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硅和碳化硅都能做半导体材料吗
都可以做为半导体材料。目前市场上主流的功率半导体器件还是硅基器件，但最近几年随着对第三代宽禁带半导体器件的认识和研究，碳化硅基功率半导体器件逐步得到了应用。
在官网ROHM有推出第三代IPM方案，目前对比第二代IPM主要的性能差异在哪
（1）第三代IPM 从短路电流触发电压精度以及IGBT开关速度方便都有提升性能。同时第三代IPM进一步降低EMI噪声，提高FRD的软恢复特性； （2）第三代IPM的温度检测精度更高，可以保证±2℃的温度检测精度，更进一步提高模块安全可靠性。精度提高后无需外置NTC来监测系统温度。
Rohm SiC 第三代MOS 比第二代优势在哪里？目前原厂主推哪个型号？
ROHM的第三带SIC MOS产品相对于第二代产品，采用的是UMOS技术，优势主要体现在相同的芯片尺寸基础上，Ciss和Ron的性能参数大幅度改善，其中Ciss减少35%，Ron减少50%。目前第三代产品主推型号可以参考链接内容：https://www.sekorm.com/news/30890724.html。
国内目前可以量产第三代半导体的公司有哪些品牌可以选择？
嘉兴斯达半导体
Power Integrations linkswitch离线式开关IC的第一代TN与第二代TN2可以直接pin to pin 兼容吗？
第一代TN与第二代TN2的电源IC是完全pin to pin 的，每个管脚的功能也是一样，但是由于构成电源整个系统的外围电路有一个差异，就是BP脚，第一代不需要 输出供电，第二代需要连接到输出脚供电，因此不能直接替换，需要简单修改外围电路。
碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景
经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。
马自达与罗姆开始联合开发采用下一代半导体的汽车零部件：通过GaN功率半导体的社会应用，助力汽车技术创新
Mazda Motor Corporation（以下简称“马自达”）与ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件。在“针对电驱动单元的开发与生产合作体系”中，一直在推进搭载碳化硅（SiC）功率半导体的逆变器的联合开发。此次，双方又着手开发采用GaN功率半导体的汽车零部件，旨在为下一代电动汽车打造创新型汽车零部件。
正芯RealChip®(GaN)氮化镓功率器件量产，国际高性价比
RealChip®正芯®半导体技术，作为20年历史的国际卓越MOSFET功率器件、晶体管及芯片研发设计企业，产品已在全球多个国家被客户广泛应用，于2023年量产多款全球性价比最佳的GaN氮化镓功率器件，为客户追求小体积、高性能、降成本提供了最佳选择。
CFKQ65GR035 650V氮化镓场效应晶体管
该资料详细介绍了CFKQ65GR035型号的650V GaN FET（氮化镓场效应晶体管）的关键性能参数、封装信息、应用领域和电路实现。该器件具有高重复输入电压容忍度、快速开关速度、低导通电阻和低开关损耗等特点，适用于高效率、高频的半桥降压/升压、推挽PFC电路或逆变器电路。
创飞芯源 - GAN FET,氮化镓场效应管,CFKQ65GR035,高效率/高频率相移,LLC或其他软开关拓扑,倒置PFC电路,逆变器电路,半桥降压/升压
解析GaN氮化镓的4种封装解决方案
GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点，与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感，芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时，GaN产品的高压特性，也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
立即报名2025 SiC/GaN新技术研讨会，SiC MOS、GaN FET、国产化数字隔离/驱动等创新产品技术
5月15日，2025SiC/GaN新技术研讨会聚焦SiC MOS、SiC二极管、国产化数字隔离/驱动、GaN FET等创新产品技术，突破能效边界，助你重新定义产业效能天花板，点击了解报名。
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