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MOS驱动芯片LMG1020 有什么其它封装的替代品吗？
TI的MOS驱动芯片LMG1020是一款高频开关驱动，最小脉宽支持到1ns，主要用于GaN和MOSFET的驱动，开关延时也只有1-4ns左右，针对这个参数，目前暂无合适产品替换，接近这个参数，推荐国产瞻芯电子的IVCR1407,支持8ns的脉宽，开始延时最大值在30ns，SOT23-6封装，相关资料参考：IVCR1407 24V 4A 拉、灌电流 单通道驱动器。
mos驱动芯片，半桥，隔离的有哪些芯片能推荐一下呢！ ？
推荐使用用SGMICRO（圣邦微）推出的MOS驱动芯片SGM48000，双通道正相输入，能够提供最大2A的峰值电流，并且工作温度范围可达-40℃~+125℃，采用TDFN-2×2-8L和SOIC8两款封装。可以参考文章：【应用】低成本高性能的MOS驱动芯片SGM48000助力电源双路MOSFET驱动。隔离驱动芯片推荐Silicon Labs的隔离驱动芯片SI8273，具有4A的峰值驱动电流，可以满足到MHz的开关频率，CMTI的典型值到200Kv/us，驱动侧供电电压支持到30V,可以用来驱动SIC MOS管驱动，相比其它的驱动芯片，可以提供高的可靠性。可以参考文章：【应用】高可靠性隔离驱动芯片SI8273助力驱动SIC MOS管。
电机驱动项目中有半桥MOS驱动芯片的需求，要求高压侧85V，工作电压5.5V至20V，有什么推荐么？
推荐聚辰半导体GT8101-DIGI-TR，100V VBOOT 电压，1A驱动电流能力，驱动1nF负载时，上升及下降时间20nS， 5.5Vto 18V的工作电压。资料：https://www.sekorm.com/doc/2367538.html
1KW DCDC项目上，需要个sic mos驱动芯片，输入一个PWM信号，通过驱动芯片（可以组合）实现两路互补的PWM信号输出，能直接驱动一个半桥，请问有什么合适的推荐？
您好，推荐SLMI8234BDCG-DG 数据手册如下:https://www.sekorm.com/doc/3048453.html
世强是否有国产隔离MOS驱动芯片？
国产奥伦德OR-3120门驱动光电耦合器，可用于驱动功率IGBT和MOSFET，绝缘电压3750Vrms，工作温度从-40℃到100℃，共模抑制比高达35kV/uS，参考规格书：https://www.sekorm.com/doc/2164132.html
屹晶微电子（Egmicro）逆变器/驱动芯片/电源管理芯片/D类功放/传感器/运放/单片机/安防报警产品选型指南
公司简介 产品概览 逆变器/驱动芯片 非隔离DC-DC 大功率AC-DC 中小功率AC-DC 电池充电管理芯片/移动电源管理芯片 线性电源/LED驱动/D类功放 微波红外感应/滚动码/霍尔传感器 运放/比较器/单片机 解决方案
屹晶微电子 - MEDIUM POWER AC-DC,中小功率AC-DC,电池充电管理芯片,D类功放,NON-ISOLATED DC-DC,运放芯片,D类放大器,滚动码芯片,滚动码,DRIVE,三相SPWM逆变器,逆变器发电机专用芯片,低成本8位单片机,定时芯片,HALL SENSOR,LED驱动芯片,单片机,逆变器,双重定时芯片,电池充电管理,比较器,32位单片机,HALL传感器,三相逆变器,驱动,HIGH POWER AC-DC,LED DRIVE,LED驱动器,电源管理芯片,线性电源,LDO,COMPARER,放大器,D-CLASS AMPLIFIER,比较器芯片,带ADC PWM功能单片机,LED驱动,INVERTER,单相SPWM逆变器,霍尔传感器,正弦波逆变器,微波红外感应,AMPLIFIER,中功率AC-DC,数码发电机逆变器,逆变器芯片,驱动芯片,移动电源管理芯片,大功率AC-DC,单相逆变器,纯正弦波逆变器,非隔离DC-DC,MOS驱动,MCU,运放,EG1182,EG6599,EG1185,EG4002C,EG12521,EG1611,EG3116,EG3113,EG8025,EG8542,EG0001,EG3112,EG1177,EG4321,EG8301,EG8543,EG4320,EG7335,EG8303,EG8305,EG3116D,EG1205,EG8030,EG4319,EG4318,EG1169,EG78L05,EG2136,EG1203,EG2134,EG1165,EG201,EG200,EG1164,EG2132,EG324,EG2133,EG1166,EG276,EG393,EG1163S,EG1513,EG1516,EG3014,EG3012,EG8401,EG3013,EG8403,EG8405,EG1190,EG1192,EG2181D,EG1191,EG2113D,EGS003,EG1503,EG8371,EG8010,EG3525,EG1501,EG8011,EG3003,EG1187,EG2113S,EG1186,EG3001,EG1189,EG3002,EG301,EG1188,EG6830,EG6831,EG49,EG8060,EG2108,EG2106,EG2103,EG2104,EG1253,EG1252,EG1131,EG1133,EG4002,EG4001,EG1130,EG2184,EG4361,EG2181,EG4360,EG2183D,EG1125,EG2334,EG1127,EG1126,EG1121,EG1120,EG1123,EG41,EG2130,EG7500,EG1160,EG2131,EG1163,EG2104S,EG1162,EG2104M,EG2808,EG3112D,EG4427,EG358,EG1127L,EG2126,EG2123,EG2003,EG2124,EG2121,EG2122,EG1151,EG3846,EG3113D,EG3844,EG2113,EG27324,EG5620,EG27325
【应用】国产驱动芯片应用在无刷直流电机上，电源供电标准电压最大可达20V
屹晶微厂牌的驱动芯片 EG2103 型号，内部有两组推挽结构的MOS驱动，分别控制着上HO 和 下LO引脚的高低电平输出，非常适合作为MOS的驱动，高压水泵控制系统，高压直流电机，移动快充高压开关控制等产品的选型应用。
EG2032 芯片数据手册 MOS 管栅极驱动芯片
EG2032是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，适用于无刷电机控制器等应用。芯片具有高端悬浮自举电源设计，耐压可达220V，适应5V、3.3V输入电压，最高频率支持500KHZ，输出电流能力IO+/- 1A/1.5A，内建死区控制电路和闭锁功能，封装形式为SOP8。
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【应用】屹晶微MOS驱动芯片EG2132用于户外电源，静态功耗低至100μA，宽电源电压宽8～20V
户外电源衍生出光伏补能的户外电源，可以在户外也能实现给电源补能的产品。其中户外电源逆变部分屹晶微MOS驱动芯片EG2132最大静态电流低至100μA，满足低功耗需求设计，具有闭锁功能防止输出功率管直通，烧毁功率管。
【应用】大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片EG2131用于电动玩具车，耐压可达300V
电动玩具车中的电机靠MOS管搭建桥式电路来驱动。本文推荐屹晶微电子栅极驱动芯片EG2131，高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽11V～20V，静态功耗小于100μA；最高频率支持500kHz，输出电流能力IO+/- 1A/1.5A。
EG2005 MOS 管栅极驱动芯片数据手册
EG2005是一款由屹晶微电子有限公司生产的MOS管栅极驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的驱动。该芯片具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达220V，支持5V和3.3V输入电压，最高频率达500kHz。它内置死区控制和闭锁功能，输出电流能力为±0.3A/±0.6A，并采用SOP8封装。
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【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项
目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。
屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片：悬浮电源60~600V，低端电源 2.8~36V，不同的输入逻辑，有1/2/4/6四种通道，死区0~1300ns等参数。
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产品型号
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品类
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悬浮电源 V
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低端电源 V
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输入逻辑
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输出电流 A
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低端电源欠压保护(V)
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高端电源欠压保护(V)
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闭锁保护
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使能
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开延时（Ton）LO/HO
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关延时（Toff）LO/HO
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上升时间（Tr）LO/HO
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下降时间（Tf）LO/HO
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死区（nS)
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通道
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封装
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替代、兼容型号
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特点
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EG1160
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单相半桥驱动芯片
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600
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10-20
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HIN, LIN
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2.0/2.5
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8.5/7.9
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8.2/7.5
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有
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有
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280/300
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150/170
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120/120
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80/100
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160
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2
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SOP16
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-
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带运放+比较器+LDO+SD
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EG2104 带 SD 功能 MOS 管驱动芯片用户手册
EG2104是一款集成逻辑信号输入处理、死区时间控制等功能的高性能MOS管驱动芯片。它具有高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V，适用于多种电压输入（2.8V-20V）。该芯片具备低静态电流（<1uA）、高输出电流能力（IO±2A/2.5A）等特点，广泛应用于移动电源、高压快充、无线充电等领域。芯片采用SOP8封装，提供详细的电气特性和典型应用电路图。
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EG2124A 芯片数据手册：三相独立半桥驱动芯片
EG2124A是一款高性能的三相独立半桥驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动。它具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达260V，集成三路独立半桥驱动，支持5V、3.3V输入电压，最高频率达500kHz。该芯片还包含欠压保护和内建死区控制电路，提供TSSOP20和QFN24两种封装形式。
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：成都 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
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