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EPC是否也有可能生产P沟槽增强型氮化镓晶体管？
增强型和耗尽型N沟槽氮化镓器件已经推出市场。EPC目前只提供增强型N沟槽器件。虽然有可能制造p沟槽器件，但与硅相比，这种p沟槽器件的性能较差。
EPC是否有600V及以上耐压的氮化镓产品？电源原边开关管
EPC的氮化镓是类似裸Die封装形式为主，目前最大是EPC2050，电压350V。关于目前的所有产品可参考 【选型】EPC（宜普）硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南: https://www.sekorm.com/doc/2077949.html
氮化镓需求是：Vds为30V以上，Ids=1A~2A，Q g越小越好的，因频率F=400MHz。
EPC的氮化镓GaN，型号EPC2037，规格：100V/550mΩ/1.7A，Qg为115pC。 规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/61645.html
EPC的氮化镓的可靠性如何？
关于EPC的氮化镓（GaN）产品的可靠性，可通过产品EPC产品的“Reliability Report Phase”文档查阅，在 JEDEC Standard JESD22-A108标准下做的高温150℃条件的测试时间至少1000小时。
EPC的这个氮化镓场效应管EPC2012C，其开关频率能达到10MHz吗？
EPC的这个氮化镓场效应管EPC2012C，其开关频率可以达到10MHz。
【技术】一文带你了解氮化镓和砷化镓的区别
氮化镓和砷化镓比较：氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的减少，还可提高效率。氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。
沃尔德整流桥WRLSB80M用于绿联65W 2C1A氮化镓充电器，帮助中大瓦数适配器提升可靠性，单颗可做60W+
绿联新推出了一款65W氮化镓快充充电器，这款充电器采用银灰色外观，切面柱形机身设计，相对较厚，投影面积很小。整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司，型号WRLSB80M；同步整流管来自维安，型号WMB080N10L；用于USB-C1和USB-C2接口的VBUS开关管，来自锐骏半导体，型号RU3070M3；USB-A接口VBUS开关管来自锐骏半导体，型号RU3030M3。
DK035GCN 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片
DK035GCN是一款集成了700V/600mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片，适用于高转化效率和高功率密度的产品。它通过检测功率管漏极和源极之间的电压来开启功率管，减小开关损耗并改善电磁干扰。DK035GCN具备完善的保护功能，包括输出过压保护、VCC过欠压保护、过温保护等。
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【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计，转换效率达95%
芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率，支持整流输出模式和逆变模式，适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德，线圈电压12V，触点容量50A；通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管，交流输入和输出保险丝来自华德电子，为WM50系列电力熔断器。
CorEnergy（能华半导体）外延片和功率器件选型指南
作为行业领先的以氮化镓功率器件为主的IDM公司，目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。As a leading IDM company in the industry mainly focused on GaN power devices, the company's product portfolio currently covers GaN epitaxial wafers, GaN power field-effect transistors, GaN integrated circuits, and customer-specified GaN foundry services.
CORENERGY - 氮化镓功率场效应管,RF HEMT,氮化镓集成功率器件,D模式高电子迁移率晶体管,GAN EPITAXY,氮化镓外延片,功率高电子迁移率晶体管,POWER HEMT,射频高电子迁移率晶体管,D-MODE HEMT,E型高电子迁移率晶体管,氮化镓外延,E-MODE HEMT,氮化镓芯片,功率器件,CE65H900TOBI,CE65E160DNHI,CE65H270DNFI,CE65H600TOGI,CE65H160DNFI,CE65H600TOEI,CE65H160TOAIF,CE65E300DNYI,CE65H070TODI,CE65H160DNHI,CE65H270DNHI,CE65D150DNBI,CE65H270TOBI,CE65H270TOHI,CE65H270DNGI,CE65H900TOEI,CE12E075DNHI,CE65H110DNDI,CE65H160DNGI,CE12H160DNFI,CE65H600TOHI,CE65H160TOFIF,CE65H070TOCI,CE65H600TOBI,CE65E160DNYI,CE65H900TOGI,CE65H270TOGI,CE65H110TOFI,CE90E075DNHI,CE65H270TOEI,POWER TOOL,TV,伺服器,汽车,PD FAST CHARGER,SERVER,ADAPTER,个人计算机,电动工具,笔电,适配器,PC,COREGAN POWER,激光电视,COREGAN 电源,PD快速充电器,服务器,氮化钴粉末,消费级应用,工业,PD快充,电视
DK075GCF 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片
DK075GCF是一款集成了700V/150mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片，具有高效率、低功耗、高功率密度等特点。该芯片通过检测功率管漏极和源极之间的电压，实现谷底检测和开启，减小开关损耗并改善电磁干扰。DK075GCF具备完善的保护功能，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本电脑适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等应用领域。
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拆解报告：公牛65W 1A1C氮化镓充电器
充电头网通过拆解了解到，公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案，搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口，并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充，增强散热性能。
【应用】DFN8*8封装的氮化镓MOS管SKGM18N65-N8，最大耗散功率67.5W，解决充电器体积大、效率低问题
通过采用時科的SKGM18N65-N8氮化镓MOS管，充电器可以实现瘦身设计。这款MOS管具有小体积、高耐压能力、高电流承受能力和低RDSon等优点，有助于解决充电器体积和效率的问题。
DK075GCD 高性能 AC-DC 氮化镓电源管理芯片
DK075GCD是一款集成了700V/150mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片，具有高效率、低功耗、高功率密度等特点。该芯片通过检测功率管漏极和源极之间的电压，实现谷底检测和开启，减小开关损耗并改善电磁干扰。DK075GCD适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本电脑适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等应用领域。
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【应用】泰高推出高效率240W氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案，内置4颗合封氮化镓开关管
泰高最新推出了一款240W氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案，采用可编程数字电源芯片PFC+LLC Combo高效拓扑，同时运用4颗泰高第二代TP44100SG合封氮化镓开关管，实现“更高效率，更大功率，更小体积，更低发热。”
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数，每段亮度0.8~30mcd，主波长470~640nm，电压2~10.2V。
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