我需要的是AHD转bt656的方案,能否帮忙推荐下。
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创建于2025-02-21
2个回答
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- KyleQ Lv8 (0)
- tp2825: automotive Grade 1 Channel 1080P/720p/D1 receiver with 1 x bt.656 output support。
这个型号可以 满足需求。 - 创建于2025-02-26
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- HelloSEKORM Lv7 . 资深专家 (0)
- GM7150BC,RN6752,RN6752V1.
- 创建于2025-02-24
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需要用到LVDS信号转BT656信号,请问有没有方案或芯片推荐?
推荐使用Renesas(INTERSIL)的视频处理芯片TW8836,支持LVDS(open LDI)输入,输出支持BT.656,减少端口数量。 具体信息可参考:https://www.sekorm.com/doc/62575.html
我司在开发前装的DVR录像机,摄像头采用的模拟高清AHD,TVI,接收端需要满足车规级,可以解析以上两种视频的芯片,输出接口为bt656?
瑞萨有车规的,专为汽车设计的模型高清芯片方案,接收端raa279972,可以适配AHD,TVI摄像头发送端。 参考链接:https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/raa279972
请问我需要4路CVBS转BT656输出功能,有没有推荐的芯片?
目前瑞萨的ISL79988支持4路CVBS输入,一路BT656输出功能,可以满足需求。 参考以下链接资料:https://www.sekorm.com/doc/181268.html
世强有CVBS转bt656的芯片推荐吗?
8809特别好用
我的单片机可以接收bt656信号,请问有没有这类的转换芯片,比如hdmi转bt656的芯片,或mipi转bt656的芯片。
参考下瑞萨的视频解码芯片RAA278842、RAA278843,https://www.sekorm.com/news/21816497.html
WAYON power MOSFET选型表
WAYON(维安半导体)提供 Trench P Channel Power MOSFET(沟槽P沟道功率MOSFET)/SGT P Channel Power MOSFET(SGT P沟道功率MOSFET)/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET(SGT N沟道功率MOSFET)/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型,Type:N/P,ESD:NO/YES,VDS(V):-150~300V,Vgs Max(v):±10~±20V,VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.
产品型号
|
品类
|
Package
|
Configuration
|
Type
|
ESD
|
VDS(V)
|
Vgs Max(V)
|
ID at 25℃(A)Max.
|
VGS(th)(V)-Typ.
|
Rds(on)Vgs=10V
|
Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
|
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
|
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
|
Ciss (pF)Typ.
|
Coss (pF)Typ.
|
Crss (pF)Typ.
|
WMB70P02TS
|
Trench P Channel Power MOSFET
|
PDFN5*6-8L
|
Single
|
P
|
NO
|
-20
|
±12
|
-70
|
-0.65
|
3.1
|
4.1
|
3.5
|
4.8
|
4599
|
668
|
577
|
JESTEK江智MOSFET选型表
JESTEK江智提供MOSFET的以下参数选型,Channel:N,P,N+P,N+ESD,DP+ESD,P+ESD,DN,DN+ESD;多种封装:TO-252,PDFN3.3X3.3,SOT-363,SOT-23-6L,TSSOP-8等。
产品型号
|
品类
|
Channel
|
BVDSS(V)
|
Vth(V)
|
Rdson(mR)Typ@VGS=10V
|
Rdson(mR)Typ@VGS=4.5V
|
ID(A)Tc=25℃
|
封装
|
JST70N40D5
|
MOSFET
|
N
|
40
|
1.6
|
4.2
|
5.3
|
70
|
DFNWB5X6
|
JESTEK江智车规产品MOSFET选型表
JESTEK江智提供以下车规产品MOSFET的参数选型,Channel:DN(SGT),N,N(SGT),P;BVDSS(V):-60~100。
产品型号
|
品类
|
Channel
|
BVDSS(V)
|
Rdson(mR)Typ@VGS=10V
|
Rdson(mR)Typ@VGS=4.5V
|
ID(A)Tc=25℃
|
封装
|
JST170GN01HT3-Q
|
MOSFET
|
N(SGT)
|
100
|
3.4
|
4.4
|
160
|
TO-263-2L
|
瑞迪威(RDW)多通道波束成形芯片-TR产品选型表
瑞迪威提供以下技术参数的多通道波束成形芯片选型,工作频率(GHz)包含8GHz~40GHz,Tx增益(dB):5.8dB~30dB,Tx Psat(dBm):6dBm~27dBm,Rx增益(dB):4dB~28dB,Rx NF(dB):2.5dB~10dB,6位移相位数和衰减位数;4通道数,Si+GaAs工艺的X频段、Ka频段、KU频段多功能TR芯片和GaAs pHEMT MMIC TR芯片。
产品型号
|
品类
|
封装形式(Package)
|
工作频率(GHz)
|
Tx增益(dB)
|
Tx Psat(dBm)
|
Rx增益(dB)
|
Rx NF(dB)
|
移相位数
|
衰减位数
|
工艺
|
通道数
|
RWC441
|
X频段多功能TR芯片
|
Die 4.72mm×5.15mm ×0.2mm
|
8~12
|
5.8
|
6
|
4
|
9
|
6
|
6
|
Si
|
4
|
TT Electronics光电LED传感器选型表
提供TT Electronics红外发射二极管,可见LED,光电传感器,高可靠性GaAIA红外发射二极管,塑料红外线发射二极管选型,多种温度以及封装选择,LED峰值波长高达940nm,光束角范围4.5°~150°
产品型号
|
品类
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Package
|
Continuous Forward Current(mA)
|
LED Peak Wavelength(nm)
|
Forward Voltage(V)
|
Total Beam Angle(°)
|
Operating Temperature(℃)
|
EE(APT)(Min.)(mW/cm²)
|
OP123
|
Hermetic Infrared Emitting Diode
|
Pill
|
100mA
|
935nm
|
1.5V
|
24°
|
-65℃~125℃
|
0.4mW/cm²@50mA
|
特控工控机MEC-T6562,采用无转动部件的紧凑设计,为无人驾驶提供嵌入式科技力量支持
针对无人驾驶技术的实现效果,其严苛的行驶条件,以及需要执行多种智能化功能来保障无人驾驶的简单高效、安全保障、管理便捷等方面的因素考量 ,无人车的计算机控制系统及相关解决方案,其最关键的是选用一款工业级计算机产品,而MEC-T6562正是响应市场需求的一款独特产品。
TT Electronics传感器选型表
提供TT Electronics开槽开关,流体传感器,霍尔效应传感器,高可靠性传感器,光发射器,微型SMD反射式传感器以及晶体管等各种传感器选型,产品类型有模拟、数字和逻辑输出,工作温度范围大,紧公差,小尺寸高,可用于精密设备,封装方式有紧凑型SMD封装、微型封装、表面贴装等。
产品型号
|
品类
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Operating Temperature(℃)
|
Operating DC Supply Voltage(V)
|
Supply Current(mA)
|
Slot Width(mm)
|
Wavelength(nm)
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OCB100AZ
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Automatic Calibration Circuitry
|
-40℃~85℃
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4.5V~5.5V
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35mA
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0.320''~0.474''(8.13mm~12.04mm)
|
935nm
|
FETek MOS管选型表
FETek提供MOS管(Combo Channel Trench Power MOSFET,Combo Channel Trench Power MOSFET,Dual N-Channel Trench Power MOSFET,N+P Channel Trench Power MOSFET,N-Channel Super Junction Power MOSFET,N-Channel Trench Power MOSFET和P-Channel Trench Power MOSFET)的以下参数选型,BVDSS(V) :-60~650;Vth(V):1~3和2~4,多种封装:PRPAK3*3,PRPAK5*6,TO-252,SOP-8等。
产品型号
|
品类
|
BVDSS(V)
|
ID(A)
|
Vth(V)
|
Rdson 10 Max(mΩ)
|
应用等级
|
等级认证标准
|
封装
|
FKBB3004
|
N-Channel Trench Power MOSFET
|
30
|
46
|
1~3
|
9
|
工业级
|
ROHS
|
PRPAK3*3
|
特控嵌入式工控机MEC-T6562用于智能垃圾分类设备,提供WiFi(可选)、双千兆以太网口
基于客户对智能垃圾分类解决方案的需求,特控推荐嵌入式工控机MEC-T6562为智能化垃圾分类设备的核心控制主机,助力客户实现智能垃圾分类回收。采用开放式WINDOWS/LINUX智能操作系统,更稳定、更易维护。
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET:Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
电子商城
现货市场