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使用V3M SOC,需要开启ISP直通功能,MD14在启动阶段需下拉,启动之后功能切换为VIO_CLKENB,开启ISP直通需要拉高VIO_CLKENB,我方软件在V3M启动后将VIO_CLKENB配置成上拉输入,实际配置为out32 0xe6060404 0x001f7ff1,实测上拉很弱,,此内部上拉电阻与外部10K下拉电阻分压后电压很低,需将外部下拉电阻改成300K才能较稳定识别为高电平,这个上拉电阻配置是否正确?有更强的上拉可以配置吗?若无更强上拉,此PIN脚输入需要多大电流能稳定识别高电平?
这个问题还是建议做电气隔离来做启动引脚和VIO_CLKENB功能。 不能保证300K的下拉能每次稳定地识别到低电平启动。
EFM32系列MCU的GPIO的可选功能如上下拉电阻、滤波等,是否能单独配置?
EFM32系列MCU引脚所具有的可选功能,如上拉电阻、下拉电阻、滤波等功能并没有独立控制使能位,EFM32将这些功能和引脚选项组织成各种模式,这些可选的模式在CTRL寄存器的MODE位域中配置。需要使用相关的功能时,只需选择相应的模式即可。
RJM8L151C8T6 芯片内部普通IO是否有上下拉电阻?
您好,RJM8L151用户开发指南中提示“只有 P04~P07 有内部上/下拉功能且可以软件配置,电路设计时,其余IO 口用作输入时,根据实际项目需求增加外部上拉”。具体内容请参考:《RJM8L151用户开发指南》资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2740728.html;及《RJM8L151系列用户手册》资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2402975.html
你好,APM32F103VCT6未使用的 IO 口是否需要硬件外部上拉或软件配置成输出、上拉输入模式?
不需要,对于不使用的IO 口建议配置成模拟输入模式防止漏电流。
看rcar salvator开发板上大多模块的引脚都有接外部上下拉,请问是否可以直接用内部上下拉呢,内部上下拉的阻值是否是可以配置的?
Rcar有些模块是可以支持不同的工作电压的,所以内部是可以配置不同的上下拉电阻的,但是没有资料说明阻值大小。阻值大小影响的是驱动电流,可以根据电气特性手册中提供的电流值来判断是否符合要求,从而确定是否可以去掉外部上下拉。驱动能力的配置可以参考UM的DRVCTRL寄存器。
【经验】解决国民技术MCU在复用SWD引脚后不能烧录的问题
国民技术MCU具有非常灵活的GPIO复用配置,但是在使用SWD复用为GPIO时,会存在SWD失效的问题,在SWD失效后,MCU无法正常开启仿真、烧录。本文介绍如何在复用GPIO后,重新启用烧录。
国民技术MCU选型表
国民技术提供车规MCU,电控MCU,高性能MCU和通用MCU的参数选型,内核:Arm® Cortex®-M0和Arm® Cortex®-M4F,主频(MHz):48~144,Flash(KB):16~512,SRAM(KB):3~144。
产品型号
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品类
|
内核
|
主频(MHz)
|
Flash(KB)
|
SRAM(KB)
|
I/O
|
工作电压(V)/工作温度(°C)
|
高级定时器
|
通用定时器
|
基础定时器
|
低功耗定时器
|
RTC
|
PWM
|
互补PWM
|
ADC个数x精度
|
ADC通道数
|
DAC
|
USART/ISO7816/LIN
|
UART/LIN
|
SPI/I2S
|
I2C
|
CAN-FD
|
DMA/通道数
|
Cryptographic algorithm
|
封装
|
SPQ(PCS)
|
N32H487REL7
|
高性能MCU
|
Arm® Cortex®-M4F
|
240
|
512
|
196
|
54
|
1.8V~3.6V/-40~+105°C
|
3
|
10
|
2
|
2
|
1
|
47
|
30
|
4x12bit
|
26
|
2x12bit
|
4
|
4
|
5/2
|
4
|
3
|
2/16
|
DES/3DES、AES、SHA1/SHA224/SHA256、SM3、SM4、MD5、CRC16/CRC32、TRNG
|
LQFP64
(10mm*10mm)
|
160/盘
|
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