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- 戈壁老杨 Lv7 (0)
- 推荐扬杰科技yjd80g06cq,V-DS:60V,相关数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2864007.html
- 创建于2023-03-10
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您好有FDD86581-F850的国产替换吗?
推荐扬杰的YJD80G06CQ,PTP替换,数据手册如下: https://www.sekorm.com/doc/2864007.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
YJD80G06C N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJD80G06C N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术,具有低导通电阻和高热散耗能力,适用于直流转换器和工业及电机驱动等领域。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD80G06C,DC-DC CONVERTERS,POWER MANAGEMENT FUNCTIONS,INDUSTRIAL,电源管理功能,MOTOR DRIVE APPLICATION,DC-DC转换器,工业,电机驱动应用
YJD80G06CQ N沟道增强型场效应晶体管
该资料介绍了YJD80G06CQ型号的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。产品具有低导通电阻、极低的开关损耗和快速恢复等特点,适用于电源转换、不间断电源、汽车系统等领域。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD80G06CQ,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,汽车系统,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,AUTOMOTIVE SYSTEMS,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR,硬开关高频电路
工业5G CPE项目上寻一款国产MOS,对标STD80N6F7,请问有合适型号推荐吗?
推荐扬杰科技NMOS YJD80G06C,采用TO-252封装,最大漏源电压VDSS为60V,最大漏电流 ID为80A,最大导通电阻7.5mΩ,工作温度范围-55℃~150℃,相关规格书参考链接:https://www.sekorm.com/doc/2864007.html。
N沟道MOS,AGM608D有无合适替代?
扬杰YJD80G06C。TO封装,60V耐压,80A通流。规格书:https://www.sekorm.com/doc/2864007.html
现在在设计一个工业控制器,有NMOS的需求,之前使用的是IRFR3607TRPBF,想问一下有没有合适的国产物料推荐?
您好,可以看一下扬杰的YJD80G06C,规格书参考https://www.sekorm.com/doc/2864007.html
扬杰科技肖特基二极管选型表
扬杰科技提供肖特基二极管产品,非重复峰值浪涌电流IFSM_Max(A):25A~500A,瞬间前向电压VF_Max(V):0.4V~1.3V;
产品型号
|
品类
|
Package
|
VRM_Max(V)
|
Io_Max(A)
|
IFSM_Max(A)
|
Ratedlo(A)
|
VF_Max(V)
|
IR@25℃IR(uA)
|
IR@125℃IR(uA)
|
Cj(PF)
|
Tj(℃)
|
应用等级
|
MBR10100CDQ
|
肖特基二极管
|
TO-252
|
100
|
10
|
120
|
5
|
0.8
|
010
|
0.5
|
160
|
-55~+175
|
车规
|
扬杰科技瞬态抑制二极管选型表
扬杰科技提供以下技术参数的瞬态抑制二极管选型,最大功耗:200W~5000W,最大反向漏电流:1μA~5000μA;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Type
|
PPk/PPPM(W)
|
VBR _Min(V)
|
VBR _Max(V)
|
IT(mA)
|
IR@VRWM(μA)
|
VRWM(V)
|
IPP(A)
|
VC@IPP(V)
|
Tj(℃)
|
IFSM(A)
|
应用等级
|
1.5SMC100AQ
|
瞬态抑制二极管
|
SMC
|
Uni
|
1500
|
95
|
105
|
1
|
1
|
85.5
|
10.95
|
137
|
-55~+175
|
200
|
车规
|
无边界MOSFET选型表
无边界MOSFET选型表分为多种不同封装,有N沟道和P沟道两种,电压范围8V~1700V,电流范围21mA~519A,功率范围100mW~500W。
产品型号
|
品类
|
封装
|
类型
|
电压
|
电流
|
功率
|
2N7002-TP-CN
|
单 FET;MOSFET
|
SOT-23
|
N-Channel
|
60V
|
115mA
|
200mW
|
扬杰科技快恢复二极管、超高效整流二极管、超快恢复二极管选型表
扬杰科技提供以下技术参数的快恢复二极管,超高效整流二极管,超快恢复二极管选型,最大反向峰值电压VRM:50V~3000V,最大正向电流lo:0.5A~3000A;
产品型号
|
品类
|
Package
|
VRM_Max(V)
|
Io_Max(A)
|
VF_Max(V)
|
IR@25℃IR(uA)
|
IR@125℃IR(uA)
|
Trr_Max(ns)
|
RθJA(℃/W)
|
Cj(PF)
|
Tj(℃)
|
应用等级
|
E1AQ
|
快恢复二极管
|
SOD-123FL
|
50
|
1
|
1
|
5
|
100
|
35
|
85
|
21
|
-55~+150
|
车规
|
电子商城
现货市场