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10-F0127PA025SC-L159E09 功率模块设计采用AlN基底,无需调整架构,独特的压接技术可实现模块和散热器之间热传导。采用AlN基底的功率模块寿命是Al2O3基底功率模块的两倍以上,具有高热导率、低热膨胀系数、不会和正常的半导体工艺化学品和气体发生反应等特性。
1,化合物衬底的肖特基金属势垒电压范围是多少? 2,这种势垒电压最高值是多少?又是什么金属?
和普通硅基衬底的势垒基本一样。反向电压一般在100V以下。金属可以采用金、钼、镍、钛等材料。
不同材料的芯片裸片,选择对应衬底时需要注意什么?
衬底需要同时满足这两种材料的加工要求,或在衬底上外加满足另一种材料需求的垫层。
不同材料的芯片裸片,选择对应衬底时需要注意什么
衬底不仅起着电气性能的作用,而且也起着机械支撑的作用。IC芯片选择衬底时候,需要考虑晶格失配和热应力失配,特别是绑定工艺过程中,由于温度引起衬底形变问题,一般选择玻璃衬底多一些。
请问wolfspeed的W4NRG4C系列,用于研发碳化硅外延片的衬底,是否有推荐的型号,各个型号适合的情况是什么?贵司是否能代理购买衬底?交期如何?
目前世强没有代理wolfspeed的产品,也没有代理衬底相关产品
泰高240W氮化镓多口快充电源方案,相比单口充电器体积缩小20%
2022年7月13日,深圳市泰高技术有限公司(下称“泰高”)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署代理协议,授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。 资料显示,泰高是一家国产氮化镓功率器件公司,主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。
【应用】泰高推出高效率240W氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案,内置4颗合封氮化镓开关管
泰高最新推出了一款240W氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案,采用可编程数字电源芯片PFC+LLC Combo高效拓扑,同时运用4颗泰高第二代TP44100SG合封氮化镓开关管,实现“更高效率,更大功率,更小体积,更低发热。”
HFC-AB16100S吸波材料规格书
本资料介绍了鸿富诚公司生产的HFC-AB16100S系列吸波材料,该产品由磁介质吸波剂和硅橡胶复合而成,具有良好弹性、易裁切、吸收频带宽、耐候性强、环保无毒等特点,适用于改善电子设备内部的电磁波干扰。
鸿富诚 - 吸波材料,HFC-AB16100S,5G基站,手机、电脑等移动终端,集成电路芯片、射频芯片组及抗电磁干扰领域,高频设备、网通产品
SUPERIOR GaN HEMT TP44100SG-90mΩ,650V氮化镓场效应晶体管
这款资料介绍了SUPERIOR GaN TP44100SG氮化镓场效应晶体管的功能、拓扑结构、应用领域以及电气规范。该器件具备650V耐压、90mΩ导通电阻,适用于多种PWM控制器,支持零反向恢复和高开关频率,广泛应用于AD-DC、DC-DC、DC-AC转换、PFC、高频LLC转换器等领域。
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卓越的氮化镓TP44100SG–90mΩ,650V氮化镓高电子迁移率晶体管
该资料介绍了TP44100SG是一款650V、90mΩ增强型功率GaN HEMT器件。它适用于多种PWM控制器,具有零反向恢复、可调开通斜率、高开关频率等特点。该器件可用于AC-DC、DC-DC、DC-AC转换器、PFC应用、高频LLC转换器、移动充电器和笔记本电脑适配器、LED和电机驱动等领域。
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泰高技术-电源产品介绍
全球气候变暖导致温室气体增加,极端天气频发,对生态环境和经济社会发展构成威胁。为应对减碳要求,中国经济正转型,服务业和低碳高科技制造业GDP占比上升。氮化镓(GaN)技术因其高功率密度优势,在电源、通信等领域应用广泛。泰高技术作为GaN器件及产品应用设计研发商,提供RF射频开关、射频高功率放大器、电源功率芯片等产品,拥有全球60多家客户。公司采用无需外部供电的专利技术和特殊散热工艺,产品具有低内阻、高功率、高散热系数等特点。
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WSP4410是一款高性能的沟槽N-沟道MOSFET,具有极高的单元密度,提供优异的RDSON和栅极电荷,适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证,具备高频率点负载同步降压转换器、网络直流-直流电源系统等应用。
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加工精度:精密平面磨床正负0.002;铣床正负0.02,ZNC放电正负0.01。CNC加工材料:铝、钢、聚合物等材料。专注于半导体行业、医疗器械、汽车行业、新能源行业、信息技术行业零部件加工。
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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