平台合作
相关推荐
你好,我这边想问一下你们的base64编码的转码格式是如何的,我这边有个摄像头是对接的是你们使用base64编码格式
摄像头端通过485,CAN总线出来的是BASE64解码后的数据是字符串,接收板上需要接收16进制的命令,这样的情况直接发字符串下去无法成功执行指令,发之前需要将字符串转成16进制,或者板子上接收到字符串后转成16进制在去执行指令。
你好,我准备开发一款超声洁面仪,你们有成套的控制及驱动元件吗?
您好,有相应的元器件以及材料。还请提供下具体参数要求
你好,我们在产品需要国产化,可否把BOM单提供给你们,你们帮匹配一下,好吗?
比较麻烦,你得把需要国产化的器件功能列表提供一下,不然不知道你要怎么应用,无法提供给你最优替代方案。
你好,我想问一下澜智ZDV4128M16A-11IPH的读写次数是多少呢?
你好,DDR3L没有读写限制,ZDV4128M16A-11IPH数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3090498.html
你好,我这边想问一下,厚声的包装标签是什么样子呢,有没有MSLE,有没有我们图片那样的包装呢
有卷装包装,请参考厚声 电阻选型表 :https://www.sekorm.com/selector/80.html 。
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅(SiC)MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅(SiC)肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能
瞻芯电子开发的车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产,集成负压驱动/短路保护
瞻芯电子开发的3款5.7kVrms隔离型、单通道栅极驱动芯片IVCO141x正式量产,并导入多家客户试用。IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能,是针对SiC MOSFET应用特点而设计的比邻驱动®(NextDrive®)系列芯片之中的隔离型产品。现已获得车规级可靠性认证(AEC-Q100)。
瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖,致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化
2017年,瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立,前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化,现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造(IDM)企业,累计交付核心产品:碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗,驱动芯片约4800万颗,广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。
【选型】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27511,可P2P替换
IVCR1801S是瞻芯电子推出MOSFET/IGBT驱动芯片,让瞻芯的驱动芯片进口替代系列更加完善。除了相当有竞争力的价格外,拥有与进口品牌相媲美的性能。本文就IVCR1801S与TI UCC27511做对比,让大家在选型过程中有更大的选择范围。
瞻芯电子紧凑型IVCR1412比邻驱动芯片助力多管并联均流,集成负压和抗米勒效应,消除栅极电阻开关更快
在大功率变换系统中,多管并联能提升电流承载能力,增加输出功率,常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战,这影响了系统中器件的温度分布,进而影响系统可靠性,最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流,瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动™IVCR1412芯片开展了均流研究,在不同均流驱动方案和不同条件下,测试影响均流的因子,以提供均流方案建议。
【IC】瞻芯电子量产了2款极紧凑封装的双通道驱动芯片IVCR2404MP,可兼容高达24V的输入
6月21日,瞻芯电子开发的2款极紧凑封装的栅极驱动芯片IVCR2404MP通过可靠性认证,并正式量产。这两款产品为24V 4A双通道栅极驱动系列芯片IVCR2404MP,采用极紧凑的MSOP-8封装,对比SOIC-8封装,占用PCB面积减少49%,体积减小68%。
【选型】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比,多个参数一致
上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师选型。
【选型】国产低侧栅极驱动芯片IVCR2401可替换UCC27524用于空调
国产品牌瞻芯电子开发了一系列低侧栅极驱动芯片,可以Pin-to-Pin完全兼容替代国外已量产商用的栅极驱动芯片。IVCR2401已经替换UCC27524在麦格米特获得了大批量订单,并成功的在空调机上进行了应用。
瞻芯电子亮相PCIM Europe 2024,全面展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品
瞻芯电子将于6月11日-13日,参加德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2024展会。瞻芯电子将全面展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品,以及多种参考设计方案和应用案例。同时,公司管理团队主要成员将出席参展,欢迎业界伙伴们莅临参观和交流。
【经验】解析电力电子电路应用中驱动芯片的并联使用
本文数明半导体主要为大家阐述了在电力电子电路应用中,为什么需要驱动芯片并联使用,芯片能够并联使用应具备什么特征,以及驱动芯片并联使用应注意的问题点。
电子商城
现货市场
服务

提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>

可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>