多层陶瓷电容器是用陶瓷制作出来的吗?求解
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创建于2021-11-18
2个回答
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- 知乎者也 Lv7 (0)
- 多层陶瓷电容器为了能够储存更多的电量,通过在正、负两电极板中间夹着介电体的多重层叠得以实现。
详细情况参考:https://blog.csdn.net/weixin_42452580/article/details/112332210 - 创建于2021-11-18
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POWER AMPLIFIER,ADAS,LCD PANEL,液晶面板,ABS,ESC,MOBILES,智能手机,射频功放,SMARTPHONES,POWER SUPPLY,WEARABLE DEVICES,MEMORY CARDS,平板,INDUSTRIAL EQUIPMENT,移动电话,防抱死制动系统,存储卡,COMMERCIAL EQUIPMENT,电源,ECU,商业的,可穿戴设备,工业设备,AUTOMOTIVE,TABLETS,HIGH-SPEED OPERATING PROCESSORS,高速操作处理器,电子稳定控制系统
多层陶瓷电容器注意事项和指南
本资料提供了多层陶瓷电容器的设计、安装、焊接和使用指南。内容包括电容器的性能限制、环境适应性、电路设计注意事项、PCB布局建议、安装和焊接过程中的安全措施,以及存储和处理规范。此外,还介绍了针对汽车电子应用的可靠性测试标准AEC-Q200,并强调了产品规格可能变更的重要性。
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30 S4系列安全陶瓷电容器
本资料介绍了陶瓷电容器的技术规格和应用。内容包括了不同类型的陶瓷电容器(如NPO和X7R),其电气特性、物理特性、气候类别、尺寸、封装方式以及订购指南。此外,还提供了关于陶瓷电容器制造过程、存储和处理建议。
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片式 RF/微波多层陶瓷电容器系列选型参考书
本资料为深圳市宇阳科技发展有限公司提供的片式RF/微波多层陶瓷电容器(MLCC)选型参考书,介绍了该系列产品的基本参数、技术规范、包装运输和存储要求,以及在使用过程中的注意事项。
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高Q值大功率片式多层陶瓷电容器选型参考书
本资料为Eyang Technology Development Co., Ltd.发布的高Q值和高功率片式多层陶瓷电容器(MLCC)型号选择参考书。内容包括产品规格、技术参数、测试方法、包装与运输、存储和应用技术要求。
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陶瓷电容器变阻器薄膜电容器扼流圈
本资料主要介绍了多层陶瓷电容器的产品规格、封装、编号系统、包装、注意事项和指导方针。内容包括产品系列、型号、尺寸、额定电压、额定电容、耐压值、绝缘电阻、损耗因数、额定纹波电流等参数。同时,还提供了安装、焊接、存储等方面的注意事项和指导。
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COILS,KTJ250B336M55BFT00,KVF250L334M31NLT00,KTD101B226M90A0B00,KTD500B226M76A0T00,KTF250B475M32NHT00,KTD250B107M80A0B00,KTS251B684M43N0T00,KTF251B474M43NLT00,KTD500B686M90A0B00,KTS101B225M32N0T00,KVD500L105M32A0T00,KVD250L156M55A0T00,KTS101B335M43J0T00,KTS101B475M43E0T00,KTS501B474M55N0T00,KTD101B476M99A0B00,KTJ101B685M55BFT00,KTS251B104M31N0T00,KVF250L106M55NHT00,KVF101L683M31NLT00,KTD101B106M80A0B00,KTS101B335M55N0T00,KTS251B225M76N0T00,KVD101L155M55A0T00,KVD101L105M55A0T00,KTD250B227M90A0B00,KVF500L685M55NHT00,KTF500B474M31NLT00,KTF251B333M31NLT00,KVD,KTD500B336M80A0B00,KVF,KTJ101B685M76AFT00,KVD101L334M32A0T00,KVD101L154M32A0T00,KVD101L104M32A0T00,KTF250B226M55NHT00,KTD101B475M43A0T00,KTD250B106M43A0T00,KVF101L474M43NLT00,THD,KVF101L154M32NLT00,KTS101B155M43N0T00,KVF500L104M31NLT00,KTS500B155M32N0T00,THP,KTS251B224M32N0T00,KTD501B105M76A0T00,KTJ500B156M55BFT00,KTF251B155M55NLT00,KTJ250B107M76BFT00,KTD500B685M43A0T00,KTD251B106M99A0B00,KTD251B474M43A0T00,KVD250L155M32A0T00,KTD101B685M76A0T00,KTD251B225M80A0B00,KVF500L154M31NLT00,KTD250B226M55A0T00,KTD250B477M99A0B00,KTS250B225M31N0T00,KTJ500B336M76BFT00,KTS501B684M76N0T00,KTF251B104M31NLT00,KTD101B474M32A0T00,KTD101B155M43A0T00,KVD250L105M32A0T00,KTS250B336M55N0T00,KTS500B474M31N0T00,KTF500B685M43NHT00,KTD501B564M55A0T00,KTD251B156M99A0B00,KTS500B225M32N0T00,KTF251B684M43NLT00,KTD101B107M99A0B00,KVD500L685M55A0T00,TMCS,KVF500L335M55NLT00,KTD500B476M90A0B00,KTF251B105M55NLT00,KTS250B685M32N0T00,KTS250B106M43N0T00,KVD500L334M32A0T00,KTS101B105M32N0T00,KTJ250B686M76BFT00,KTD250B156M55A0T00,KTF250B685M32NHT00,KTF250B106M43NHT00,KVF500L474M31NLT00,KVD250L475M43A0T00,KTJ251B105M55AFT00,KTJ251B225M55BFT00,KTD251B334M32A0T00,KTF251B683M31NLT00,KVF250L156M55NHT00,KTS101B684M31N0T00,KVF250L105M31NLT00,KTD251B104M32A0T00,KTD101B684M32A0T00,KTD251B684M43A0T00,KTF250B225M31NLT00,KTD101B334M32A0T00,KTJ500B476M76BFT00,KVF101L334M32NLT00,KTF250B335M32NHT00,KVF500L224M31NLT00,KTS101B475M55N0T00,KVD500L335M55A0T00,KTS250B335M32N0T00,KTS101B685M55F0T00,KTF101B475M55NHT00,KTD251B225M76A0T00,KVF250L335M32NHT00,KTF101B105M32NHT00,KTD250B686M80A0B00,KVF250L475M43NHT00,KTD500B225M32A0T00,KTS500B106M55N0T00,KTD251B155M55A0T00,KTF500B106M55NHT00,KVF101L155M55NLT00,KVD250L335M32A0T00,KVF101L104M31NLT00,KTS250B105M31N0T00,KTJ500B226M76AFT00,KTD500B227M99A0B00,KTS251B683M31N0T00,KTD101B475M55A0T00,KTS251B333M31N0T00,KTD250B335M32A0T00,KVD101L474M43A0T00,KTD500B106M55A0T00,TMP,KTD101B335M43A0T00,KTF500B225M32NHT00,KTF101B104M31NLT00,KVF250L684M31NLT00,KTD101B105M32A0T00,KTD251B224M32A0T00,KVD101L684M43A0T00,AEC-Q200,KTS251B154M32N0T00,KTS250B475M32N0T00,KTS251B105M55N0T00,KTD500B156M55A0T00,KTF101B475M43EHT00,KTS101B334M31N0T00,KTF500B334M31NLT00,KTF251B473M31NLT00,KTS251B334M32N0T00,KTD501B684M76A0T00,KTF101B335M43JHT00,KTJ500B156M55AFT00,KVD500L225M43A0T00,KTD250B337M99A0B00,KTS101B154M31N0T00,KTD251B685M99A0B00,KTS251B155M55N0T00,KTF250B336M55NHT00,KVF101L224M32NLT00,KTF250B105M31NLT00,KTJ251B155M55BFT00,TCCS,TCCR,KTD251B335M90A0B00,KTD501B474M55A0T00,KTS501B105M76N0T00,NTD,NTF,NTJ,KTS500B685M43N0T00,KTD500B157M99A0B00,KTS101B104M31N0T00,KVF500L475M55NHT00,KVF101L684M43NLT00,KVF250L474M31NLT00,KTF251B224M32NLT00,KTJ250B476M55BFT00,NTS,KTS250B226M55N0T00,KTF250B156M43NHT00,KTS251B155M76N0T00,KVD500L684M32A0T00,KTS500B475M43N0T00,KTF101B685M55FHT00,KTD500B107M90A0B00,KTS250B476M76N0T00,KTD101B686M99A0B00,KVF250L685M43NHT00,KTF101B155M43NHT00,KTS501B564M55N0T00,KTD500B105M32A0T00,KTD250B336M55A0T00,KTJ251B335M76BFT00,KTS251B103M31N0T00,KTF101B225M32NHT00,KTF500B155M32NHT00,KTJ250B336M55AFT00,KTD101B225M32A0T00,KTF101B224M31NLT00,KVF500L225M43NHT00,KTD250B476M76A0T00,KTD500B155M32A0T00,KTD250B685M43A0T00,KTD101B336M90A0B00,KTF101B684M31NLT00,KTF101B334M31NLT00,KVD250L685M43A0T00,KVF101L473M31NLT00,KVD500L475M55A0T00,KTF101B155M32NHT00,KVF250L225M32NHT00,KTD101B685M55A0T00,KTS251B474M43N0T00,KVD500L155M43A0T00,KTF500B105M31NLT00,KTS101B155M32N0T00,KTF501B564M55NLT00,KVF500L334M31NLT00,KTF251B154M32NLT00,KTF501B474M55NLT00,KTS251B473M31N0T00,KTF251B334M32NLT00,KTJ101B156M76BFT00,KTJ250B476M76AFT00,KTF500B475M43NHT00,KTD501B125M76A0T00,KTD250B475M32A0T00,KTD250B157M90A0B00,KTD251B105M55A0T00,KTD250B156M43A0T00,KTD251B154M32A0T00,KTS500B684M31N0T00,KTS500B334M31N0T00,KTS101B685M76N0T00,KTD500B475M43A0T00,TCD,KTF101B474M31NLT00,KTS101B224M31N0T00,TCP,KTF250B155M31NLT00,THCS,KTS250B156M43N0T00,THCR,KTF500B684M31NLT00,KTJ251B225M76AFT00,KVD101L224M32A0T00,KTD101B335M55A0T00,KTS500B335M32N0T00,KTS501B125M76N0T00,KVD500L474M32A0T00,KTS101B225M43N0T00,KTD101B156M80A0B00,KVF101L105M55NLT00,KTJ500B226M55BFT00,KTS250B155M31N0T00,KTF500B156M55NHT00,KTJ101B106M55BFT00,KTF101B225M43NHT00,KTD251B475M90A0B00,KTS500B156M55N0T00,KTF500B335M32NHT00,KTJ101B475M55AFT00,KTS101B474M31N0T00,KVD250L106M55A0T00,KTD500B335M32A0T00,KTD101B225M43A0T00,KTS500B105M31N0T00,KVD250L225M32A0T00,KTS500B226M76N0T00,KTS251B223M31N0T00,KTD101B155M32A0T00,KTF101B154M31NLT00,KVF500L155M43NHT00
动态随机存取存储器去耦电容器的功能试验
本文探讨了在64K动态RAM内存板上,不同类型去耦电容在实际情况下的比较性能。研究结果表明,多层陶瓷电容器在无需使用大容量钽电容的情况下,也能有效且经济地实现去耦。通过增加分布多层陶瓷电容器(MLC)的电容值,并消除内存IC每行末尾的高值钽电容,可以更有效地去耦动态RAM。实验结果表明,使用全MLC方案可以减少电容数量,降低成本,同时保持去耦效果。此外,还比较了不同类型多层陶瓷电容器的去耦性能,发现不同类型的MLC在去耦性能上没有显著差异。
KYOCERA - BULK TANTALUM CAPACITORS,大容量钽电容器,MULTILAYER CERAMIC CAPACITORS,多层陶瓷电容器,DECOUPLING CAPACITORS,退耦电容
KNH系列多层片状陶瓷电容器
本文档介绍了多层片状陶瓷电容器(MLCC)的特点、型号构成、封装尺寸、温度特性、额定电压、静电容量、允差、外部端电极和包装等信息。文档还包括了产品系列的详细信息,如CM、CT、CU系列,以及KNH三端子产品的特点和用途。
KYOCERA - 高介电常数类电容器,多层片状陶瓷电容器,CU系列,KNH05X5R435M04AH,CT系列,KNH,KNH05X5R106M04AH,CM系列,KNH SERIES,CM,CM03X5R225M06AH□□□,KNH05,CT,KNH05X6S435M02AH,CU,KNH系列,KNH05X6S435M04AH,KNH05X5R156M04AH,智能手机,平板,穿戴装置
【元件】“元气”上新|京瓷推出EIA 0201封装高静电容值10μF电容器
京瓷采用薄层化与高精度技术,以高纯度介电陶瓷为原料,提供高性能、高品质多层陶瓷电容器(MLCC),使产品不断小型化与大容量化;而且产品阵容丰富,不仅用于智能手机与平板电脑等无线通信终端、液晶显示屏等数码设备,还广泛用于工业与车载设备,能够为客户提供合理的产品方案。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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可定制B-Flon极细同轴线导体规格:AWG36~48,特性阻抗:50±5Ω,工作温度:-40~90℃,静电容量:105-120PF/m,减衰量:10MHZ:0.5-2.6db/m;100MHZ:1.6-4.2db/m,阻燃UL:VW-1规格。
最小起订量: 50000m 提交需求>