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车用12V电机驱动项目,需要找一颗耐压40V左右,导通电流200A以上的低压大电流MOS管,满足车规要求,是否有合适推荐?
你好,车规级低压大电流MOS这边可以评估一下NCE的NCEAP40T20AGU 2.0;此方案为车规级MOS管,漏源耐压值40V,漏极电流值高达300A,且过AEC-Q101认证;规格书资料链接如下:https://www.sekorm.com/doc/3733309.html。
大家好,请问一下现在需要一颗MOS管用在EPS驱动电机那部分,12V电压系统,电流100A以上车规级的MOS请帮忙推荐,谢谢。
您好,根据您的描述推荐新电元车规级MOS管P140LF4QNK 5071,耐压40V完全满足12V电压系统,漏极电流140A,符合AEC-Q101认证,以上产品可以满足需求。 详情请查看数据手册https://www.sekorm.com/doc/1678998.html。
您好,在做智能座椅调节项目,电机堵转电流是38A,电压是13.5V,需要驱动电机前面需要MOS管,请推荐
您好,给您推荐扬杰科技YJG60N04AQ,VDS:40V、ID(25℃):60A、ID(100℃):38A、封装:DFN5*6,已经过了车规认证。
您好!想找一个较大电流的MOS管,要求250v,电流在80A主左右,导通电阻要小,请问有合适的推荐吗?
您好!根据您的要求给你推荐推荐LITTELFUSE的IXTQ82N25P,这个MOS管,电流82A,电压250V,导通电阻是38毫欧,比较小 详细参数请参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2377774.html
驱动电机,为提高驱动能力,两个MOS管并联,为什么有时还是烧管子?
1 、先确认电机的启动电流,工作电流和堵转电流,2个mos管并联的工作电流能力是否满足条件。2、 电机内部的线圈有很大的电感,当mos管关闭时,因为电感续流特性,电机端会对mos管产生一个很大的瞬间电压,从而击毁管子。所以除了看驱动能力外,还要注意mos管的耐压参数,或者设计一些辅助电路保护mos管。
捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型,VDS_Max:-100V~1000V,VGS(th)_Typ:-2V~3.5V等
产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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VGS_Max(V)
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EAS_Max(mJ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
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0.99mΩ
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±20V
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506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
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114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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【应用】捷捷微车规级MOS管JMSL0612AGQ用于汽车电子外后视镜,导通电阻低至9.5mΩ
汽车电子外后视镜的方案整体分为两种,纯显示的复杂程度会降低许多,整体电路的供电来源于车载12V电池,经过辅助电源部分进行降压和稳压,给个模块芯片供电,DC-DC升压电路需要一颗MOS管作为开关,推荐使用捷捷微车规级MOS管JMSL0612AGQ。
最大漏源电压达60V的MOS管HKTD20N06,可用于电机驱动、LED和电源等
MOS管在稳压以及开关等电路上具有非常重要的作用,一款好的MOS管除了具备好的产品性能,其功耗、产品稳定性同样重要。本期,合科泰电子给大家介绍一款MOS管HKTD20N06,可用于电机驱动、LED和电源等产品上。
单片机控制MOS管驱动直流24V继电器,有合适型号MOS管推荐一下
不建议单片机直接控制MOS,因为一般情况下单片机电压只有3.3V,驱动MOS管不能完全处于导通状态,建议MOS管前面加一级比较器;MOS管的选择参数根据继电器实际参数决定,实际电流是多少A,这样根据电流电压参数,在世强官网可以自行搜索关键词查看合适的MOS管。
您好,我想寻求一款HIP4082或者DRV8701的MOS全桥驱动,电压支持12-48v附近,用于直流有刷电机驱动。
我司代理瑞萨品牌的驱动芯片HIP4082,但是并非主推型号。如果可以修改PCB封装,建议使用国产品牌中科微的AT8841MTE,目前世强有样品库存,TSSOP-28封装,工作温度为-40°C to +85°C,内部集成两路H桥驱动,最大输出42V/3A,可驱动两路有刷式直流电机。可以参考文章:【产品】最大输出为42V/3A的AT8841双通道H桥电机驱动芯片,提供2 bits电流控制和4个电流台阶。
最大漏源电压60V的合科泰MOS管HKTD80N06,可承受80A连续漏极电流,适用于电机驱动和电源等
合科泰电子生产的一款MOS管HKTD80N06产品采用N沟道制作,它具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压60V,栅源电压20V,连续漏极电流80A,漏源导通电阻0.0065欧姆,最小栅极阈值电压2V,最小栅极阈值电压4V,耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩电压、模压塑料材料温度可靠等特点。高电流承载能力,能承受高达80A的连续漏极电流,使得它非常适合于需要高电流的应用场景。
SOP-8封装的P沟道MOS管AO4435,漏源电压-30V,可用于电源、电机驱动等
本期合科泰给大家介绍一款应用广泛的P沟道MOS管AO4435,可用于电源、电机驱动等应用。具有超低的导通电阻,超低的栅极电荷,非常大的连续漏电流,适合相对较大的大电流应用,AO4435管在电流和电压的控制方面表现出色,当栅极施加电压时,形成电场控制沟道的导电性,进而调节漏源电流,它的开关速度快,效率高,可用于负载开关或PWM应用,具有相对较低的阈值电压,在低电压场景下也能实现关闭,进而工作。
你好,请问有无步进电机驱动,要求车规级,1A的驱动电流,有无推荐呢?
推荐国产拓尔微的TMI8420/Q-Q1。车规级的步进电机,最少1A的驱动电流,可以用于HUD等场合。参考:https://www.sekorm.com/doc/3794632.html
合科泰HKTD5N20 MOS管,最大漏源电压可达200V,广泛应用在电机驱动和电源上
合科泰生产的这款MOS管HKTD5N20具有良好的电气性能,其采用N沟道制作,能承受的最大漏源电压达200V,栅源电压±20V,连续漏极电流5A,漏源导通电阻0.57欧姆,最小栅极阈值电压2V,最大栅极阈值电压4V,耗散功率78mW。产品具有高耐压耐电流能力,适用于很多高压应用场景。
需要一颗BLDC驱动ic,MOS管集成在ic里面,12V供电电压,6A峰值电流,有合适的吗?
推荐SGM的SGM42560,MOS集成在ic里面可以直接驱动BLDC,12电压; 具体链接:https://www.semiee.com/file/VISVIE/SGMICRO-SGM42560.pdf
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