请问是否有替代安森美NTGD1100LT1G的物料推荐？

请问是否有替代安森美ntgd1100lt1g的物料推荐？
创建于2023-05-19

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用户_9881 (0)

推荐台舟电子的tpntgd1100lt1g，可P2P替代NTGD1100LT1G，详情可参考https://www.sekorm.com/product/508694827.html

创建于2023-05-19

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请问是否有替代安森美的NC7S04P5X反相器的国产物料推荐？

你好，推荐评估国产圣邦微电子的SGM7SZ04XC5G/TR，可P2P替代NC7S04P5X，详情可参考https://www.sekorm.com/doc/3657078.html

2023-06-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务国产替代

请问有安森美74ACT138SCX的国产替代物料推荐吗？最好是P2P的

你好，推荐您评估富满电子的74HC138B，可P2P替代安森美74ACT138SCX，详细信息可参考链接https://www.sekorm.com/doc/2405339.html

2023-02-01 - 技术问答代理服务技术支持采购服务国产替代

请问是否有可P2P安森美SCV431BSN1T1G的国产基准源？

你好，推荐您评估国产圣邦微基准源SGM431VBXN3LG/TR,，可P2P替换安森美SCV431BSN1T1G，详细信息可参考https://www.sekorm.com/doc/2696314.html

2022-11-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务国产替代

请问有替代M260的安森美模块吗？

世强暂不供应安森美的模块，无法提供相关的支持，请知悉

2019-04-15 - 技术问答国产替代

安森美的三极管bcp69t1g货期太长有没有国产替代方案?

PNP型晶体管，推荐Central semi的CBCP69，和BCP69T1G是PIN-to-PIN的产品。资料链接：https://www.sekorm.com/doc/44019.html

2018-11-07 - 技术问答代理服务技术支持采购服务国产替代

TPNTGD1100LT1G带电平转换的负荷开关

台舟电子 - LOAD SWITCH,负载开关,TPNTGD1100LT1G,BATTERY PACKS,BATTERY-POWER PORTABLE EQUIPMENT,CELLULAR TELEPHONES,电池供电便携式设备,CORDLESS TELEPHONES,电池组,行动电话,无线电话

2023/3/3 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

NTGD1100L双P沟道带电平漂移的小信号MOSFET产品概述

NTGD1100L是一款双通道P沟道小信号MOSFET，具有电平移位功能。该器件适用于便携式电子设备，具有低控制信号、低电池电压和高负载电流的特点。它集成了P沟道和N沟道MOSFET，P沟道作为负载开关，N沟道通过外部电阻实现电平移位。该器件具有极低的RDS(on)值，内部ESD保护，并支持低至1.5V的逻辑信号驱动。

ONSEMI - 双P沟道小信号MOSFET,DUAL P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET,NTGD1100L,NTGD1100LT1G,PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT,便携式电子设备

8/15/2019 - 数据手册国产替代

产品概述NSS30100L：低VCE（sat）晶体管，PNP，30 V，2.0 A

该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的NSS30100L型号的低VCE(sat) PNP晶体管。该晶体管具有超低饱和电压VCE(sat)和高电流增益特性，适用于低压、高速开关应用，强调其在低成本高效能能源控制中的重要性。

ONSEMI - MINIATURE SURFACE MOUNT DEVICES,低V-CE（SAT）晶体管,微型表面贴装器件,LOW V-CE(SAT) TRANSISTOR,NSS30100L,NSS30100LT1G,NSV30100LT1G,马达,外围驱动器,BATTERY CHARGING,COMPLIMENTARY DRIVER,DC/DC变换器,EXTERNAL PASS TRANSISTOR,免费驱动器,MOTORS,LEDS,阴极荧光灯驱动器,RELAYS,负荷切换,外部传输晶体管,LOAD SWITCHING,继电器,电池充电,发光二极管,CATHODE FLORESCENT LAMP DRIVE,DC/DC CONVERTER,PERIPHERAL DRIVER

12/29/2017 - 数据手册国产替代查看更多版本

MC100LVEL16 3.3V ECL差分接收机

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July, 2015 - 数据手册 - Rev. 7 国产替代查看更多版本

MC100LVEL16 3.3V ECL差分接收机

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MC100LVEL16 3.3V ECL差分接收机

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MC100LVEL16 3.3V ECL差分接收机

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MC100LVEL16 3.3V ECL差分接收机

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July, 2015 - 数据手册 - Rev. 7

MC100LVEL16 3.3V ECL差分接收机

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July, 2015 - 数据手册 - Rev. 7

NSS30100LT1G 30 V，2 A，低VCE（sat）PNP晶体管

该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的NSS30100LT1G型号的低VCE(sat)晶体管。该晶体管属于e2PowerEdge系列，具有超低饱和电压和高电流增益特性，适用于低电压、高速切换应用，如DC-DC转换器和便携式产品的电源管理。资料详细说明了该产品的电气特性、热特性、封装尺寸和订购信息。

ONSEMI - NSS30100LT1G NSS30100LT1G,NSV30100LT1G

October, 2016 - 数据手册 - Rev. 4 国产替代

NTGD1100L 8 V、3.3 A MOSFET-功率、P沟道、带电平转换的负载开关，TSOP-6

ONSEMI - 功率P沟道MOSFET,POWER P-CHANNEL MOSFET,NTGD1100L,NTGD1100LT1G,便携式电子设备,PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT

December, 2019 - 数据手册 - Rev. 12 国产替代

MC100LVEL11 3.3V ECL 1:2差分扇出缓冲器

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January, 2015 - 数据手册 - Rev. 13 国产替代查看更多版本

MC100LVEL11 3.3V ECL 1:2差分扇出缓冲器

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January, 2015 - 数据手册 - Rev. 13

MC100LVEL11-3.3V ECL 1：2差分扇出缓冲器

该资料介绍了MC100LVEL11差分1:2扇出缓冲器，具有高带宽输出转换、低传播延迟和内部输入下拉电阻等特点。适用于需要极高AC性能的应用，如PECL和NECL模式下的时钟分配。

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2020/10/19 - 数据手册 - Rev. 13

MC100LVEL11 3.3V ECL 1:2差分扇出缓冲器

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January, 2015 - 数据手册 - Rev. 13

MC100LVEL11 3.3V ECL 1:2差分扇出缓冲器

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January, 2015 - 数据手册 - Rev. 13

MC100LVEL11 3.3V ECL 1:2差分扇出缓冲器

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January, 2015 - 数据手册 - Rev. 13

MC100LVEL11 3.3V ECL 1:2差分扇出缓冲器

MC100LVEL11是一款高性能的差分1:2扇出缓冲器，具有330 ps的传播延迟和5 ps的输出偏斜。该器件适用于需要极高AC性能的应用，具有内部输入下拉电阻和Q输出默认低电平的特性。

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January, 2015 - 数据手册 - Rev. 13

NTGD1100L、STGD1100L MOSFET–功率、P沟道、带电平转换的负载开关、TSOP-6

该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的NTGD1100L和STGD1100L两款MOSFET产品。这些产品集成了P和N通道MOSFET，适用于便携式电子设备，具有低控制信号、低电池电压和高负载电流的特点。NTGD1100L特别设计为负载开关，而N通道MOSFET则作为电平转换器来驱动P通道。

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May, 2019 - 数据手册 - Rev. 11 国产替代