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EPC eGaN FET EPC2045栅极电压开启阈值Vth为多少?
EPC eGaN FET EPC2045栅极电压开启阈值Vth典型值为1.5V。
EPC的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2016C、EPC2001C、EPC2045、 EPC2032是否支持多管并联?
EPC的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2016C、EPC2001C、EPC2045、 EPC2032的导通阻抗RDS(ON)随着器件温度的增加而 增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性,因此支持多管并联。
EPC是否用于DC-3G的氮化镓管子内匹配好的?
EPC的氮化镓产品满足1-3G驱动频率的DCDC设计,针对不同的管子,EPC有相应的DEMO做为设计指导。其中EPC9130是48V转12V的DEMO,采用的是EPC2045设计,输出电流高达50A,驱动频率0.5MHz,可供设计应用参考。
EPC的GAN FET型号EPC2040有什么特点?
EPC的GAN FET型号EPC2040有以下特点:1、Vds约15V;2、Rds最大值30mΩ;3、Qg典型值0.745nC;4、最大峰值脉冲Id为28A,测试条件↑℃。脉冲300us;5、封装BGA,尺寸:0.85x12mm。
在激光雷达产品中使用MOS管EPC(宜普)氮化镓场效应电晶体EPC2016C与BSZ146N10LS5,哪个型号开关速度更快呢?
在相同测试条件:Vin=69.0 V, C1 = 1.22 nF,L1 = 3 nH,EPC(宜普)氮化镓场效应电晶体EPC2016C的开关时间4.02ns,而BSZ146N10LS5的开关时 间5.21ns,所以EPC2016C开关更快,非常适合激光雷达的使用。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
基板供应商备选方案——第二部分(PCN250201)
EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商,拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能,且已通过质量可靠性测试。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works基板生产相关产品,过渡期间客户可能从任何批准的供应商处接收货物。受影响的销售部分编号见附录I。
EPC - EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2252,EPC2053,EPC2055,EPC2110,EPC2204A,EPC2070,EPC2308,EPC2307,EPC2302,EPC2304,EPC2204,EPC2207,EPC2306,EPC2305,EPC2063,EPC21603,EPC2045,EPC2067,EPC2044,EPC2066,EPC2088,EP021701,EPC2619
EPC2053 EPC氮化镓场效应晶体管鉴定报告
本报告概述了EPC eGaN® FETs产品EPC2053的合格测试结果。报告涵盖了EPC2053、EPC2045、EPC2051和EPC2052的合格测试,这些产品具有相同的电压等级和器件加工。测试包括高温栅极偏置、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级和静电放电特性等。所有测试均符合JEDEC标准,EPC2053通过了所有测试,已批准投入生产。
EPC - EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,氮化镓场效应晶体管,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2045
GaN Transistor for Several Power Applications
GaN transistors are significantly faster and smaller than silicon MOSFETs. The performance of GaN shows that efficiency and performance have improved significantly, leading to several new applications that were not possible with silicon technology. eGaN® FETs, from EPC, are supplied in a low inductance, low resistance, small and low-cost LGA or BGA packages. In addition, they offer designers the best in class compared to MOSFETs in both hard switching and soft-switching applications.
【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色,应用时需考虑相关制造和设计事项
LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术,使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述,这些都是关键的设计考量因素。
EPC2045和EPC2088数据表更改(PCN241201)
EPC公司发布产品/工艺变更通知,涉及EPC2045和EPC2088两款产品数据表更新。变更内容包括添加新的晶圆标记,不影响产品形式、尺寸或功能。此次变更自2024年12月1日起生效,影响生产批次编号大于等于E2549M_C9C17045.1-M8和E3631M_C2215767.12的批次。
EPC - EPC2045,EPC2088
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一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例,分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
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eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快,因此需要更仔细地考虑印刷电路板(PCB)布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高,同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤,来避免上述不良影响并最大化转换器性能。
极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么
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