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服务器电源项目中有用到一颗美信的可调数字变阻器DS3904U-020,想要寻求替代,请问有什么合适的型号推荐。
您好,可以尝试评估瑞萨的ISL22316WFU10Z-TK,有128个抽头位置,通过I2C总线进行控制,供电电压2.7V~5.5V,内置非易失性寄存器数据保存时长可达50年,封装采用10 Ld MSOP。数据手册:https://www.sekorm.com/doc/335972.html
旧料替代TD1482A-PR,用于电源项目系统降压用,尽量Pin To Pin
推荐拓尔微的TMI3343,宽输入电压为4.5V至30V,能够传输3A电流,可P2P替代TD1482A-PR,规格书:https://www.sekorm.com/doc/2231733.html
电源项目上,请问TLP293有合适的替代吗?
您好,可以看一下OR-3H7C-TP-G 数据手册如下:https://www.sekorm.com/doc/2179439.html
在电源项目上,需要威世的Si7115DN的国产化替代是否有合适替代?
推荐科信 2KJ6056,PMOS 150V,功能替代,相关数据手册链接:https://www.sekorm.com/doc/3647427.html
在电源项目上,需要P1K0.325.2S.010的合适替代是否有推荐的?
推荐TE的NB-PTCO-181,精度±0.6℃,相关数据手册:https://www.sekorm.com/doc/623414.html
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表,VDS:-100V~100V,VGS:±8V~±20V等
产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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ID(A)
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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冠优电源1500V高压输入350W电源模块UH350-F2SxxU-E:赋能光伏储能系统高效升级
在全球能源结构转型与“双碳“目标推动下,光伏与储能领域正加速向降低线损和成本、紧凑设计并多兼容方向行进。为满足新能源领域对高压直流电源的核心需求,广州冠优电源研发团队全新推出的UH350-F2SxxU-E型最高1500Vdc高压输入电源模块,凭借其超宽输入范围、高功率密度及灵活配置特性,成为光伏跟踪支架电控箱、工商业储能辅助电源系统配套电源的革新供电解决方案。
长晶科技MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围:-100~+650;VGS(V)范围:±6~±30;ID(A)范围:-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
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-
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6000
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TO-92
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电子商城
品牌:长晶科技
品类:Plastic-Encapsulated MOSFET
价格:¥1.3750
现货: 70
现货市场
服务

使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
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