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- efm8sb10f4g-a-qfn20和cpt112s使用同样的触摸按键库,都具有270:1的SNR。从官网得到的信息,CPT112属于新项目不主推型号。使用EFM8SB10F4G还可以通过配置CS0LP寄存器调整SNR。建议使用EFM8SB10做新方案设计。
- 创建于2021-08-23
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一个新项目准备选用芯科的触摸芯片,项目是500个阵列触摸键,单元方案是一款8位单片机+CPT112S ,或者用EFM8SB10F4G-A-QFN20,其内含13个电容探头。请问两种方案是否一样的具有SNR达270:1抗噪声?单片机内的抗噪能设置否?哪个方案更可靠?
EFM8SB与CPT12内核是相同的。单片机内的抗噪是可以通过相关的参数进行设置的。单片机的程序一般也是使用CSLIB的库来实现,二者的算法是相同的。可以实现相同的SNR。
一个新项目准备选用芯科的触摸芯片,项目是500个阵列触摸键,单元方案是一款8位单片机+CPT112S ,或者用EFM8SB10F4G-A-QFN20,其内含13个电容探头。请问两种方案是否一样的具有SNR达270:1抗噪声?单片机内的抗噪能设置否?哪个方案更可靠?
您好,目前暂时没有这样可以直接对比的案例和资料,关于SNR可能需要看下具体的设计。
一个新项目准备选用芯科的触摸芯片,项目是500个阵列触摸键,单元方案是一款8位单片机+CPT112S ,或者用EFM8SB10F4G-A-QFN20,其内含13个电容探头。 1、用EFM8SB10F4G-A-QFN20 13个触摸键与CPT112S 是否是一样的具有SNR达270:1抗噪声?单片机内的抗噪能设置否?那个方案更可靠? 2、另外该单片机开发工具好买否?烧录工具是什么?
EFM8SB10的电容触摸特性和CPT112S 是一样的,EFM8SB10的电容触摸功能在配置上更灵活一些,SNR参数与Accumulation和CS0LP等的配置有关,在EFM8SB10中可以进行所有与CPT112S 一样的配置,但是CS0LP(低通滤波)只有在EFM8SB10上才能配置。EFM8采用USB DEBUG ADPTER进行调试开发烧写,开发板(SLSTK2010A)上带有调试器可以在链接https://www.sekorm.com/Web/Search/channel?tab=4&searchWord=SLSTK2010A购卖。
新的有轨电车项目准备选用芯科的触摸芯片,项目是500个阵列触摸键,单元方案是一款8位单片机+CPT112S ,或者用EFM8SB10F4G-A-QFN20,其内含13个电容探头。请问两种方案是否一样的具有SNR达270:1抗噪声?单片机内的抗噪能设置否?哪个方案更可靠?
因为你的是“500个阵列触摸键”,因此,建议你选用EFM8SB10F4G-A-QFN24来做,最多支持14个容性检测通道,自主代码,灵活性更大。 关于SNR,单片机内部是带了抗噪声措施,比如避开IO口噪声等,但主要看自己设计。你可以参考如下资料: 1、https://www.sekorm.com/news/22861931.html《【经验】如何基于8位单片机EFM8SB10实现高可靠性容性触摸按键硬件电路设计?》; 2、https://www.sekorm.com/news/81598108.html《【经验】低功耗8位单片机EFM8SB10做容性触摸按键在PCB布板时需要注意哪些事项?》; 3、https://www.sekorm.com/news/53644853.html《【经验】采用电容检测MCU EFM8SB10的容性触摸按键周期性出现误触发问题该如何处理?》。
有轨电车项目中准备选用芯科的触摸芯片,项目是500个阵列触摸键,单元方案是一款8位单片机+CPT112S ,或者用EFM8SB10F4G-A-QFN20,其内含13个电容探头。请问两种方案是否一样的具有SNR达270:1抗噪声?单片机内的抗噪能设置否?哪个方案更可靠?
EFM8SB与CPT112S采用的滤波算法是一样的,抗噪能力一样,两个方案的可靠性是一样的,不过EFM8SB实现起来更灵活一些。
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SILICON LABS - 触摸芯片,CPT007,CPT112S,CPT007B-A02-GM,CPTXXX,CPTXXXX,CPT112S-A02-GM,CPT212,CPT213
请问有推荐的电容触摸按键芯片吗?
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麻烦推荐一个可以通过MCU控制进入休眠的4按键触摸芯片。
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