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牛角型铝电解电容器与针脚型电解电容器的区别？
牛角型铝电解电容器又叫基板自立型铝电解电容器和焊针型铝电解电容器，一般容量和电压都很大，所以普通的引线CP线承受不起大电流和大电压的冲击，有优良的高频、超长寿命、高可靠性、高纹波电流特性 引线型铝电解电容器又称为液态小体积电解电容器，小容量电解电容器，他们一般容量小，配合高电压，高电压配合小容量。可以分为引线型液态电解电容器和引线型固态电容器。
铝电解电容器的介电常数一般在多少？
铝电解电容器的介电常数(ε=８～１0)
黑金刚的铝电解电容器怎么样？
黑金刚是铝电解电容器的顶级制造商，全球市场占有率位列首位，同时，在铝电极箔的生产方面，其产量位居也世界第一。其生产的混合型电解电容更是集铝电解电容和固态电容优点于一身。
铝电解电容器求推荐？
铝电解电容世强有代理日本品牌NIPPON CHEMI-CON(黑金刚)和意大利品牌KENDEL，可通过以下链接了解具体内容：黑金刚：https://www.sekorm.com/doc/151447.html KENDEL:https://www.sekorm.com/doc/65947.html
铝电解电容器工作原理
基本结构：主要由阳极（铝箔）、阴极（另一层铝箔或电解质）、电介质（氧化铝膜）及封装材料组成。阳极铝箔经过电化学腐蚀处理，以增大其表面积增加电容量；阴极部分通常采用液体或固体电解质主要起集流体的作用。 形成电介质：制造中，对阳极施加直流电压，使其表面形成一层极薄的氧化铝（Al₂O₃）膜，是一种良好的绝缘体，能够阻止电流通过实现电容器的隔离作用。 充电：施加正向电压时，阳极上铝原子会失去电子变成铝离子（Al³⁺）进入电解质。电子会从阳极通过外部电路流向电源正极。在阴极，电解质中阳离子（如氢离子等）得到电子发生还原反应。随着过程进行，阳极铝箔表面的氧化铝膜进一步增厚，同时在阳极和阴极之间建立电场存储电荷实现充电。 放电：存储在电容器中的电荷会通过外部电路释放，电子从阴极通过外部电路流向阳极，与阳极上的正电荷中和，氧化铝膜的厚度会相应减小，直到电容器两端的电压与外部电路的电压相等，放电过程结束。 极化特性：其阳极必须接电路的高电位端，阴极接低电位端。因为氧化铝膜具有单向导电性，只有在正向电压下，氧化铝膜才能起到良好的绝缘作用。接反，氧化铝膜会被击穿，电容器损坏甚至可能引发爆炸等危险情况。
【成功案例】压电蜂鸣器低功耗、高声级方案：基于DC-DC升压转换器SGM6601、反相器BU4S584G2的升压驱动电路
基于圣邦微超低功耗DC-DC升压转换器SGM6601和罗姆BU4S584G2反相器的压电蜂鸣器升压驱动电路的设计，可以广泛应用于超声波换能器和压电陶瓷片的升压应用，提高蜂鸣器响度和超声波检测强度。
【经验】如何改善安装PCB板产生啸叫问题——电容器自身对策和布局两方面探讨
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BD33IC0MEFJ-C BD33IC0VEFJ-C汽车级1.0 A LDO稳压器规格书
BD33IC0MEFJ-C 和 BD33IC0VEFJ-C 是一款输出电流为 1.0 A 的低压差线性稳压器。具有 ±3% 的输出精度，适用于陶瓷电容器，并内置过流保护和热关断电路。该器件符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车动力系统、车身和其他汽车产品。
ROHM - AUTOMOTIVE 1.0 A LDO REGULATOR,LDO REGULATOR,汽车1.0A LDO调节器,LDO稳压器,BD33IC0YEFJ-CE2,BD33IC0MEFJ-CE2,BD33IC0VEFJ-CE2,BD33IC0VEFJ-C,BD33IC0MEFJ-C,POWER TRAIN,动力传动系统,车身,汽车产品,CERAMIC CAPACITOR,BODY,AUTOMOTIVE PRODUCTS,陶瓷电容
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ROHM公司推出大容量导电聚合物芯片电容器TCTO系列，型号包括TCTOM1A225M8R和TCTOM1A475M8R，其为贴片钽电容，把超低ESR的导电性高分子电容与小型薄型大容量的底面电极封装结合在一起，是一种超高性能系列。TCTO系列大容量导电聚合物芯片电容器的额定工作电压范围为2.5V~10V，容值范围为：2.2uF~22uF，其容值误差为20%，可见其容量很大，适合高容量电容场合使用。
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ROHM公司推出的BD33IC0MEFJ-C是一款输出电流为1.0 A的LDO稳压器。在Ta = -40°C至+ 125°C之间，输出精度为±3％。 它具有封装类型：HTSOP-J8，体积小，热阻。内置过流保护（用于保护IC免受输出短路损坏），电路电流ON / OFF开关（关断模式下设置电路0μA）和热关断电路（用于保护IC免受过载条件下的热破坏）。可采用陶瓷电容器，以获得更小体积和更长寿命。
ROHM小型高性能硅电容器BTD1RVFL，实现0402业界超小尺寸，助力智能手机等产品的小型化
近年来，随着智能手机等设备的功能增加和性能提升，对小型、薄型且支持高密度安装的电容器的需求日益增加。特别是采用薄膜半导体技术的硅电容器，因其与多层陶瓷电容器（MLCC）相比具有厚度更薄、电容量更大，温度特性更优异、即使在高温环境下也不容易发生电容量变化等优点，因此预计未来需求仍将保持强劲态势。在这种背景下，ROHM利用多年来积累的硅半导体加工技术优势，开发出小型高性能硅电容器“BTD1RVFL”
ROHM（罗姆）钽电容器选型指南（中文）
ROHM - 钽电容器,TC SERIES,TCT,TCS,TCT SERIES,TC系列,TCS SERIES,TCS系列,TC□A0J106M8R-△,TC,TCT系列
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可定制B-Flon极细同轴线导体规格：AWG36~48，特性阻抗：50±5Ω，工作温度：-40~90℃，静电容量：105-120PF/m，减衰量：10MHZ:0.5-2.6db/m；100MHZ:1.6-4.2db/m，阻燃UL:VW-1规格。
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