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只有齐纳二极管的反向特性,能否说明正向特性?
其正向特性和一般二极管相同，如硅二极管,大约具有0.6V的正向导通特性。但是, 齐纳二极管的正向特性没有测定,因此不作保证。
TVS二极管和齐纳二极管有啥区别？？他们可以通用吗？
不可以通用。TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，亦称TVS管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态电压抑制器、雪崩击穿二极管等，有单向和双向之分。当TVS二极管的两端经受瞬间高能量冲击时，它以PS秒级的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的精密元器件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。 齐纳二极管（Zener diode），又叫稳压二极管、稳压管，是利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 稳压二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件，在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的。因为这种特性，稳压二极管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。
用齐纳二极管做电源的过压保护可以吗？和tvs相比有什么优缺点？
齐纳二极管又称稳压二极管，耐浪涌能力有限，功率较小，但稳压精度高，在电路中一般做钳位保护；TVS管工作电压范围宽，耐浪涌能力强，功率大，动作时间快，可达纳秒级，在电路中一般做过压保护用。
光耦长时间工作可靠性如何？
光耦本身是通过发射二极管和光敏二极管来做出来的模块，如果长时间工作存在光衰问题，导致光耦内部的光敏二极管无法接受到光信号，最终光耦失效。
并联数个齐纳二极管(zener diode)以分散损耗，这样做会有什么问题吗?
请不要这样并联使用齐纳二极管，对数个齐纳二极管所加电压超过齐纳电压时，哪怕是各自微小的差异，也会引起电流大大失去平衡， 而将负荷集中在个别器件上。在各自差异较大的情况下,甚至会出现仅仅1个齐纳二极管被导通的现象。
产品】5W、小型SMD封装功率齐纳二极管ST70-27MF和ST70-30MF，反向浪涌电流峰值为180、160A
Shindengen推出的ST70-27MF和ST70-30MF是两款5W级的功率齐纳二极管，采用小型SMD封装方式封装，重量均为1.5g。它们的外观轮廓图如图1所示，可用于汽车，电话IC 保护，IC 电压异常保护以及负载转储噪音保护。
【选型】适用于智能手机USB/数据接口电路的ESD瞬态电压抑制器和齐纳二极管器件选型推荐
Central公司推出的ESD瞬态电压抑制器CSL05D/齐纳二极管CMNTVS12V，ESD防护电压分别可达8kV/25kV，封装尺寸小，工作温度范围广，可以应用在智能手机的USB/数据接口电路中，为其提供可靠有效的ESD防护功能。
CMDZ1L8至CMDZ47L表面贴装硅低电平齐纳二极管250mW，1.8至47伏±5%公差
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMDZ1L8至CMDZ47L系列的硅低电压齐纳二极管。这些二极管采用SUPERmini™表面贴装封装，适用于需要低工作电流、低漏电和尖锐拐点的应用。
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【产品】低漏电流的高效率齐纳二极管，电压范围2.4～75V
Central公司 CMHZ5221B～CMHZ5267B系列齐纳二极管，电压范围广2.4～75V ，漏电流低，耗散功率500mW，小封装SOD-123，适用于电子设备产品中。
【产品】电压范围为1.8 V～6.2V的硅齐纳二极管CMHZ4614，适合于3.3V、5V等低电压控制电路
Central Semiconductor公司推出的CMHZ4614系列齐纳二极管是一系列的高质量稳压器，其稳压范围为1.8V至6.2V，适合于3.3V、5V等低电压控制电路中，专为低泄漏，低电流和低噪声应用而设计。可用于DC/DC转换器，工业电源，开关模式电源等应用场合。
CMDZ2V4至CMDZ47V表面安装硅齐纳二极管2.4伏至47伏250mW，5%公差
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMDZ系列硅控整流二极管（齐纳二极管），这些二极管具有2.4伏至47伏的工作电压范围，功率耗散为250毫瓦，公差为5%，采用SOD-323表面贴装封装。资料提供了详细的电气特性表，包括最大额定值和工作温度下的电学参数。
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【产品】高速响应齐纳二极管ST02-47G1，最大反向电流为5µA，其耗散功率为1W
Shindengen推出的ST02-47G1高速响应齐纳二极管，符合AEC-Q101的标准，可用于便携式电子设备、负载转储噪音保护 、过电压保护等场合。ST02-47G1齐纳二极管的最大反向电流为5µA，其耗散功率为1W，低耗散功率提高了能源的利用效率。
【产品】最低52V击穿电压、64V低钳位电压表面贴装齐纳稳压二极管，尤其适合48V汽车电子
SHINDENGEN的表面贴装齐纳稳压二极管ST02-58G1通过了AEC-Q101认证，具有小封装、漏电流小、功耗小、52V击穿电压、64V钳位电压的特点，其中漏电流只有5uA，最低击穿电压为52V，非常适合48V系统的汽车电子产品使用，同时也适合电话等通信设备使用。
CMOZ2V4至CMOZ43V表面贴装硅齐纳二极管2.4伏至43伏5%公差
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMOZ系列硅稳压二极管。这些二极管具有不同的电压值（从2.4伏到43伏），适用于低泄漏应用，并采用环氧树脂封装的ULTRAmini™包装设计。
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【选型】POS机中PoE控制器的全波肖特基桥式整流、齐纳二极管、MOSFET选型推荐
Central推出的全波肖特基桥式整流器(CBRHDSH1-100/CBRHDSH1-200/CBRHDSH2-100/CBRLDSH2-100/CBRSDSH2-100)；齐纳二极管(CMOZ5L1/CMDZ5L1)和MOSFET(CEDM7002AE/CEDM8004)性能优异，可为POS机微控制器提供稳定可靠的整流电压，还可以提供ESD防护电压，有效防止PoE控制器不会因为瞬态电压而被击穿。
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