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碳化硅的效率比普通igbt模块高多少?

从效率的角度,SIC是可以设计的比IGBT效率高,在开高频的情况下,SIC可以做到低的损耗,另外也可以减小滤波的体积,具体效率高多少,这个需要设计后去实测对比。

2018-04-10 -  技术问答

igbt模块的底板用什么材料最好?

IGBT低板材料一般用铜或者铝基碳化硅,而从热传导、硬度及模块的可靠性上讲,铝基碳化硅相对铜底板材料更好些。

2018-07-06 -  技术问答

ABB做igbt模块吗?

ABB有做IGBT模块,但是世强代理Vincotech的IGBT模块,集成各种封装拓扑,独有的封装技术,模块拥有低杂散电感特点且在各大市场均有广泛的应用。Vincotech的选型手册链接如下:https://www.sekorm.com/doc/65932.html。

2018-05-04 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

请问世强公司有没有代理IGBT模块?1700V的

您好,世强有代理Littelfuse的产品,有1700V的IGBT模块,下面的链接是IGBT模块的选型手册下载地址:https://www.sekorm.com/doc/111196.html

2018-10-29 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

世强有代理450A的igbt模块吗?

世强有代理vincotech的IGBT模块,其中450A模块推荐新推出的E3模块,型号为a0-vx122pa450m7-l758f70x,规格450A/1200V半桥模块,采用最新M7晶圆,通用EconoDUAL3封装。

2017-12-07 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

IGBT模块使用上的注意事项

提到IGBT模块相信大家并不陌生,那么在IGBT模块的使用上有哪些注意事项呢?本文XDM将为您进行介绍。

2024-09-27 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

ROHM(罗姆)"全SiC"功率模块选型指南(中文)

SiC功率模块是节能环保的器件,与传统产品相比有多项改进,有效地利用了电源和资源,并且在维持或提高性能的同时降低了功耗。例如,集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块。此外,与传统模块不同,这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作,提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率。

ROHM  -  “全SIC”功率模块,BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM300D12P4G101,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM450D12P4G102,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM600D12P4G103,BSM300D12P3E005,BSM250D17P2E004

2024/2/27  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

SF450R17D6半桥IGBT模块

本资料详细介绍了SF450R17D6半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和关键参数。该模块适用于变频器、UPS、伺服和逆变器等设备,具有1700V的沟槽栅/场终止工艺,低开关损耗和正温度系数等特点。

SEMI-FUTURE  -  半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF450R17D6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服

2020-10-16  - 数据手册  - Edition 1.3 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

IGBT模块应用时,死区时间怎么预留?

IGBT模块应用时,通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间,例如20KHz驱动频率的电源行业,INV采用半桥架构,上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型,可参考Vincotech的选型资料:https://www.sekorm.com/doc/65932.html

2018-10-15 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】1200V/100A flowPHASE 0+NTC 半桥IGBT模块,采用高效率IGBT4半桥

Vincotech(威科)生产的flowPHASE 0+NTC 半桥IGBT模块,共包含4个型号,其储存温度范围-40..+125℃,开关条件下工作温度范围-40~+(Tjmax-25)℃,隔离直流电压6000V,tp = 2秒,隔离交流电压2500V,tp=1分钟;爬电距离最小为12.7毫米,外壳12mm安全间距分别为9.12和9.54mm,而外壳17mm最小安全间距为12.7mm。

2019-09-02 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

SF200R17E6 62mm半桥IGBT模块

本资料详细介绍了SF200R17E6型半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和最大额定值。该模块采用1700V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗和正温度系数等特点,适用于变频器、UPS、伺服和逆变器等应用。

SEMI-FUTURE  -  半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF200R17E6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服

2021-10-28  - 数据手册  - Edition 1.0 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

SiC功率元器件基础

本手册介绍了SiC(碳化硅)功率元器件的基础知识,包括其物理性质、特点、开发背景、优势以及与Si器件的比较。手册详细阐述了SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)和SiC MOSFET的特性、使用方法,并介绍了全SiC功率模块的应用要点和可靠性。此外,还探讨了栅极驱动、缓冲电容器等关键应用技术。

ROHM  -  MOSFET,SIC场效应晶体管,超级结 MOSFET,薄膜电容器,电容器,寄生二极管,陶瓷缓冲电容器模块,功率晶体管,平面型 MOSFET,SIC,硅PND,SI 功率元器件,DMOS,SI 二极管,SIC功率元器件,专用栅极驱动器,缓冲模块,外围元器件,SIC备用电池,SI DMOS,硅绝缘栅双极晶体管,高耐压功率元器件,双极器件,SI PND,线圈,PWM逆变器,“全SIC”功率模块,SIC MOSFET,硅超结MOS,电解电容器,SIC,晶体管,SI FRD,快恢复二极管,碳化硅半导体,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,SIC DMOS,功率半导体,SI SUPER JUNCTION MOS,功率元器件,变压器,SIC SBD,陶瓷电容器,IGBT,SI SBD,功率模块,SBD,体二极管,硅SBD,高耐压元器件,IGBT模块,SI 肖特基势垒二极管,SIC肖特基势垒二极管,目的地管理组织,绝缘栅双极晶体管,SI IGBT,SI半导体,SI PN 二极管,载流子器件,碳化硅DMOS,化合物半导体,FRD,缓冲电容器,二极管,SCT2[XXX[]系列,SCT2[XXX[],SCS310AP,LC78P801D127K-AA,SCH2XXX]系列,SCH2XXX],FHACD1C2V125JTLJZ0,SCS210AG,EVSM1D72J2-145MH14,EVSM1D72J2-145MH16,BSM300D12P2E001,EV车载充电电路,PFC电路,车载二极管充电电路应用,PHV车载充电电路,功率转换应用,HV车载充电电路,车载级应用

2023.1.x  - 用户指南  - 001 代理服务 技术支持 采购服务

IGBT模块的损耗特性是什么?

IGBT元件的损耗总和分为:通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。

2020-12-04 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

SF75R17A6 34mm半桥IGBT模块

本资料详细介绍了SF75R17A6型34mm半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和关键参数。该模块采用1700V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗和正温度系数等特点,适用于变频器、UPS、伺服和逆变器等应用。

SEMI-FUTURE  -  半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF75R17A6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服

2021-10-16  - 数据手册  - Edition 1.3 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

请问:碳化硅的有300A、400A、600A,1200V,及耐压以上的吗?其驱动电路与驱动IGBT的一样吗

推荐采用rohm的SiC模块,耐压1200V的模块电流规格范围80A-600A,耐压1700V的模块电流规格为250A。可参考链接:【选型】ROHM(罗姆)SIC碳化硅功率元器件选型指南。IGBT对驱动电压的要求为-10V和+15V,而SiC MOS对驱动电压的要求通常为-5V和+20V,在设计时需要注意。

2019-09-05 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务
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