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- 推荐ROHM的dtc043zebtl,能满足参数需求、内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ, R2 = 47kΩ2、NPN极性偏置电阻内置晶体管,规格书:https://www.sekorm.com/doc/833162.html。
- 创建于2023-03-23
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项目需求带内置电阻晶体管,要求NPN极性偏置电阻、工作电压50V、集电极电流100mA,请问有什么合适型号推荐?
推荐ROHM的DTC043ZEBTL,内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ, R2 = 47kΩ2、工作电压50V、集电极电流100mA,规格书:https://www.sekorm.com/doc/833162.html。
BCM配套钥匙项目,需要一颗复合晶体管,NPN+PNP复合管,要求集电极射极耐压值50V左右,集电极电流100mA左右,且内部集成偏置电阻;是否有合适的方案推荐?
你好,可以评估一下罗姆半导体的UMD9NFHATR,此方案为NPN+PNP的复合管,集电极射极耐压值50V,集电极电流约100mA,且内部集成偏置电阻;详细评估资料如下:https://www.sekorm.com/product/50415.html。
ROHM数字晶体管的内置晶体管的基极电流的计算方法是什么?
以DTC114EKA为例说明如下。数字晶体管工作时,由于内置晶体管的发射极-基极间(EB间)的正向有基极电流通过,所以向EB间施加有正向电压(25℃条件下约为0.7V)。由于数字晶体管内置晶体管的EB间与电阻R2并联连接,所以对R2也同样施加了0.7V电压。从而可知,R2上有IR2=0.7V/10KΩ=70μA的电流通过。当输入电压Vin为5V时,IN引脚的电位为5V,内置晶体管的EB间电位差为0.7V,所以电阻R1两端的电压是5V-0.7V = 4.3V。从而可知,R1上有IR1= 4.3V/10KΩ = 430uA的电流通过。从而可知,内置晶体管的基极有430μA-70μA= 360μA的电流通过。通过这样的计算,就可以计算出流过内置晶体管的基极电流。要使数字晶体管充分导通( =降低输出电压Vo(on)),就要调整输出电流Io和输入电压Vin,以使输出电流Io达到进入内置晶体管的基极电流的10~20倍以下。当输入电压Vin不够高、输出电流不够大时,请使用输入电阻R1小的那种型号的数字晶体管。当输入电压Vin不够高、输出电流不够大时,请使用输入电阻R1小的那种型号的数字晶体管。温度为25℃时,发射极-基极间正向电压约为0.7V。但当温度变化时,温度每上升1℃该正向电压便减小约2.2mV。例如,50℃时约为0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之,当温度降低到-40℃时约为0.7+(25℃- (-40℃))×2.2mV=0.843V。如上所述,请注意正向电压VF也受温度影响而变化。而且,还要注意,25℃时的正向电压0.7V也只是大致数据,有±0.1左右的偏差。数字晶体管的内置电阻R1、R2有±30%左右的波动,所以要考虑并计算电阻值最不利的情况。如上所述,由于正向电压和电阻值都有波动,所以可以认为上述计算方法得到的结果只是大致的数值。
双极晶体管的集电极-发射极间,可以施加与耐压反向的电压吗?
NPN晶体管时,发射极接地,给集电极施加正电压时的耐压是规格书上提供的VCEO。(PNP晶体管时,集电极接地,给发射极施加正电压时的耐压是VCEO。)与此反向(NPN晶体管是集电极接地,给发射极施加正电压时)的耐压与发射极-基极间的耐压大致相同。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右,所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下(如果给集电极-发射极间的反向施加接近耐压值的电压,就有可能发生hFE下降等性能退化的情况)。集电极-发射极间的反向电压如果在5V以下,将只有漏电流大小的电流通过。下图以罗姆产品为例。数字晶体管也如上所述,可对集电极-发射极间(OUT-GND间)的反方向施加最大5V的电压,但当GND-IN中有电阻时,电流会通过该电阻流过。
网关项目,找个NPN型,100mA,50V的数字晶体管,有合适的方案推荐吗?
你好,推荐罗姆的DTC014EUBTL,SOT-323的封装形式,100mA,50V,规格书参考链接:https://www.sekorm.com/doc/781548.html
【产品】内置偏置电阻、封装分别为SOT-723和SOT-323的PNP型数字晶体管DTA123TM和DTA123TUA
DTA123TM和DTA123TUA是ROHM推出的两款PNP型数字晶体管,都在基极上串联了一只电阻R1=2.2kΩ,且内置偏置电阻可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路,可应用于变频器、接口和驱动器等方面。
【产品】NPN型数字晶体管DTC115G系列,内置100kΩ的偏置电阻
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的主要供应商之一。近期其推出了NPN型的DTC115G系列数字晶体管(DTC115GU3、DTC115GKA),与DTA115G系列PNP型数字晶体管互补配对。其内置偏置电阻,可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路,使工程师设计电路更容易,是开关电路、逆变器电路、接口电路和驱动电路等领域的理想选择。
用于静音的UMH37N NPN 400mA 20V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)数据手册
本资料为ROHM公司生产的UMH37NNPN数字晶体管的规格说明书。该晶体管具有内置偏置电阻,适用于静音功能,具有低输出导通电阻、高击穿电压和紧凑的SOT-363封装。
ROHM - 偏置电阻内置晶体管,NPN 400MA 20V DIGITAL TRANSISTOR,DIGITAL TRANSISTOR,数字晶体管,BIAS RESISTOR BUILTIN TRANSISTOR,NPN 400MA 20V数字晶体管,UMH37N
【产品】100mA/50V的NPN型数字晶体管DTC143T系列,其内置偏置电阻
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件的等应用的主要供应商之一。近期其推出了NPN型的DTC143T系列数字晶体管(DTC143TM、DTC143TEB、DTC143TE、DTC143TUB、DTC143TUA、DTC143TKA),与DTA143T系列PNP型数字晶体管互补配对。其内置偏置电阻,具有可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路、具有完全消除寄生效应的优点和无铅绿色元器件等特点。
【产品】罗姆偏置电阻内置晶体管DTC143ZE3HZG,R1=4.7kΩ,R2=47kΩ,电路设计简单
ROHM推出的NPN型数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)DTC143ZE3HZG,内置偏置电阻R1=4.7kΩ, R2=47kΩ,符合AEC-Q101标准。只需要设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。
DTC143TU3 HZG NPN 100mA 50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)数据表
本资料为ROHM公司生产的DTC143TU3 HZG数字晶体管的规格书。该晶体管是一款内置偏置电阻的NPN型晶体管,适用于各种接口和驱动器电路。它具有低功耗、高可靠性和小型化封装等特点。
ROHM - 偏置电阻内置晶体管,NPN 100MA 50V数字晶体管,NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR,BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANSISTOR,DTC143TU3 HZG,DTA143TU3 HZG,逆变器,接口,INTERFACE,驱动,DRIVER,INVERTER
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罗姆(ROHM)推出的车规级NPN数字晶体管(内置偏置电阻) DTC115ECAHZG,通过了AEC-Q101认证,电源电压VCC为50V ,集电极电流IC(MAX.) 最高为100mA,结温为150°C,内置偏置电阻R1/R2均为100kΩ ,是逆变器,接口,驱动器等领域的理想选择。
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ROHM - COMPLEX DIGITAL TRANSISTORS,复杂数字晶体管,EMH59,开关电路,INVERTER CIRCUIT,INTERFACE CIRCUIT,SWITCHING CIRCUIT,逆变电路,接口电路
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【产品】-100mA/-50V内置偏置电阻的罗姆数字晶体管DTA143ZE3HZG,结温最大值150℃
ROHM的PNP型数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)DTA143ZE3HZG,内置偏置电阻R1=4.7kΩ,R2=47kΩ,符合AEC-Q101标准。Ta=25°C条件下,集电极电流最大值-100mA,耗散功率最大值为150mW。
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