,导致MOS损坏; 3. 检查VM管脚与P-之间的回路是否正确,确保在放电过流保护后,VM能够被P-拉高,可以实现负载锁定,否则放电过流状态会频繁进退,导致放电MOS频繁震荡而 损坏; 4. 检查DSG管脚到放电MOS的G端之间的电阻,标称值为1K,如果该电阻比较大, 会造成放电MOS关闭速度减慢。放电MOS在关闭过充中,随着G极驱动电压逐渐 变低,放电MOS的导通内阻逐渐变大,此时放电电流较大,放电MOS的功率会变 大,最终因为瞬间产热过高而损坏,甚至炸裂。 5. 如果有放电MOS加速关闭电路,请用示波器抓取P-和放电MOS栅极分别对B-的波形,是否存在由于放电MOS关闭过快,导致P-反冲电压过高,超过放电MOS的 DS耐压值导致放电MOS损坏。
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提供是德(Keysight),罗德(R&S)测试测量仪器租赁服务,包括网络分析仪、无线通讯综测仪、信号发生器、频谱分析仪、信号分析仪、电源等仪器租赁服务;租赁费用按月计算,租赁价格按仪器配置而定。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址:深圳/苏州 提交需求>