锂电保护IC应用中，保护板第一次上电后异常，不能充电不能放电，有可能是什么原因?
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创建于2024-07-28
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- 分析步骤：
1. 检查B- 以及每节电芯与保护板是否正常连接；
2. 不带电时，检查 TS 管脚对GND的阻值(是否小于3K),常温下阻值为10K左右， 排查是否触发高温保护；
3. 不带电时，检查芯片RS1、RS2端口对采样电阻两端的导通性；排查采样电阻或者RS2/RS1滤波电阻是否有贴错的情况出现(阻值远大于推荐值);
4. 带电时，测量芯片RS1和RS2端口压降，正常为0mV,排查是否触发过流保护；
5. 带电时，测量芯片VM管脚电平是否高于1.2V,排查芯片上电过程中误触发了欠压 保护或者放电过流保护后，芯片处于负载锁定状态。如果VM管脚电平高于1.2V, 则依次排查外围电路引起高电的原因：
> P+与 P-之间是否有外部电气连接，比如电子负载、电阻、大电容
> 对于6串及以上应用电路，检查VM管脚外的钳位电路中，NMOS 是否已经失
效(GS短路或者GS之间阻值变成百Ω~KΩ级别), 可换NMOS重新测试
> P+/P-之间续流二极管漏电过大，导致P- 电压被拉高，可以拆到该二极管验证
6. 带电时，测量芯片CHSE管脚电平是否低于1.2V,排查芯片上电过程中误触发了充电过流保护,误检测充电器一直存在，依次排查外围电路：
> P-与B-之间有电流通路，比如： P-与B-之间有电阻连接。 - 创建于2024-07-28
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锂电保护IC应用中，保护板第一次上电后异常，不能充电可以放电，有可能是什么原因?
不能充电可以放电的原因，可总结为以下几种可能： > 芯片因TS管脚“外接NTC异常”,触发充电低温保护 > 电芯电压高于过充电恢复阈值，触发过充电保护未退出 > 芯片VCN端口“漏电流较大”导致1K滤波电阻压降增大，VCN端口电压高于过充电恢复阈值，触发过充电保护未退出 > 充电MOS损坏或者充电MOS的GS端之间的偏置电阻贴错
锂电保护IC应用过程中，保护板第一次上电后，出现异常，不能放电可以充电，有可能是什么原因?
不能放电可以充电的原因，可总结为以下几种可能： > 电芯电压低于欠压恢复阈值，触发欠压保护未退出。 > 芯片VCN端口“漏电流较大”导致1K滤波电阻压降增大，VCN端口电压低于欠压恢复阈值，触发欠压保护未退出。 > 放电MOS损坏或者放电MOS的GS端之间的偏置电阻贴错
锂电保护IC应用中，保护板第一次上电后，发现保护板功耗偏大，有可能是什么原因?
分析步骤： 1. 测量芯片供电端VDDn管脚外1K滤波电阻上的压降，计算流入VDDn的电流(正 常芯片电流<25uA),然后测量VC1管脚外滤波电阻的压降，计算VC1管脚流入芯 片的电流(正常芯片电流<3uA)。 2. 如果以上电流异常，首先去掉VDDn管脚连接的电容和稳压管，排查是否由这两个元器件漏电引起的功耗偏大。 3. 测量CHG、DSG管脚外1K电阻上的压降，正常情况下，CHG管脚流出功耗在10uA 左右，DSG流出功耗在1uA左右(充电MOS的GS之间电阻为1M,放电MOS的 GS之间电阻为10M); 4. 测量芯片TS管脚对GND的电压，正常情况下，该管脚的电压以2秒为周期，峰值 0.6V左右跳变；如果出现较高、且稳定的电压，说明TS管脚有可能触碰到大于5V 的高压而被损坏； 5. 测量芯片的每个管脚的功耗，以确定是否存在电流流出的现象。
锂电保护IC应用中，保护板使用过程中，充电过程中发生充电MOS震荡现象，原因可能有哪些？
可总结为以下几种可能原因： 1. 如果充电电流和充电器电压相对较大，导致电芯电压高于过充电保护阈值后，由于电压较虚，很快又跌落到过充电恢复阈值以下，过充电保护解除，又开始充电； 2. 电芯电压一致性差。如果某节电芯电压相对偏高，该节电芯在充电时会先触发过充电保护，充电MOS关闭后，由于电压较虚，很快又跌落到过充电恢复阈值以下，过充 电保护解除，又开始充电； 3. 充电电流大于充电过流保护值，同时CHSE管脚由于连接异常不能正常检测到充电 器存在，导致充电过流保护后不能被充电器锁定； 4. 充电MOS(或者放电MOS)的GS之间电阻错帖为KΩ级别，导致CHG(或者DSG) 输出。高电平时，芯片功耗比较大，触发芯片欠压保护。CHG/DSG关闭后，芯片功耗 降低，由于充电器连接，欠压保护又立即释放，如此反复； 5. 放电MOS损坏，其GS之间等效阻抗变小，在DSG输出高电平时，芯片功耗比较 大，触发芯片欠压保护。 一旦DSG关闭后，芯片功耗降低，由于充电器连接，欠压 保护又立即释放，如此反复。
锂电保护IC应用中，保护板使用过程中，放电过流不保护，原因可能有哪些？
可总结为以下几种可能原因： 1. 采样电阻值选型不合适。芯片放电过流1的保护阈值为100mV,实际放电过流值小 于理论放电过流1保护值，就不可能触发放电过流保护； 2. 电流持续时间未达到过流保护延时要求； 3. CDC管脚外电容贴错。错帖为电阻，放电过流保护不会响应；错帖为容值较大容，保护延时会比较长； 4. 芯片RS1和RS2管脚短接； 5. 放电MOS损坏。
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