请问，什么是雪崩（在电子电路中）？雪崩测试是如何测试的？产品100%雪崩会不会造成危害？为什么?

请问，什么是雪崩（在电子电路中）？雪崩测试是如何测试的？产品100%雪崩会不会造成危害？为什么?
创建于2023-11-23

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小学生攻城狮 Lv8 . 研究员 (0)

指施加电压时的抗击穿性,当功率mosfet在反向偏置时,受漏极电压、电流等电气量变化的影响,内部的载流子会被引发雪崩式倍增, 导致功率MOSFET雪崩击穿

创建于2023-11-27

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在电子电路中如何选择PTC？

计算电电路额定最大电流以及环境温度选择器件的保护电流和温度等级

2018-12-21 - 技术问答

如何选择电子电路中元件的值？

这个问题也太大，说几点供参考：电路中元件的值多数不用计算，参考典型电路就成。典型电路：工作电压、工作频率、核心元件（三级管或者集成电路）、电路功能（如：放大、振荡、开关、稳压等等）等等相同或者接近。核心元件周围的元件，电阻、电容、电感，基本相同或者稍作修改。电路元件的计算也要与实验相结合。

2018-11-23 - 技术问答

共振在电子电路中常见吗？有何方法避免？

共振很常见，有些共振是有益的，比如天线。有些共振是有害的，比如振动器件和外壳共振。不同类型的共振，采用的处理办法不同。

2017-11-06 - 技术问答

高频电力电子电路中,示波器测量电压信号有很多尖峰,原因为何?？

多为诸如Wi-Fi，移动通信等高频干扰信号。在示波器探头前串一只磁珠可明显减少。

2019-08-20 - 技术问答

HI-SEMICON中低压功率MOSFET选型表

HI-SEMICON提供中低压功率MOSFET以下参数选型，VDS[max] (V)：-200~200V，ID[max](25℃) (A)：-140~450A

RDS(on)[typ] (@4.5V) (Ω)

选型表 - HI-SEMICON 代理服务技术支持采购服务立即选型

NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

选型表 - NCE 代理服务技术支持采购服务立即选型

瑞之辰同步整流芯片选型表

瑞之辰提供关于同步整流芯片的以下参数选型。工作模式：DCM、DCM+QR、CCM+DCM+QR；MOSFET：内置、外置，MOSFET耐压：≧40V、≧60V、≧80V；RDS(ON)：5mΩ-28mΩ，最大输出电流：<8A、24A-3.4A

产品型号	品类	工作模式	MOSFET	MOSFET耐压	RDS(ON)	最大输出电流
RZC3650C	同步整流芯片	CCM+DCM+QR	内置	≧40V	16mΩ	3A

选型表 - 瑞之辰代理服务技术支持采购服务立即选型

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技代理服务技术支持采购服务立即选型

明芯微电源管理芯片选型表

无锡明芯微高边开关、低边驱动、理想二极管、E-Fuse、负载开关、氮化镓驱动、激光雷达驱动、SSR、PSR选型表。理想二极管：1-50v 理想二极管，内置10毫欧FET；E-fuse：30毫欧内阻 E-Fuse，外部分压电阻过压保护；高速比较器：4ns双通道高速比较器；负载开关：100毫欧，2.5A，1-5V负载开关；低边驱动：单、双通道，低边驱动，耐压20V，MSOP8小封装；SSR：大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过温保护自恢复。

产品型号	品类	描述	开关频率(Khz)	导通特性	模式
MX1210T	反激芯片SSR	大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过压过温输入欠压保护自锁	65Khz	准谐振	Burst mode

选型表 - 明芯微代理服务技术支持采购服务立即选型

瑞之辰MOSFET选型表

瑞之辰提供关于MOSFET的以下参数选型：电压：600V-1200V，连续漏极电流：10~800A，最大功率：15-686W，导通电阻：1.8mΩ@18V,225A，BVDSS：-30V-60V，VGS：±12V-±20V，ID@25℃:-10A-130A，VGS（TH）：-2.5V-2.5V，PD：1.5W-150W，Configuration：Single、Dual、Complementary

产品型号	品类	电压	连续漏极电流	最大功率	导通电阻
RNJ120R16C2	高功率MOSFET	1200V	90~127A	119W	13.5mΩ@18V,127A

选型表 - 瑞之辰代理服务技术支持采购服务立即选型

真茂佳MOSFET选型表

真茂佳MOSFET，品类为power MOSFET和power speedFET，TO-252/DFN/TOLL等多种封装形式，VDSS Min(V)：-30~150V，VGS(V)：±20V，ID(A) Tc=25℃：-1.8~475A，PD(W) Tc=25℃：6~375W，Ciss(pF)：275~10870pF，Coss(pF)：33~9658pF，Crss(pF)：3.7~854pF，Rg(Ω)：1.2~9Ω，Qg(nC)：7~185nC，Qgs(nC)：1.5~51C，Qgd(nC)：0.9~49nC，Operating Temperature(℃)：-55~175℃

Operating Temperature(℃)

选型表 - 真茂佳代理服务技术支持采购服务立即选型

德普微电子MOSFET选型表

德普微电子提供以下参数的P沟道增强模式MOSFET和N沟道增强模式MOSFET及N+P-MOSFET选型，Vᴅss：-100V~800V，ID(A)：-56A~414A,

产品型号	品类	封装/外壳/尺寸	Configuration	VDS(V)	VGS(V)	ID(A)	Vth(V)	VGS4.5V.TYP(V)	VGS4.5V.MAX(V)	VGS2.5V.TYP(V)	VGS2.5V.MAX(V)
DP8202	N-MOSFET	CSP 4L	Dual	12V	±10V	6A	0.8V	6.8V	8.5V	10V	12.5V

选型表 - 德普微电子代理服务技术支持采购服务立即选型

晶导微电子碳化硅MOS选型表

晶导微电子提供碳化硅MOSFET选型，涵盖650V至1200V的漏源电压（VDSS）和108A至92A的连续漏极电流（ID）。产品具有低导通电阻（Rdson，低至20mΩ）、高开关速度（低输入电容Ciss，低至1100pF）和宽工作温度范围（-55℃至175℃）。封装形式包括TO-247-3L和TO-247-4L，适用于高功率密度和高效率的电源转换应用，如电动汽车、工业电源和可再生能源系统。用户可根据电压、电流和封装需求选择合适的型号。