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- lilyfeng Lv7 (0)
- 推荐扬杰科技yjg100n04a，这个电流偏小，导通电阻偏大，资料链接https://www.sekorm.com/doc/2229561.html
- 创建于2023-05-27
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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Standard
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在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。
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可定制分流器电阻范围20uΩ~100uΩ，可自由设计铜排形状尺寸，电镀：镀锡/镀镍。支持RoHS指令 、AEC-Q200。认证资格：IATF16949;ISO9001；检测精度：0.1%。
最小起订量：100个 提交需求>
配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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