碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？

碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？
创建于2018-04-09

写回答

2个回答

用户34872353_世强 (0)

从效率的角度，sic是可以设计的比igbt效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。

创建于2018-04-10
jishizhong Lv9 (0)

尤其在高温下，效率高

创建于2018-09-29

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
| 转发至：

平台合作

展开

请问罗姆有集成的碳化硅IGBT模块吗？

ROHM有一系列SiC模块，包括1200V和1700V耐压，电流80A~576A，半桥和六管模块都有。可参考以下链接：https://www.sekorm.com/news/96494393.html

2018-11-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

igbt模块的底板用什么材料最好？

IGBT低板材料一般用铜或者铝基碳化硅，而从热传导、硬度及模块的可靠性上讲，铝基碳化硅相对铜底板材料更好些。

2018-07-06 - 技术问答

IGBT模块的驱动电压是多少？

IGBT模块的规格书里有，你可以自己看看。一般不超过20V。推荐15V

2018-12-21 - 技术问答

ABB做igbt模块吗？

ABB有做IGBT模块，但是世强代理Vincotech的IGBT模块，集成各种封装拓扑，独有的封装技术，模块拥有低杂散电感特点且在各大市场均有广泛的应用。Vincotech的选型手册链接如下：https://www.sekorm.com/doc/65932.html。

2018-05-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

世强代理的igbt模块哪家好？

世强代理的Vincotech产品线可以提供标准IGBT模块产品，也可以提供定制化解决方案。

2017-12-18 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

2024-06-22 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

解析IGBT模块封装壁垒——高可靠性

IGBT模块的封装技术难度高，高可靠性设计和封装工艺控制是其技术难点。IGBT模块具有使用时间长的特点，汽车级模块的使用时间可达15年。因此在封装过程中，模块对产品的可靠性和质量稳定性要求非常高。高可靠性设计需要考虑材料匹配、高效散热、低寄生参数、高集成度。

2024-05-14 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

IGBT模块使用上的注意事项

提到IGBT模块相信大家并不陌生，那么在IGBT模块的使用上有哪些注意事项呢？本文XDM将为您进行介绍。

2024-09-27 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】一文介绍IGBT单管与IGBT模块的区别

本文SLKOR介绍IGBT单管与IGBT模块的区别，IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级，它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，拓展了IGBT的应用领域。

2022-01-22 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

华太电子超结IGBT、IGBT模块与SIC等多款优质产品及解决方案助力高效率能源应用

12月23日，华太电子“聚焦超结IGBT助力高效率能源应用-专题分享2023年度收官之华南站”于深圳成功举办。作为高端功率器件供应商，华太电子超结IGBT、IGBT模块与SIC等多款优质产品及解决方案亮相。华太将持续聚焦技术创新、产品升级，助力新能源光伏和新能源汽车高质量发展，赋能智慧科技，共创低碳世界！

2024-01-25 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

IGBT模块结构封装及老化失效分析

对于工程设计人员来讲，IGBT芯片的性能，可以从规格书中很直观地得到。但是，系统设计时，这些性能能够发挥出来多少，就要看“封装“了。电动汽车逆变器的应用上，国际大厂还是倾向于自主封装的IGBT，追求散热效率的同时，以最优化空间布局，匹配系统需求。本文介绍IGBT模块结构封装及老化失效分析。

2024-04-02 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

IGBT模块应用时，死区时间怎么预留？

IGBT模块应用时，通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间，例如20KHz驱动频率的电源行业，INV采用半桥架构，上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型，可参考Vincotech的选型资料：https://www.sekorm.com/doc/65932.html

2018-10-15 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

IGBT模块的损耗特性是什么？

IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。

2020-12-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

萨科微宋仕强：未来重点开发高压碳化硅和IGBT模块

萨科微从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业，“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微目标锁定为国内一流的半导体公司，成为世界性知名品牌，服务全球客户。

2023-11-03 - 行业资讯代理服务技术支持采购服务

在设计大功率轨道升压电源时，由于单个IGBT模块电流不能满足要求，需要多个IGBT模块并联使用，在并联IGBT模块时需要注意哪些事项？

并联使用IGBT组成开关器件可以使整个系统得到更高的额定电流，但是设计并联系统时必须考虑模块特性、驱动电路以及电路的布局。1、由于电流分配的不均衡，使n个IGBT并联的额定电流并不等于n倍的单个模块的额定电流，所以对并联IGBT模块必须降额使用。2、并联模块的驱动一定要做到同步，最好选用驱动能力强的驱动器，用同一驱动信号同时驱动并联模块。

2017-10-10 - 技术问答代理服务技术支持采购服务