• sic mos的DS极间吸收电容有什么特殊要求?

  • 创建于2018-04-25

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产品型号
品类
Package
VCE(V)
IC(A)
AMG200L12L1H3RB
IGBT功率模块
ACL
1200
200
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虹美功率半导体  -  SIC MOS管,HHMM65N120T/
T4/D7,HMM7TN80G/
Q/K/F,HMM20TN65G/
Q/K/D,HMM65N150T/
T4/D7,HMM11TN80G/
O/K/F,HMM130N1201,HMM20TN80G/
Q/K/D,HMM90N120T4,HMM35N150T/
T4/D7,HMM11TN65G/
Q/K/F,HMM60TN120F/
K/D7/LL/T/T4,HMM60TN150F/
K/D7/LL/T/T4,HMM35N120F/
LL/D7/AT4,HMM7TN65G/
Q/K/F,开关电源,OBC充电机,充电桩,充电器,电源适配器

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产品型号
品类
CH
Enable
Vcc (Min)(V)
Vcc (Max)(V)
I_OUT(mA)
Frequency (kHz)
Iq (μA)
SHDN Iq(μA)
Package
SGM6010
DC/DC Synchronous Rectifier Buck Converters
1
L
3
5.5
3000
300 to 2000
0.41
2
TDFN-3×3-10L
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产品型号
品类
极性
Technology
ESD
Package
Configuration
Vᴅs(V)
Vɢs(V)
Vɢs₍ᴛʜ₎(V)
Rᴅs₍ᴏɴ₎-4.5V
Rᴅs₍ᴏɴ₎-2.5V
Iᴅ(A)
Ciss(PF)
TM01EN02I5
MOSFET
N=20V
Trench
Y
SOT-523
Single
20
±12
0.7
145
225
1
60
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产品型号
品类
封装
PPK(W)
VBR(V)Min.
VBR(V)Max.
IT(mA)
VRWM(V)
IR(µA)
IRSM(A)
VRSM(V)
Maximum Junction Capacitance@ 0 Volt(pF)
SMAJLCE28A
LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SMA
1000
31.1
35.1
1
28
5
21.05
47.5
100
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产品型号
品类
厚度
温度系数
容值
容差
额定电压
工作温度
焊接方式
HQ50V010050R1AAECQ
硅电容器
150µm
±60ppm/°C
0.1pF
±0.05pF
50V
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Solder Mounted
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黑金刚铝电解电容&超级电容选型表

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产品型号
品类
系列
直径(mm)
长度(mm)
引脚类型
电压(V)
容值(uF)
电容容差
最小工作温度(℃)
最大工作温度(℃)
MOQ/SPQ(pcs)
EGVD250ELL622MM30H
高温品引线型铝电解电容器
GVD Series
18mm
30mm
Radial lead
25V
6200uF
±20%(M)
-40℃
135℃
200
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高特ESD Protection Device选型表

选型表  -  高特 高特ESD Protection Device,符合IEC61000-4-2 ESD Contact±8KV, Air ±15KV标准;符合IEC61000-4-4FET 40A, 5/50ns标准;符合IEC61000-4-5 Lightning 24A, 8/20us标准;多工作电压段供选择:2.5V-36V;可提供单路、双路、四路、五路及六路保护产品;超低电容,最低电容达0.2pF;超低反向漏电流,最低反向漏电流1nA;全线采用微型贴片封装外形,最小外形为DFN0603(0.6*0.3*0.3mm);全线产品符合RoHS、无卤、Reach标准。

产品型号
品类
PPP(W)
VRWM(V)
VBR(V)
VC(V)
IPP(A)
IR(uA)
Cj(pF)
Package
GESD0301BU
ESD Protection Device
100
3.3
4.2
25
4
0.1
0.25
DFN1006
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最小起订量:1000 提交需求>

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