ALLIANCE是否有MT41K256M16TW-107P的代替型号pin-to-pin,ddr3l
-
创建于2018-07-03
1个回答
-
- 用户_4430 (0)
ALLIANCE的ddr3 AS4C256M16D3L-12BxN 是pin-to-pin的。
- 创建于2018-07-03
- |
- +1 赞 0
- 收藏
平台合作
相关推荐
APA项目,DDR使用美光MT41K256M16TW,有没有可以替代的DDR?
推荐Alliance 的DDR3L ASC256M16D3LB。ASC256M16D3LB只支持1600Mbps的数据速率,MT41K256M16TW有三种速率可选,如果对主控配置数据速率等于或低于1600Mbps则可替换。
中控屏的项目上需要用到一颗4G的DDR3颗粒,有没有可以替换MT41K256M16TW-107I的物料推荐?
可以参考一下我们代理的ALLIANCE的 DDR AS4C256M16D3LC-12BCN https://www.sekorm.com/product/194550.html
寻求国产品牌替换镁光的DDR3 MT41K256M16TW-107,是否有合适替换?
推荐江波龙的F60C1A0004-M79W,4G容量,工作电压1.35V,数率1866Mbps,封装为96-ball FBGA,工作温度为-40°C~+95°C。详细参数可参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3768548.html
航电卡项目上用的一款镁光的DDR3 MT41K256M16TW-107 AIT:P,目前由于军品项目的需要进行国产化替换,是否有合适推荐?
推荐国产澜智的ZDV4256M16A-13IPH,4G容量,数率1866Mbps,封装为96-ball FBGA,工作温度为-40°C~+95°C,数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3090497.html
要求温度-40℃-85℃,能够替换MT41K256M16HA-125E,有没有合适推荐
推荐一颗Alliance的AS4C256M16D3LC-12BCN,参考资料如下:https://www.sekorm.com/doc/2150580.html
【技术大神】DDR3,最了解你的人是我!
ALLIANCE公司的DDR3颗粒AS4C256M16D3-12BCN作为商业级DDR3颗粒,工作温度范围可达到0-95摄氏度,最高可支持800MHz时钟速率,适用于LTE小基站等应用领域。
【成功案例】基于Alliance DDR3的T型拓扑、Fly-by 拓扑结构设计方法,成功用于车载音响系统项目
本文从车载音响系统设计项目中介绍,当产品中采用多片DDR3(ALLIANCE AS4C256M16D3B-12BCN为例)时就会涉及到内存传输拓扑结构问题,及如何设计相应的拓扑结构方案才能保证产品低成本、高信号质量且具有良好的时序余量。
AS4C256M16D3C 256M x 16位DDR3同步DRAM(SDRAM)
本资料介绍了AS4C256M16D3C 4Gb DDR3 SDRAM的特性、应用和操作模式。该产品支持JEDEC标准,具有1.5V供电、96球FBGA封装,适用于商业和工业温度范围。产品特性包括高速时钟率、双向差分数据、动态ODT、自动刷新和自我刷新等功能。
ALLIANCE - 256M X 16 BIT DDR3 SYNCHRONOUS DRAM,256M X 16位DDR3同步DRAM,4GB双数据速率3 DRAM,4GB DOUBLE-DATA-RATE-3 DRAMS,SDRAM,AS4C256M16D3C-10BCN,AS4C256M16D3C,AS4C256M16D3C-93BCN,AS4C256M16D3C-12BIN,AS4C256M16D3C-10BIN,AS4C256M16D3C-12BCN,AS4C256M16D3C-93BIN
【经验】Fly-by拓扑下DDR3的终端匹配电阻设计方案,减少反射、提高信号质量
当汽车电子产品中采用4片或4片以上的AS4C64M16D3-12BIN时,为解决时序和信号完整性问题,DDR3内存的时钟、地址、控制命令线需要采用Fly-by拓扑结构,但也同时需要精心设计相应的终端匹配方案,以减小反射、保证信号质量。解决办法就是在反射最严重的分支上加终端匹配电阻,而最远分支是反射最严重的地方,因此在最远分支末端加上终端匹配电阻吸收反射来提高信号完整性是既经济又折中的方案。
国产的DDR3或DDR4有没有8Gb或者16Gb的,请给个厂家和具体型号?
目前世强代理的国产品牌ATP,有DDR3内存条,但不是存储芯片,存储芯片,ALLIANCE这边有,DDR3,1.5V的只有4G的,如AS4C256M16D3B-12BCN;DDR3L,1.35V的有8G的如:AS4C512M16D3L-12BxN,AS4C1G8MD3L-12BCN。
Alliance Memory Expanded Lineup of DDR3 and DDR3L SDRAMs With 512Mb x8 and x16 Devices in 78-Ball and 96-Ball FBGA Packages
Alliance Memory announced that it has expanded the industry’s widest offering of high-speed CMOS DDR3 and low-voltage DDR3L SDRAMs with new 512Mb x8 and x16 devices in the 78-ball and 96-ball FBGA packages, respectively.
【产品】96 ball FBGA封装的512M DDR3——AS4C32M16D3L
Alliance的512M DDR3——AS4C32M16D3L ,采用96 ball FBGA封装,该芯片采用双倍数据速率架构,可实现高速运行。Alliance的这款512MB DDR3可实现高达1600 MB/sec/pin的高速双数据传输速率,可满足常规应用。
【成功案例】如何对DDR3的电源平面阻抗进行仿真?
DDR3频率高、瞬态电流大、供电电压低,因此须对其电源进行PI(电源完整性)仿真以掌握其阻抗情况。但Alliance的内存AS4C64M16D3A-12BIN的PI却容易达标,笔者设计过的一款交换机采用了2片AS4C64M16D3A-12BIN,并利用Hyperlynx仿真软件对其DDR3的1.5V电源平面进行了PI仿真,结果仅轻微超标,后来仅通过调整电源的去耦电容后降低了阻抗,顺利达到标准。
Alliance Memory Introduced Die Version for 2Gb and 4Gb DDR3 and DDR3L SDRAMs Providing New Memory Chip Source in Face of Market Shortages
To address the memory market’s shortage of high-speed CMOS DDR3 and low-voltage DDR3L SDRAMs, Alliance Memory announced a new die revision (B die) for its 2Gb and 4Gb devices in the 96-ball FBGA package.
【产品】64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM,容量达到1Gb
AS4C64M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司全新推出的一款64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM内存,工作电压降低到了+1.35V,其功率损耗也相应的变得更低,更为节能。高速度传输和读写速度的同时,该内存的总容量也达到了1Gb。分为商业款(AS4C64M16D3LB-12BCN)和工业款(AS4C64M16D3LB-12BIN)两种型号。
电子商城
现货市场