低损耗MOS管求推荐

低损耗MOS管求推荐
创建于2018-03-28

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7个回答

用户_0780 (0)

世强代理新电元的大功率段应用的mosfet以及central semi的小功率段应用的MOSFET。导通电阻低，可根据具体需求的规格参数选型。

创建于2018-03-29
用户_6238 (0)

可以参考强茂，RDS低至2.6mΩ

创建于2019-09-29
用户99050004 Lv5 . 技术专家 (0)

你是要低压的还是高压的？高压600Ⅴ的有40mΩ左右的，低压40Ⅴ的有1mΩ左右的。很多厂家都有

创建于2018-11-02
彤浩 Lv8 . 研究员 (0)

推荐central 的，选型参考https://www.SEKORM.com/chapter/3105.html

创建于2018-03-30
承毅 Lv8 . 研究员 (0)

可以用N-mos，如7002等N-MOS

创建于2018-03-29
空白格 Lv6 . 高级专家 (0)

现在主流的内阻比较低的基本在40毫欧左右，市面上应该很多。目前也有部分厂家推出了27毫欧内阻的管子。具体看您需求。内阻越小，价格也越高

创建于2018-03-29
小蛮大人 Lv9 . 科学家 (0)

IR的或者英飞凌的我们用的比较多。

创建于2018-03-29

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请推荐可以替代4N60的MOS管。

推荐MOS管P4F60HP2，4A/600V，220直插式，内阻1.5Ω，高速开关特性，指标非常好。

2017-07-18 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

对于MOS管FDG6335N，请帮忙推荐国产替代型号

推荐扬杰的MOS管YJL3134KDW可以PTP替代FDG6335N，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/2232616.html

2021-01-13 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

替代英飞凌的MOS管BSC067N06LS3G，请推荐

推荐Shindengen公司的N沟道MOS管P60B6EL，VDSS为60.0V，Id为60.0A，Rds典型值为6.1Ω，性能优于BSC067N06LS3G。不同的是，P60B6EL是TO-252AA封装。

2018-07-03 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

电机用MOS管搭建的H桥电路，MOS管目前用的是英飞凌的IPD060N03LG，请推荐可替代的国产型号。

推荐强茂的MOS管PJD80N03 （N-MOS，30V，6毫欧）,数据手册见链接：https://www.sekorm.com/doc/1605361.html

2020-07-29 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

请推荐可以替换BN60C的MOS管？

1.种类；2、ID（持续和峰值）；3、PDM（最大耗散）；4、Rd（有时候要考虑）。特别是前三个。实际替换时，MOSFET的特性曲线往往有所不同，还要进行上电实测，光看指标不行。

2019-10-25 - 技术问答

【经验】简单多用P+N双MOS管让您最低成本实现防接反保护

此MOS管组成的极性反转电路，不仅能预防人为接反电池情况发生，还能实现极性反转。

2017-01-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【选型】如何为智能光伏接线盒选择用于开关的MOS管？

在智能光伏接线盒中，当光伏面板正常发电时，MOS管处于关断状态；当光伏面板异常时，MOS管要立即导通，将异常光伏面板“旁路”掉。因此，在智能光伏接线盒中，MOS管对整个系统高效、安全运行，起到重要作用。Shindengen（新电元）是世界知名的功率器件半导体方案供应商，其推出的N沟通MOS管P13LA10EL，具有开启电压小、开关速度快、导通电阻小、体积小等特色，恰好满足智能接线盒的需求。

2019-03-26 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

咨询NXP的工程师，附件图片为IMX6UL官方原理图的SOC电源部分。我司产品使用的芯片为MCIMX6G2CVM05AB，已批量生产，在测试整机中发现，有少量的板卡出现以下问题： VDD_ARM_SOC_IN的电源，在系统开始起来时会出现一个抖动，电压超过1.45V乃至达到1.5V以上，会导致系统软件突然死机停止运行，经跟踪确认，MOS管Q701和Q702的控制端，有信号过来控制MOS管，导致电压有瞬间突变（后面会平稳），这个突变超过了IMX6UL的SOC的电压阈值，导致系统死机。但是大部分板卡，即使MOS管的控制端有变化，但SOC端的电压是稳的，系统不会出现死机现象。问一下， 1、官方推荐的原理图，在产品批量使用中，MOS管Q701和Q702能否去掉？MOS管Q701和Q702起的作用是什么？ 2、我司将VDD_ARM_SOC_IN电源有突变的板卡，将电路中的L702（1uH）更换为22uH，VDD_ARM_SOC_IN的电源突变现象就消失了，NXP官方推荐的电路图和MPS2159官方推荐的图纸，L702都是1uH。此处是否可以用22uH，会不会有风险？

您好，世强暂时没有代理NXP的产品，还请各位大神解答

2023-09-15 - 技术问答

【应用】车规级MOS管助力汽车底盘域控制器转向系统，最高耐压40V，导热电阻仅1.34mΩ

本文重点介绍新电元车规级Mos管P240FZ4QNKA，助力汽车底盘域控制器转向系统的设计。在ID=120A, VGS=10V测试条件下，具有超低的导通电阻1.34mΩ，有效降低MOS的导通损耗、蓄电池的耗电量、器件正常工作时的发热损耗，提高可靠性。

2021-08-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【选型】揭秘高效电源如何选择合适的MOS管

开关电源中MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对其工作性能产生重大影响，如何确保所选择的MOS管能够承受连续电流和脉冲尖峰成为关键所在。

2016-11-23 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

世强你好，请推荐一款电流模式纯正弦波逆变器专用芯片，LQFP80封装，集成两路 600V半桥高压MOS管驱动器，且支持UART串口通讯功能。

你好，推荐屹晶微电子正弦波逆变器芯片 EG8025，是一款采用电流模式、中心对齐PWM调制方式的逆变器芯片。。满足LQFP80封装，内置两路600V半桥高压MOS驱动器，支持UART串口通讯功能。规格书见链接：https://www.sekorm.com/doc/2471240.html

2023-03-29 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

单片机控制MOS管驱动直流24V继电器，有合适型号MOS管推荐一下

不建议单片机直接控制MOS，因为一般情况下单片机电压只有3.3V，驱动MOS管不能完全处于导通状态，建议MOS管前面加一级比较器；MOS管的选择参数根据继电器实际参数决定，实际电流是多少A，这样根据电流电压参数，在世强官网可以自行搜索关键词查看合适的MOS管。

2018-11-08 - 技术问答

【产品】280V N沟道功率MOS管，较P沟道MOS管导通电阻更小

日本新电元（Shindengen）公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2，最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为280.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为13.0/17.0/21.0A，静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关，继电器驱动，电源转换器电路等应用。

2018-05-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务