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Renesas PS9031 IGBT驱动光耦可以工作到多少M频率？
从Renesas PS9031 IGBT驱动光耦的开关特性上分析，PS9031可以工作到2M频率，实际设计时要考虑IGBT的开关特性,及在高开关状态下的热设计。
Renesas PS9031-Y-V-F3-AX IGBT驱动光耦与东芝光耦TL152封装不兼容。
因为Renesas PS9031 IGBT驱动光耦体积比TL152尺寸小，可以同时把两个光耦设计到一个位置上。
RENESAS驱动光耦PS9031-Y-V-F3-AX传输延时时间tPLH、tPHL分别为多少？
RENESAS驱动光耦PS9031-Y-V-F3-AX传输延时时间tPLH、tPHL在Rg=10Ω，Cg=10nF,f=10kHz，Duty cycle=50%,IF=10mA的测试条件下分别为80ns(TYP.)、105ns(TYP.)。
驱动光耦PS9031有什么特点？
PS9031是Renesas主推的驱动光耦，可pin to pin替代ACPL-W340。PS9031特点：• 长爬电距离，最小为8mm• 大峰值输出电流，最大可达2.5A，最小为2.0A• 高速转换，最大转换时间为175 ns• UVLO欠压锁定（保护滞后）• 高共模抑制比，可达±50 kV/μs MIN• 工作环境温度：可在最高125℃环境下工作• 无铅无卤素焊接工艺• 安全标准：--UL 认证，UL1577双重保护 --CSA 认证：CA5A，CAN/CSA-C22.2 No.60065，CAN/CSA-C22.2 No.60950-1，强化绝缘--VDE 认证：DIN EN 60747-5-5 （Option）
贵司能提供RENESAS驱动光耦PS9402的参考设计吗？
针对RENESAS驱动光耦PS9402的参考设计，请参考www.sekorm.com/doc/35053.html
【IC】奥特IGBT驱动光耦AT314，隔离电压可达5000Vrms，驱动电流达0.6A
随着电力电子技术的飞速发展，绝缘栅双极晶体管（IGBT）在电机控制、逆变电源等领域得到了广泛应用。为了实现高效、稳定的IGBT驱动，AT314光耦作为一种优秀的隔离器件，在IGBT驱动电路中发挥着重要作用。
碾压光耦！5.0kVRMS电压隔离+10kV浪涌保护的隔离器
Silicon Labs推出的隔离式栅极驱动器Si8261可替代传统的光耦隔离方案，无论从成本，还是产品可靠性上均更具优势，相信会成为未来主流的高性价比设计方案。
想找一颗IGBT驱动光耦，要求最大峰值电流达到2.5A，最大延迟200ns，耐压至少5KV，有推荐吗？
推荐华联的驱动光耦HGD313H，它的 安全性高，采用了加强绝缘型宽体封装，其强弱电两侧的安全距离可达14.5mm，塑封材料的CTI＞300V，使得输入输出侧之间的绝缘电压高达7500V。数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3184651.html。
【选型】CMOS栅极驱动光耦取代传统光耦驱动器，让电源设计者更轻松
Silicon Labs Si826x系列CMOS隔离栅极驱动器，封装和引脚都兼容栅极门驱动光耦，可直接进行替换而不需要做印制电路板改动。并且器件可使用在定制方式下工作或使用传统光驱动器输入电路。Si826x隔离门驱动器产品与光驱动器相比，其时序性能比光驱动器快8到10倍。这有利于它们在低中频应用像电机驱动、医疗设备和开关模式电源系统中使用。
PC929驱动光耦，可以用什么替代，最好是pin对pin的
SHARP的PC929光耦隔离驱动芯片是SOP-14封装，14pin设计不与其他产品pin-pin兼容，市面上几乎找不到可pin-pin替代的产品。PC929驱动光耦同时因停产原因，建议改动设计，其设计缺点总结如下：1、PC929不具备软关断功能，保护时关闭IGBT会引起母线电压大幅度上升，对IGBT造成过压损耗，实际设计时需要额外的保护设计，增加设计成本。2、PC929故障反馈端FAULT PIN内部是没有保护功能的，实际设计时需要一颗额外的外部光耦做信号隔离完成故障信号的反馈，也会增加设计成本。总之，PC929的封装决定了没有完全兼容的设计产品，同时因其设计的不完美，需要额外的补偿电路设计增加设计成本的同时，也会增大功率驱动电路的体积，估计这些也是该光耦走向停产的原因。3、PC929产品特点补充：峰值驱动电流最大为0.4A，工作温度为-20℃~80℃，没有集成米勒钳位功能、没有集成欠压保护、过流保护反馈信号pin内部没有集成高速低衰减反馈光耦、无IGBT软关断功能等 针对非pin to pin替代，推荐世强代理的Siliconlabs SI8286和Renesas PS9402，两者的设计优势如下：1、SI8286容耦隔离驱动芯片不带软关断功能，SOIC-16封装，峰值输出电流为4A（直接驱动更大功率的IGBT，评估可以省略外部推挽，缩小P板体积），工作温度-40℃~125℃（在高温环境下工作稳定，衰减小），集成欠压保护、IGBT过流保护、具有过流保护反馈信号、不具有IGBT软关断&米勒钳位功能。2、PS9402带智能保护的光耦隔离驱动芯片，SOIC-16封装，峰值输出电流为2.5A（直接驱动更大功率的IGBT，评估可以省略外部推挽，缩小P板体积），工作温度-40℃~110℃（在高温环境下工作稳定，衰减小），集成欠压保护、IGBT过流保护、具有过流保护反馈信号、具有IGBT软关断&米勒钳位功能。SI8286和PS9402最大的差异是：SI8286不具有软关断功能，而PS9402具有；同时PS9402可pin to pin兼容ACPL-332J/ACPL-330J，后期设计不会出现单一source状况。
AED需要一个栅极驱动光耦，参数要求：工作电压20V，轨对轨输出，输出电流2A以上，介质耐压5000V，有什么型号推荐。
推荐华联电子的HGD3120D，工作电压15~30V，轨对轨输出，输出最大峰值电流可达2.5A，开关速度最大延迟时间为500ns，介质耐压5000V，封装为DIP8，具体参数可参考数据手册： https://www.sekorm.com/product/615570.html
用Pc929做IGBT驱动光耦怎么做短路保护
PC929隔离驱动光耦因是早期的设计，目前已经停产，设计时存在两个致命缺陷：1、PC929不具备软关断功能，保护时关闭IGBT会引起母线电压大幅度上升，对IGBT造成过压损耗，实际设计时需要额外的保护设计，增加设计成本。2、PC929故障反馈端FAULT PIN内部是没有保护功能的，实际设计时需要一颗额外的外部光耦做信号隔离完成故障信号的反馈，也会增加设计成本。推荐选用PS9402或者Silicon Labs SI8286做替代设计，可参考文章：https://www.sekorm.com/news/61471716.html。
【应用】国产驱动光耦HGD3120S助力交流充电桩控制引导设计，输出峰值电流高达2.5A
华联电子驱动光耦HGD3120S助力交流充电桩控制引导设计，共模抑制比高达50kV/μs，该驱动芯片可完全兼容市面上主流光耦、容耦的隔离器件，在性能和可靠性方面更加出色，内部由砷化铝镓红外发光二极管耦合到一个集成推挽电路的功率输出端组成。
储能BMS项目上寻一款驱动光耦，可替代TLP5702H，离耐压UIORM达1414Vpeak，求推荐。
推荐数明半导体驱动光耦SLM341CK-DG，SOP6W封装，驱动电源电压范围14V~40V，最大驱动电流3A，最大VIROM 1414Vpeak，CMTI min达150kV/μs，工作温度范围-40℃~125℃，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3719409.html。
在设计光伏逆变器功率电路时，IGBT驱动电路采用的光耦HCPL-3120，其输出侧推挽电路压降为2.5V，导致IGBT驱动电压偏低，请帮忙推荐合适的驱动产品，可以帮助提高IGBT驱动电压？
在光伏逆变器中，IGBT的驱动电压建议为+15V，驱动电压偏低会导致IGBT的导通损耗偏大。推荐采用Silicon Labs的隔离驱动Si8621，其输出侧为轨到轨输出，推 挽电路压降很低，仅为0.3V左右。相比目前的电路应用，IGBT驱动电压可以提高1V以上，有助于IGBT深度饱和导通。
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