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应用在辅助电源中,电源输入电压48Vdc,功率小于30W,请问有没适合的功率管推荐?

推荐MOSFET 2SK3483,其封装为TO-251,电压为100V,电流为28A,满足设计要求。

2016-10-25 -  技术问答

应用在输入为单相交流电的变频器中,需要电压为600V,电流大于35A的功率管,请问是否有合适的产品推荐?

推荐功率管(IGBT)RJH60D7BDPQ-E0,其电压为600V,电流为50A,很适合应用在变频器项目中。

2016-10-25 -  技术问答

应用在工控中,项目同步整流电源设计需要电压为80V到100V的功率管,对电流要求不高,请问有没有合适的器件推荐?

推荐功率管2SK3484,其电压为100V,电流为16A,封装为TO-251 (MP-3),满足设计需求。

2016-10-25 -  技术问答

应用在缝纫机电动控制器中,母线电压为310V,输出功率为1500W,有没有合适做逆变部分(驱动频率为15KHZ)的IGBT功率管?

推荐高性价比的IGBT功率管RJH60D0DPK,该型号电压为600V,电流为22A,封装为TO-3P,非常适合应用到驱动频率为15KHZ控制器中。

2016-10-25 -  技术问答

在SVG的辅助电源上,需要一款隔离电源,输入电压为AC230V或DC300V,输出电压为+15V和-10V,输出功率20W左右,请推荐合适的电源模块应用在该辅助电源上?

SVG辅助电源,其作用为功率模块中IGBT驱动供电,根据参数需求,推荐PI反激电源控制器INN2215K,其内部集成650V耐压MOSFET,拓扑结构为反电 源,可以支持85~265VAC输入,最大输出功率20W,满足辅助电源的需求。

2017-07-01 -  技术问答

100KW汇流箱项目辅助电源选用的是900V/4A双MOS方案,为减小电源体积,想选用一颗高压1500V/2A MOSFET替代双MOS方案,请问是否有合适型号 推荐?

推荐RENESAS 2SK2225-80-E#T2高压MOSFET,规格为1500V/2A,可承受最大7A峰值电流,TO-3PFM封装,开启/关闭时间Ton 50ns/Toff 50ns,最高沟道温度达150℃,同时该物料为世强批量常备库存,供货有保证。

2018-06-14 -  技术问答

我们设计一款电焊机,380V 三相AC输入,在辅助电源原设计ST MOSFET 型号STFW3N150,电路中额定电流0.8A,裕量留的很大,近期考虑第二供应商,请推荐性能相当的供应好的MOSFET.

推荐RENESAS 2SK2225-80-E,世强常推,有备货。这款高压 MOSFET漏源电压VDS1500V ,漏极连续电流ID 2A,满足贵司系统辅助电源设计中需求,因为交流380V输入,经过开方计算,整流滤波后在537V左右,国家允许10%波动,则最高591V,2SK2225-80-E在2.5倍以上电压,电流也在2倍以上。数据手册:https://www.sekorm.com/doc/92248.html

2021-06-23 -  技术问答

电力系统控制需求:电源模块AC-DC,功率大概20W,输入电压85-275Vac,输出12V,隔离耐压3000V,是否有方案推荐?

推荐爱浦电子DA36-220S12G4N4 支持宽电压输入85-275Vac ,输出12V,封装尺寸48.0X36.0X23.5,资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2247928.html。

2021-04-12 -  技术问答

氮化镓功率管还只能在实验室用吗?

GaN FET目前已经商业化应用了,推荐EPC的GaN FET,典型应用包括手机无线充电、高功率密度电源适配器。如有需要请查看EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南,下载地址:https://www.sekorm.com/doc/64054.html

2017-09-06 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET,大功率电源及充电器设计首选

新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET,适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W,可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

2018-03-08 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

有什么电源管理芯片可以提供一路3v电压,3路5V电压的吗?电源管理芯片输入电源为3.7V锂电池的。

世强代理的产品暂时没有一路3V,3路5V输出的电压芯片,不过世强代理的RENESAS的PMIC ISL91212B,它有四路输出,输入电压2.5V-5.5V,没路输出电流5A,但是它都是BUCK电路,规格书:ISL91212AR5770/BR5771/BR5769/BR5775/BR5772 Triple/Qutput Power Management ICs 数据手册。

2020-01-07 -  技术问答

【产品】电源转换器设计就选这款40V/6A大功率MOSFET

CXDM4060x具有超低导通阻抗、低阈值电压以及超低总栅极电荷的特性。

2017-05-31 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】40V,60A的N沟道功率MOSFET,零门极电压漏电流最大仅1uA

新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET,其导通延迟时间td(on)典型值为10ns,静态漏源导通电阻R(DS)ON典型值仅为4.6mΩ(ID=30A,VGS=4.5V),主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

2018-03-10 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

请问EPSON TG-5021CE 电源电压典型值多少?电源电压范围多少?尺寸是多少?

EPSON TG-5021CE 电源电压典型值为2.8V±0.14V,电源电压范围2.3~3.6V,尺寸为:3.2*2.5*0.9mm

2019-07-15 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

低成本4kW 双轴伺服驱动器优选器件方案中辅助电源单元RENESAS高压MOSFET 2SK2225-80-E有何性能优势?

RENESAS高压MOSFET 2SK2225-80-E性能优势如下: 1、可承受 1500V 耐压,具有高速的开关频率,且不需要很大的电流驱动,非常适合用于逆变电源 。 2、1500V/ 2A 的高压MOS,在行业内批量使用,认可度高,设计方案成熟,世强供货充足。 具体见资料链接:https://www.sekorm.com/doc/41037.html。

2019-04-01 -  技术问答
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