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光伏逆变器项目上需一颗1200V，30A左右的SiC肖特基二极管，是否有国产方案推荐？
你好，推荐泰科天润的碳化硅肖特基二极管型号G3S12030B，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/1901946.html
一个新项目准备选择一颗肖特基二极管，项目为微基站，要求可以满足50V，10A，的要求，请问有没有合适推荐？
您好，推荐长晶的肖特基二极管SP1060L，请参考规格书：https://www.sekorm.com/doc/2367689.html
能量回馈装置上用到一颗肖特基二极管 VRM=100V，lo=8.0A，封装不限，有可以推荐的吗？
推荐扬杰：SS810，肖特基二极管,VRM=100V，lo=8.0A，满足需求，详情请参考链接：https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/SS810?ugc=k。
在辅助电源部分，需要一颗肖特基二极管，需求600V，3A的一颗肖特基二极管，结温要是150℃，要求是车规级的请推荐。
您好，给您推荐新电元的车规肖特基二极管M3FE60 5063，耐压600V，工作电流3A，封装形式SMD。 详情请查看数据手册：https://www.sekorm.com/doc/36172.html。
一个大功率电源项目，需要用到碳化硅肖特基二极管，要求1700V，20A以上，请问有合适的型号推荐吗？
你好，推荐SMC的碳化硅肖特基二极管S5D25170H，1700V/25A , TO247-2L，数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/3682170.html
肖特基二极管漏电流与反向电压的关系
在肖特基二极管两端加反向电压时，其内部电场区域变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估肖特基二极管性能的重要参数，肖特基二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系所示：反向电压愈大，漏电流越大，在常温下肖特基二极管的漏电流可忽略。
SiC MOSFET和SiC肖特基二极管和裸片SiC MOSFET和裸片SiC肖特基二极管
该资料详细列出了多种碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的规格参数，包括型号、封装、额定电压、电流、导通电阻、阈值电压等关键性能指标。资料还提供了不同型号的碳化硅器件的封装类型、额定电压、正向电流、最大反向电流、最大正向电压、电容值以及产品状态（如“Active”表示活跃状态，“Comingsoon”表示即将上市）。此外，还包含了裸片形式的SiC MOSFET和肖特基二极管的详细信息，包括型号、额定电压、正向电流、最大正向电压、反向恢复电流、电容值、热阻等参数。
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单火线开关项目，帮忙选型国产肖特基二极管，反向电压100V，平均电流20A,to-252封装。
您好，推荐国产辰达行的肖特基二极管MBRD20100D，反向电压100V，平均电流20A，双芯，to-252封装，资料：https://www.sekorm.com/doc/2227207.html
【产品】650V SiC肖特基二极管WS3A003065A，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性
WS3A003065A是中电国基南方推出的一款650V SiC肖特基二极管，器件采用TO-220-2封装，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，正向电流最高达11A，耗散功率为46.8W，工作结温与储存温度为-55℃~175℃
新的项目主要做电源方面，目前在找一款碳化硅肖特基二极管，要求是反向重复峰值电压是650V左右，正向平均电流在50A左右，封装是TO-247，问一下世强这边有没有推荐的国产肖特基二极管？要是有可以推荐资料参考一下。
推荐客户参考扬推荐客户参考泰科天润的G3S06550P碳化硅肖特基二极管，这是一款反向重复峰值电压就是是650V，正向平均电流在50A，封装也能匹配功能上也可以兼容，具体参数需要客户参考。文件可以参考如下： 推荐参考泰科天润的G3S06550P碳化硅肖特基二极管，数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/2135426.html 我们平台有相关的应用文章，推荐客户可以在我们平台搜索相应的文章。
新电元肖特基二极管的反向击穿电压多少
二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。
替代DIODES的B560C_13_F肖特基二极管，麻烦推荐一款性价比好的国产品牌。
您好，推荐固得沃克的贴片肖特基势垒二极管，最大反向峰值电压(VRRM):60V，平均正向整流电流(I(AV)):5A，正向浪涌电流(IFSM):120A，正向压降(VF @ IF): 0.75v，5A，反向漏电流(IR @ VR):0.2uA，60V，数据手册链接https://www.sekorm.com/doc/2375474.html
新电元（Shindengen）电源用肖特基二极管，有个疑问，为什么碳化硅基二极管的正向导通压降为什么会比硅基快恢复二极管的正向导通压降要高呢？
Shindengen的肖特基二极管一般耐压在几百伏左右，正向导通压降0.8V左右（跟材料有关），适用于电压较低场合；而SIC二极管耐压都在600V以上，正向导通压降典型值1.5V左右，但反向恢复时间几乎为零，适用于电压较高场合，两者应用范围不同，不能单纯就参数来比较。
HPAE65D16R SiC肖特基二极管
本资料介绍了HPAE65D16R碳化硅肖特基二极管。该器件具有低反向电流、良好的浪涌电流能力、低电容电荷和无反向恢复电流等特点，符合无卤素RoHS标准。其主要参数包括重复峰值反向电压、非重复峰值反向电压、连续正向电流等。适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电机驱动等领域。
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