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N32WB03x怎么获取芯片唯一的ID
唯一的UID寄存器起始地址:0x1FFF_F7F0,长度 96 位,详细请参考相关型号的用户手册。
我们的产品需要使用唯一的ID号来执行加密算法,请问EFR32FG23芯片有唯一的ID号吗?如果有的话,需要怎么读取它的唯一ID号?
EFR32FG23芯片有64位的唯一ID号,可以通过SYSTEM_GetUnique()函数来读取芯片的唯一ID号。具体方法可以参考文章:【经验】解析无线SoC芯片EFR32FG23读取Unique ID的方法,文章链接:https://www.sekorm.com/news/96714693.html
MLX81108可以读取芯片的唯一ID吗?如果可以的话ID读取地址是多少,望赐教
这个唯一ID指的是什么?81108没有芯片出厂自带的每片不一样的编号。自定义的编号可以在软件里修改,并用LIN打印出来。
无线收发芯片Si4438是否有可识别的内部唯一ID号?
Si4438没有可识别的内部唯一ID号,需要在MCU端在烧录Flash的时写上唯一ID号。
Cortex-M3/M4内核EFM32系列MCU是否有唯一设备ID号?如何读取该ID号?
Cortex-M3/M4内核EFM32系列MCU每一片都具有全球唯一设备ID号,该ID号由8个字节组成,存储于FLASH地址0x0FE081F0~0x0FE081F7地址中,软件上可以通过调用SYSTEM_GetUnique()函数获取该ID号。
国民技术MCU选型表
国民技术提供车规MCU,电控MCU,高性能MCU和通用MCU的参数选型,内核:Arm® Cortex®-M0和Arm® Cortex®-M4F,主频(MHz):48~144,Flash(KB):16~512,SRAM(KB):3~144。
产品型号
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品类
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内核
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主频(MHz)
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Flash(KB)
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SRAM(KB)
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I/O
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工作电压(V)/工作温度(°C)
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高级定时器
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通用定时器
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基础定时器
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低功耗定时器
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RTC
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PWM
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互补PWM
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ADC个数x精度
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ADC通道数
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DAC
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USART/ISO7816/LIN
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UART/LIN
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SPI/I2S
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I2C
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CAN-FD
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DMA/通道数
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Cryptographic algorithm
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封装
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SPQ(PCS)
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N32H487REL7
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高性能MCU
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Arm® Cortex®-M4F
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240
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512
|
196
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54
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1.8V~3.6V/-40~+105°C
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3
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10
|
2
|
2
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1
|
47
|
30
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4x12bit
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26
|
2x12bit
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4
|
4
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5/2
|
4
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3
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2/16
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DES/3DES、AES、SHA1/SHA224/SHA256、SM3、SM4、MD5、CRC16/CRC32、TRNG
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LQFP64
(10mm*10mm)
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160/盘
|
请问国民技术的N32G45x系列MCU,引脚可以上拉到 5V 吗?所有IO都支持5V吗?
您好,具备 5V 容忍的引脚才能外接上拉电阻到 5V, 不具备的引脚不能外接超过芯片 VDD 的电压, 否则会造 成芯片模拟外设异常,比如 ADC/DAC;IO是否支持5V,可参考数据手册管脚定义表格中的 I/O 电平类型 FT: 代表该 IO 可以容忍 5V、TC: 为普通 3.3V 数字 IO。 手册链接:https://www.sekorm.com/doc/2233049.html
智能家居中控项目使用国民技术的N32G452,进行FLASH写操作时,会出现程序卡死的现象,有什么好的解决办法?
在进行Flash操作时,如果被中断打断,就可能会出现异常情况。建议进行Flash擦写操作时,关闭中断。
医疗设备项目使用国民的N32G452,遇到看门狗误触发导致系统复位,这是什么原因?
如果没有在看门狗超时时间内喂狗,就会导致看门狗复位,所以需要缩短喂狗周期,最好采用定时器中断方式喂狗,并设置为高优先级,避免喂狗不及时。
执行 FLASH 擦除和写操作时,有哪些注意事项?
1. 进行闪存编程操作时(写或擦除),必须打开内部的 RC 振荡器(HSI);2. Flash 写操作仅支持 32 位操作,写操作之前需要先擦写 Flash;3. Flash 写操作需要地址字对齐,且地址范围不能超出芯片内存;4. 以防因电气干扰等原因产生对 Flash 的意外操作,对 Flash 的操作应按照解锁→操作→上锁顺序执行。
FLASH 操作的时候,CPU 是否可以进行其他操作?
在执行 FLASH 操作(擦除、编程和读)时,CPU 不能处理 FLASH 的指令操作(即不能进行代码或数据的读取操作,SRAM 运行代码时除外),为了保证稳定性,外设中断也应提前关闭。
操作 flash 时出现 ecc erro 错误,该如何解决?
芯片 FLASH 支持 ECC 硬件纠错,1bit 的错误能够自动纠正,纠正后会以 ecc_erro 的标志提示,清除该标志即可,不需要做特殊处理。其他错误类型可根据实际应用需求进行重写、超时、忽略、报错等处理。
Flash 的操作时长?
1. Flash 支持字编程、页擦除和整片擦除,Flash 字编程时间约 175us,页(512 字节)擦除时间约 2.27ms,整片擦除时间 34.1ms(详情参考数据手册);2. 读 Flash 的等待周期数可以通过寄存器配置,使用时需要结合 SYSCLK 时钟频率进行计算。比如:当 SYSCLK <=18MHz 时,等待周期数最小为 0;当 18MHz < SYSCLK <=36MHz 时,等待周期数最小为 1;当 36MHz < SYSCLK <=48MHz 时,等待周期数最小为 2。
Flash 下载程序异常,无法识别到芯片?
常见的情况有 3 种:1. 烧录端口在程序中被占用;2. 程序执行到低功耗模式;3. 芯片选项字节被修改,进入 L1、L2 或写保护。可以通过 SWD 从内置 SRAM 启动,来解除读/写保护和擦除 Flash 擦除程序解决下载异常,当选项字节被设置为 L2 保护则该模式被禁止,无法解除。具体硬件操作为:BOOT0 引脚拉高,芯片重新上电,解除 L1 保护或 Flash 全片擦除。
你好 GD32F103VCT6 请问这颗有技术支持吗?
您好,世强暂时没有代理GD的MCU产品。 给您推荐可以P2P替代的国民技术的N32G452VCL7,规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/2303538.html 世强可以支持N32G452VCL7
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