想找一款隔离驱动，用在IGBT的驱动应用上，之前使用的是1ed3321，现在想找一款国产芯片的替换，

想找一款隔离驱动，用在igbt的驱动应用上，之前使用的是1ed3321，现在想找一款国产芯片的替换，有没有合适物料推荐？
创建于2023-05-27

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ybb Lv7 (0)

您好，推荐评估一下slmi335，规格书参考https://www.sekorm.com/doc/3748498.html

创建于2023-05-27

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在设计一款100kW电动大巴驱动器时，功率模块采用的600A/1200V IGBT半桥模块，求推荐一款隔离驱动芯片驱动该IGBT模块，同时实现可靠的保护功能？

推荐采用PI的隔离驱动芯片SID1182K，该芯片驱动电流最大输出8A，可直接驱动600A以下的IGBT模块，无需外加推挽电路，降低BOM成本并减小PCB面积。同时该芯片集成Vce检测和高级软关断功能，在IGBT发生短路故障时，可有效关断IGBT，保护IGBT模块不被损坏。

2018-04-28 - 技术问答国产替代

世强代理的有国产的IGBT模块吗，伺服驱动器上面需要找IGBT模块，想找一下合适的物料，帮忙多推荐几家做一下对比。

您好，国产IGBT模块，扬杰，参考资料：https://www.sekorm.com/chapter/7640.html 乐山希尔： https://www.sekorm.com/selection/825.html?searchValue=%E6%89%AC%E6%9D%B0IGBT%E6%A8%A1%E5%9D%97%E9%80%89%E5%9E%8B＆selectionOnId= 芯达茂：https://www.sekorm.com/selection/1543.html?searchValue=%E8%8A%AF%E8%BE%BE%E8%8C%82＆selectionOnId=

2023-04-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

目前在做一个大功率焊机项目，使用1200V 600A 6管IGBT模块，帮忙推荐一款，另外关于IGBT模块的存放和搬运要注意哪些事项？

目前威科6管模块，电流最大到200A，针对1200V 600A的需求可以使用600A半桥IGBT模块，推荐德国威科A0-VS122PA600M7-L759F70，VINco E3封装兼容英飞凌FF600R12ME4，优势：半桥模块都采用三菱M7晶圆，总损耗比英飞凌低15%左右。VINco E3封装兼容英飞凌ECONO封装，详细参考：https://www.sekorm.com/doc/60036.html 。 IGBT模块的存放和搬运：存放：1、保持温蒂在5-35℃，湿度45-75%最为适宜。2、避免腐蚀气体的场所，3、IGBT模块未使用时请勿拆下安装于信号门极、发射极端子的导电性海绵。搬运：1、运输中按照正确的方向放置，禁止倒放，竖立 2、产品保运时请勿受到冲击霍着跌落，3、在雨天运输，要采取防潮措施，3、在进行搬运存放国产中要使用带防静电功能的防静电箱，盒等。

2021-06-03 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

IGBT模块的驱动电压是多少？

IGBT模块的规格书里有，你可以自己看看。一般不超过20V。推荐15V

2018-12-21 - 技术问答

碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？

从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。

2018-04-10 - 技术问答

【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别

目前Silicon Labs推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235，目前也是主流用在车载DC-DC，及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片，本文针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述，设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。

2019-02-03 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子开发的车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产，集成负压驱动/短路保护

瞻芯电子开发的3款5.7kVrms隔离型、单通道栅极驱动芯片IVCO141x正式量产，并导入多家客户试用。IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能，是针对SiC MOSFET应用特点而设计的比邻驱动®(NextDrive®)系列芯片之中的隔离型产品。现已获得车规级可靠性认证（AEC-Q100）。

2024-08-13 - 产品代理服务技术支持采购服务

兼容光耦型输入吗？用于光伏、储能等应用的隔离驱动

推荐思瑞浦（3peak）TPM2351X系列增强型隔离驱动产品，具有6000VRMS隔离耐压能力，支持超宽体封装，VDD-VEE最大耐压：40V，驱动能力4.5A/5.5A，浪涌能力：12.8kV peak，点击了解更多内容：https://www.sekorm.com/news/87111502.html

2023-11-01 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。

2019-05-06 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】Silicon Labs隔离驱动应用在LLC电路中节省成本和解决上电驱动紊乱的办法

LC电路拓扑因其可以实现变压器原边开关管的ZVS(Zero voltage switch)开通，变压器副边二极管的ZCS（Zero Current switch）关断，成为高效率高功率密度需求下的主要DC/DC拓扑，受到广大工程师的青睐。但是实际应用中怎么去驱动LLC的开关管呢？以全桥LLC为例，上开关管与下开关管不共地，因此我们需要隔离驱动上开关管。

2019-06-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务